• 한국결정성장학회지
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• 제24권4호
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• pp.145-150
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• 2014

3차원적 선택적 결정 성장 방법에 의해 GaN stripe 구조의 꼭지점 부분에만 GaN 나노로드를 성장하였다. GaN stripe의 꼭지점 부분의 $SiO_2$ 만을 최적화된 포토리소그라피 공정을 이용하여 제거하고 이를 선택적 결정 성장을 위한 마스크로 사용하였다. $SiO_2$가 제거된 꼭지점 부근에만 Au 금속을 증착하고, metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE) 방법에 의해 GaN stripe의 꼭지점 부분에만 GaN 나노로드의 선택적 성장을 실시하였다. GaN 나노로드의 형상과 크기는 결정 성장 온도와 III족 원료의 공급량에 의해 변화가 있음을 확인하였다. Stripe 꼭지점에 성장된 GaN 나노로드는 단면이 삼각형형태를 가지고 있으며 끝으로 갈수록 점점 폭이 좁아지는 테이퍼 형상을 가지며 성장되었다. TEM 관측 결과, 매우 좁은 영역에서만 선택적 결정 성장이 이루어졌기 때문에 GaN 나노로드에서 관통전위(threading dislocations)는 거의 관찰되지 않음을 확인하였다. 선택성장이 시작되는 부분의 결정면과 GaN 나노로드의 성장방향의 결정면 방향의 차이에 기인하는 적층결함(stacking faults)들이 GaN 나노로드의 중심영역에서 생성되는 것을 관찰할 수 있었다.

• 에너지공학
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• 제2권3호
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• pp.258-267
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• 1993

본 연구에서는 초고온 잠열 축열재를 이용한 에너지 저장 시스템을 개발하기 위한 첫 단계로 에너지 저장 시스템 내부를 구성하는 단일 축열재 모듈에 대한 축방열 특성에 관한 수치모델을 개발하였다. 잠열축열재는 Si와 Al이 각각 96.8%와 2.7%인 합금으로 Ca, Fe 및 Ti 등의 불순물을 함유하고 있으며, 그것을 둘러 싼 캡슬은 SiC와 흑연이 각각 58%와 42%인 합금으로 융점은 약 1673 K다. 재료분석 결과에 준하여 수치모델 개발에 필요한 물리·화학적 데이타를 참고문헌으로부터 인용하였으며 유체의 온도와 속도를 축열재의 축방열 특성에 관한 변수로 사용하였다. 상전이에 관한 해석은 겉보기 열용량 법(apparent capacity method)과 postiterative 법의 장점들을 이용하여 해석하였다. 수치해석 결과 가스의 온도가 실제 조업에 가까운 1773 K의 경우 잠열재가 축방향으로 빨리 용융되고 상대적으로 가스의 온도가 높아 온도 차이가 큰 3000 K의 경우 잠열재가 반경방향으로 빨리 용융되는 현상이 일어났다. 가스의 유속은 온도에 관계없이 느린 경우에만 용융시간에 영향을 주고 빠른 경우에는 융용시간이나 용융형태에 거의 영향을 주지 못하며, 유속이 느릴수록 축열재 내부 온도구배의 앞·뒤 비대칭성이 심해지는 것이 예측되었다.

• 한국자기학회지
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• 제13권2호
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• pp.64-69
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• 2003

Si 기판 위에 $\alpha$-Fe$_2$O$_3$을 하지층으로 하는 Ba-ferrite 박막을 pulsed laser deposition system으로 제조하여 결정학적 및 자기적 성질을 X선 회절, SEM, Mossbauer 분광법 및 VSM을 사용하여 연구하였다. $\alpha$-Fe$_2$O$_3$박막은 Si 기판위에 PLD를 이용하여 기판온도 400 $^{\circ}C$, 산소압력 0.1 Torr로 5분간 증착 하였고 그 위에 두께를 달리하여 Ba-ferrite 박막을 제조하였다. Ba-ferrite 결정은 가늘고 긴 모양의 결정립들로 형성되었으며 두께에 따라 그 모양과 상태가 변화하였다. Mossbauer 분광법으로부터 Ba-ferrite 결정내의 Fe 원자의 스핀 방향은 두께가 얇을수록 하지층의 영향으로 기판에 수직으로 정렬하려는 경향을 보이고 있음을 확인하였다. 자기이력곡선의 각형비 역시 두께가 얇을수록 더 크며 이러한 특성은 수평에 비하여 수직의 경우가 더 강하게 나타났다. 보자력 역시 같은 경향을 보이나 포화자화의 값은 수평의 경우에 더 큰 값을 나타내었다. 결정구조는 Magnetoplumbite로서 두께가 작아질수록 결정상수 $\alpha$는 감소하고 c는 증가하는 경향을 보였다.

• 열처리공학회지
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• 제31권6호
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• pp.269-274
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• 2018

Grain-oriented electrical steel sheets are mainly used as core materials for transformers and motors. They should have excellent magnetic properties such as low core loss, high magnetic flux density and high permeability. In order to improve the magnetic properties of the electrical steel sheet, it is important to form Goss oriented grains with a very strong {110}<001> orientation. Recently, efforts have been made to develop Goss grains by controlling processes such as hot rolling, cold rolling, and primary and secondary recrystallization. In this study, the sheets containing 3.2 and 3.4wt.% Si were used, which were rolled with 1 and 10 passes with total thickness reduction of 89%. Heating was carried out for primary recrystallization with different heating rates of $25^{\circ}C/s$ and $24^{\circ}C/min$ until $720^{\circ}C$. The behavior of Goss-, {411}<148>-, and {111}<112>-oriented grains were analyzed using X-ray diffraction(XRD) and electron back-scatter diffraction(EBSD) analysis. The area fraction of Goss-oriented grains increased with the number of rolling passes during cold rolling; however, after the primary recrystallization, the area fraction of the Goss grains was higher and exact Goss grains were found in the specimens subjected to rapid heating after one rolling pass.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제20권4호
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• pp.81-85
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• 2013

웨이퍼 적층 기술은 반도체 전 후 공정을 이용한 효과적인 방법으로 향후 3D 적층 시스템의 주도적인 발전방향이라고 할 수 있다. 웨이퍼 레벨 3D 적층 시스템을 제조하기 위해서는 TSV (Through Si Via), 웨이퍼 본딩, 그리고 웨이퍼 thinning의 단위공정 개발 및 웨이퍼 warpage, 열적 기계적 신뢰성, 전력전달, 등 시스템적인 요소에 대한 연구개발이 동시에 진행되어야 한다. 본 연구에서는 웨이퍼 본딩에 가장 중요한 역할을 하는 Cu CMP (chemical mechanical polishing) 공정에 대한 특성 분석을 진행하였다. 8인치 Si 웨이퍼에 다마신 공정으로 Cu 범프 웨이퍼를 제작하였고, Cu CMP 공정과 oxide CMP 공정을 이용하여 본딩 층 평탄화에 미치는 영향을 살펴보았다. CMP 공정 후 Cu dishing은 약 $180{\AA}$이었고, 웨이퍼 표면부터 Cu 범프 표면까지의 최종 높이는 약 $2000{\AA}$이었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 추계학술대회 논문집
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• pp.123-127
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• 1992

MOS 커패시터가 이온화 방사선에 노출되었을 경우, MOS 커패시터의 방사선 조사 효과는 소자의 전기적 특성 및 동작 수명에 심각한 영향을 일으킬 수 있다. MOS 커패시터는 (100) 방향의 P-type Si wafer 위에 산화막층을 $O^2$+T.C.E. 분위기에서 성장하였으며, 그 두께는 40~80 nm로 만들었다. MOS 커패시터에 대한 방사선 조사는 $Co^{60}-{\gamma}$선을 사용하였고, 조사선량은 $10^4{\sim}10^8$으로 조사하였다. MOS 커패시터에서 전기적 전도 특성의 방사선 조사효과는 산화막 두께와 조사선량을 변화하면서 측정된 P-type MOS 커패시터는 조사선량에 의해서 강하게 영향을 받는다는 것과 저전계 영역에서의 Ohmic 전류가 전체 선량에 의존한다는 것을 알았다. 이 결과는 방사선 조사에 의해 산화막 트랩전하와 산화막-반도체($SiO_2$-Si)계면 트랩전하에 의해서 설명 할 수 있다.

• 멤브레인
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• 제27권2호
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• pp.182-188
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• 2017

본 연구에서는 고분자 전해질 연료전지(PEFC)의 전해질막의 화학적 안정성의 향상을 위하여 3-mercaptopropyl silica gel (3MPTSG)과 poly(arylene ether sulfone)(SPAES)을 이용하여 복합막을 제조하였다. 일반적으로 방향족 탄화수소계 고분자막은 전극 부분에서 발생한 라디컬에 의한 고분자 산화가 일어나 내구성이 감소하게 되는데 이는 대부분 주쇄에 포함된 에테르 기 부분의 취약성으로 발생한다. 본 연구에서는 이러한 라디칼에 의한 고분자 주쇄의 산화를 방지하기 위해 친수성의 무기물 입자를 도입하여 이온전도도 감소율을 최소화하고 산화안정성을 높이고자 하였다. 복합막들의 물성 및 전기화학적 특성을 평가하기 위해 접촉각, FT-IR, 이온전도도, 이온교환용량(IEC), 함수율, 열안정성 등을 수행하였다. 실리카의 함량이 0에서 0.5%까지 증가함에 따라 이온전도도 및 함수율은 각각 10% 감소한 0.076 S cm-1 및 16% 감소한 24.6 wt%이었으나, 산화안정성은 10% 향상되었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제58권1호
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• pp.1-20
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• 2020

화석 연료를 이용하는 에너지원이 심각한 환경오염을 일으키고, 인류의 건강한 삶에 큰 영향을 주어 청정한 에너지 자원의 개발은 매우 중요한 이슈가 되었다. 화석 연료를 대체하기 위한 다양한 에너지원의 개발이 진행되고 있으며, 그 중 최근에는 태양 전지에 대한 관심이 점차 커지고 있다. 현재 실용화 되어 있는 태양전지는 실리콘 기반 태양전지인데, 제조비용이 큰 단점이 부각되고 있으며 이에 따라 이의 단점을 개선하기 위한 노력과 동시에 실리콘 기반 태양전지를 대체하려는 시도가 이루어지고 있다. 이중 실리콘 기반 태양전지를 대체할 후보로 페로브스카이트 태양전지가 큰 관심을 받고 있는데, 그 이유는 높은 광전 변환 효율, 저렴한 제조비용, 유연한 형태로의 제조 가능성 때문이다. 그러나 현재 보고되고 있는 페로브스카이트 태양전지는 장기적 안정성이 떨어지며, 또 납으로 인해 신체에 유해하다는 큰 단점을 가지고 있다. 본 리뷰에서는 페로브스카이트 태양전지의 장기적 안정성을 높이는 방안들 그리고 환경적으로 유해한 납을 사용하지 않는 방안들의 최신 연구 방향 동향에 관하여 살펴보았다.

• 한국재료학회지
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• 제28권5호
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• pp.295-300
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• 2018

Effects of annealing temperature on the microstructure and mechanical properties through thickness of a Cu-3.0Ni-0.7Si alloy processed by differential speed rolling are investigated in detail. The copper alloy with a thickness of 3 mm is rolled to a 50 % reduction at ambient temperature without lubricant and subsequently annealed for 0.5 h at $200-900^{\circ}C$. The microstructure of the copper alloy after annealing is different in the thickness direction depending on the amount of the shear and compressive strain introduced by the rolling; the recrystallization occurs first in the upper roll side and center regions which are largely shear-deformed. The complete recrystallization occurs at an annealing temperature of $800^{\circ}C$. The grain size after the complete recrystallization is finer than that of the conventional rolling. The hardness distribution of the specimens annealed at $500-700^{\circ}C$ is not uniform in the thickness direction due to partial recrystallization. This ununiformity of hardness corresponds well to the amount of shear strain in the thickness direction. The average hardness and ultimate tensile strength has the maximum values of 250 Hv and 450 Mpa, respectively, in the specimen annealed at $400^{\circ}C$. It is considered that the complex mode of strain introduced by rolling directly affects the microstructure and the mechanical properties of the annealed specimens.

• 한국산림과학회지
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• 제102권2호
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• pp.292-299
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• 2013

본 연구의 목적은 단기소득임산물별 지역특화현황을 분석함으로써 임업경쟁력의 강화를 위한 단기소득임산물 활성화 방향을 제시하는 것이다. 분석결과, 밤은 공주시와 인접한 부여군, 청양군이 인접해있고 이들은 특화심화지역으로 분류되었다. 호두는 경북 김천시, 충북 영동군, 전북 무주군이 호두 재배면적 특화심화지역으로 서로 인접해 있다. 그 외 다른 특화심화지역들은 산발적으로 분포되어 있고, 이 지역들의 생산규모는 미약한 수준을 보이고 있다. 대추는 경산시를 중심으로 특화심화지역인 군위군, 청도군, 영천시가 서로 인접해 있으며, 이들 지역들의 대추생산량은 증가하는 추세이다. 떫은감은 상주시와 영동군이 인접해 있는 것을 제외하고 집단화되어 있지 않고 특화심화지역은 산발적으로 분포하고 있다.