• 한국산학기술학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.409-413
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• 2010

실리콘 기판에 GaN 에피성장을 확인하기 위해, P형 Si(100) 기판 전면에 버퍼층으로 10 nm 두께의 코발트실리사이드를 형성시켰다. 형성된 코발트실리사이드 층을 HF로 크리닝하고, PA-MBE (plasma assisted-molecular beam epitaxy)를 써서 저온에서 500 nm의 GaN를 성막하였다. 완성된 GaN은 광학현미경, 주사탐침현미경, TEM, HR-XRD를 활용하여 특성을 확인하였다. HF 크리닝을 하지 않은 경우에는 GaN 에피택시 성장이 진행되지 않았다. HF 크리닝을 실시한 경우에는 실리사이드 표면의 국부적인 에칭에 의해 GaN성장이 유리하여 모두 GaN $4\;{\mu}m$ 정도의 두께를 가진 에피택시 성장이 진행되었다. XRD로 GaN의 <0002> 방향의 결정성 (crsytallinity)을 $\omega$-scan으로 판단한 결과 Si(100) 기판의 경우 2.7도를 보여 기존의 사파이어 기판 정도로 우수할 가능성이 있었다. 나노급 코발트실리사이드를 버퍼로 채용하여 GaN의 에피성장이 가능할 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제9권2호
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• pp.99-101
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• 2000

Submicron aperture 제작 기술은 near field optical sensor 또는 liquid metal ion source에 응용될 수 있는 가능성으로 인해 흥미를 모으고 있다. 본 실험에서는 submicron aperture 제작에 대해 기술할 것이다. 먼저 2 $\mu\textrm{m}$크기의 dot array를 광학 리소그라피 방법으로 패턴화하였다. KOH 비등방성 식각 방법으로 V-groove형을 만든 후, $1000^{\circ}C$에서 600분동안 건식 산화작업을 거쳤다. 이 산화과정에서 결정 방향에 따라 산화율이 달라지게 되는데 Si(111)면은 Si(100)면에 비해 산화율이 커서 두꺼운 산화막이 형성되며, 이 막은 연이은 건식식각 과정에서 etch-mask로 활용된다. Reactive ion etching은 ICP (Inductively Coupled Plasma) 장비를 사용하였으며, V-groove의 바닥에 형성된 90nm두께의 SiO$_2$와 그 아래의 Si을 식각하였다. 이 때, 기판에 걸린 negative bias는 $Cl_2$ RIE의 anisotropic etchig 효과를 증대시키는 것 같았으며, SEM촬영 결과 식각 후에 Si(111)면 위에는 약 130 nm정도의 산화층이 잔류하고 있었다. 이렇게 형성된 Si aperture는 향후 NSOM sensor등에 적용될 수 있을 것이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.194-195
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• 2012

박막 실리콘 태양전지에 입사한 빛 중 흡수층인 진성 비정질 실리콘층(i-a-Si)에 흡수된 빛은 출력으로 변환되나, 기타의 층에서 흡수된 빛은 손실 성분이 된다. 이 중 흡수 손실이 큰 층은 도핑 층(p-a-SiC 및 n-a-Si)들인데, 이 들의 흡수 손실을 측정된 광학함수를 이용해 계산해 보면 Fig. 1과 같이 나타난다. p-a-SiC은 광 입사부에 위치하여 단파장 영역의 흡수 손실을 일으키고, n-a-Si 은 태양전지의 후면에 위치하여 장파장 영역의 흡수손실을 일으킨다. 이러한 도핑층에서의 흡수 손실을 제거 또는 개선하기 위해 도핑층의 재료를 기존 재료보다 광학적 밴드갭이 큰 재료로 대체하여 개선하는 방안에 대해 논하고자 한다. 금속 산화물의 밴드갭은 실리콘 화합물에 비하여 대체로 큰 값을 가지기 때문에 이를 기존의 실리콘 화합물 대신으로 사용한다면 광학적 흡수 손실을 효과적으로 줄일 수 있다. 단, 이때 태양전지의 광 전압을 결정하는 인자가 p층과 n층 사이의 일함수 차이에 해당하므로, p층의 대체층으로 사용 가능한 금속 산화물은 일함수가 큰(＞5 eV) 재료 중에서 선택하는 것이 적합하며, n층의 대체층으로 사용 가능한 금속 산화물은 일함수가 작은(＜ 4.2 eV) 재료 중에서 선택하는 것이 적합하다. Table 1에서 p층과 n층 대체용 금속산화물의 후보들을 정리하였다. 먼저 도핑층에서의 광 흡수가 광손실이 될 수 밖에 없는 물리적 근거에 대해서 논하고, 그 실험적인 증명을 제시한다. 이러한 개념을 바탕으로 도핑층의 내부 전기장의 방향을 제어하여 전자-정공쌍을 분리 수집하는 방법을 실험적으로 구현하였다. 이어서 금속 산화물을 부분적으로 대체하여 흡수 손실을 개선하는 방안을 제시한다. WOx, NiOx, N doped ZnO 등을 적용하여 그 효과를 비교 검토하였다. 끝으로 금속산화믈 대체 또는 쇼트키 접합을 적용하여 도핑층의 광 흡수를 줄이고 효율을 향상하는 방안을 제시한다. 그 사례로서 WOx, MoOx, LiF/Al의 적용결과를 살펴보고 추가 개선방안에 대해 토의할 것이다. 결론적으로 광학적 밴드갭이 큰 재료를 도핑층 대신 사용하여 흡수 손실을 줄이는 것이 가능하다는 것을 알 수 있고, 이 때 일함수 조건이 만족이 되면 광 전압의 손실도 최소화할 수 있다는 점을 확인할 수 있었다. 현재까지 연구의 한계와 문제점을 정리하고, 추가 연구에 의한 개선 가능성 및 실용화 개발과의 연관관계 등을 제시할 것이다.

• 한국재료학회지
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• 제28권2호
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• pp.113-117
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• 2018

Effects of annealing temperature on the microstructure and mechanical properties through thickness of a cold-rolled Cu-3.0Ni-0.7Si alloy were investigated in detail. The copper alloy with thickness of 3 mm was rolled to 50 % reduction at ambient temperature without lubricant and subsequently annealed for 0.5h at $200{\sim}900^{\circ}C$. The microstructure of the copper alloy after annealing was different in thickness direction depending on an amount of the shear and compressive strain introduced by rolling; the recrystallization occurred first in surface regions shear-deformed largely. The hardness distribution of the specimens annealed at $500{\sim}700^{\circ}C$ was not uniform in thickness direction due to partial recrystallization. This ununiformity of hardness corresponded well with an amount of shear strain in thickness direction. The average hardness and ultimate tensile strength showed the maximum values of 250Hv and 450MPa in specimen annealed at $400^{\circ}C$, respectively. It is considered that the complex mode of strain introduced by rolling effected directly on the microstructure and the mechanical properties of the annealed specimens.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2019년도 추계학술대회
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• pp.190-191
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• 2019

최근 신재생 에너지와 ESS와 같은 분산 전원의 사용이 점차 늘어나면서, 이들을 제어하는 전력 변환 장치에 대한 기대치는 점점 상승하고 있다. 특히 DC 1500V에 대한 요구 및 고 효율, 고 전력밀도에 대한 요구는 최근 Wide band gap 소자의 발전과 함께 산업계 전반에 주요한 이슈이다. 본 논문은 이러한 요구를 만족하기 위한 Hybrid ANPC의 설계를 논하도록 한다. 구성의 정합성을 확인하기 위해, 손실 분석이 진행될 것이며, 최근 SiC 모듈의 발전 방향인 Press-fit type의 설계에 맞춰 Power PCB 설계를 위한 모의 실험을 진행한다.

• 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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• 한국방송∙미디어공학회 2020년도 추계학술대회
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• pp.217-219
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• 2020

기존 초해상화 방법들은 주로 자연 영상에 대해서는 많이 다뤄져 왔지만 단조$로운 배경과 복잡한 문양, 질감을 가진 문화재 영상에 대해 적용한 사례가 많지 않다. 또한 대부분의 초해상화 기술은 현재 딥러닝을 적용하고 있지만 복잡도와 구현 난이도에서 상대적으로 수월한 비딥러닝 방법을 사용하여 4 배와 8 배로 초해상화를 실현하는 연구 또한 많지 않다. 본 연구에서는 선형 매핑을 이용한 SI (Super Interpolation)을 기반으로 하여 2 배까지 초해상화에 특화된 기존 연구를 문화재 영상에 대하여 4 배 및 8 배로 초해상화 하였다. 간단한 윤곽선 방향 분석 및 선형 매핑으로 4 배 초해상화에서는 PSNR 값을 0.44dB 가량 개선하였으며, 8 배 초해상화에서는 PSNR 값을 0.31dB 가량 개선하였다. 또한 결과 영상에서도 단순 보간법인 Bicubic Interpolation 보다 더욱 선명하고 질감을 잘 표현하는 것을 알 수 있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2021년도 추계학술대회
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• pp.159-160
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• 2021

우리 사회는 인공지능, 사물 인터넷, 자율주행, 공장 자동화 등 ICT 기술 기반의 4차 산업혁명과 함께 인구 고령화라는 큰 변화에 직면해있다. 더욱이 인구소멸위험 지수가 높은 지방자치단체에서는 고도화된 산업 자동화와 인구 고령화라는 변화에 대응하기 위해 지역 특성에 맞는 시장 확대 및 재교육 정책의 고려가 필수적이다. 고령자 재취업을 위해 노인 친화형 일자리를 발굴하고 고령친화 산업에 대한 투자 확대, 고령자를 많이 고용하는 기업의 작업환경 개선 정책에 대해 알아보고, 천안의 노인 노동시장의 실태와 개선방향에 중점을 두고 해결책을 모색하고자 한다.

• 대한기계학회논문집
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• 제12권2호
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• pp.308-318
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• 1988

본 연구에서는 가압된 액체를 가류실에 접선방향으로 도입하게 함으로써 선회운동에 의하여 미립화를 시키도록 스크류형의 선회분사 노즐을 설계제작하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.189-189
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• 2003

최근, Low-temperature Poly-Si(LTPS) TFT시장이 새롭게 형성됨에 따라 저온결정화 기술 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나, 기존의 저온결정화방법에 비해 수율이 높고 생산단가를 낮출 수 있으며 대 면적 프로세스 적용이 가능한 결정화공정개발이 시급히 필요한 실정이다. 본 연구에서는 TFT-LCD array를 구성하고 있는 데이터 라인과 ITO 공통 전극이 개별 트랜지스터의 소스와 드레인에 연결되어있다는 점에 착안하여, 전계를 이용한 방향성유도결정화법(Field Aided Lateral Crystallization)을 이에 적용하였으며 채널영 역의 균일한 결정화를 위하여 컨택홀의 모양에 변화를 주어 결정화 실험을 진행하였다. 이 방법은 간단한 공정(TFT-LCD way를 통한 전계 인가 및 열처리)으로 패널내의 모든 채널영 역을 균일하게 결정화할 수 있을 것으로 기대되는 방식이다.

• 한국콘텐츠학회:학술대회논문집
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• 한국콘텐츠학회 2007년도 추계 종합학술대회 논문집
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• pp.804-806
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• 2007

ZnO박막을 c-축 방향으로 실리콘(Si 100)기판 위에 rf 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착 하였고, 증착변수가 박막의 결정학적, 전기적 특성에 미치는 영향을 연구하였다. 기판온도 $200^{\circ}C$, rf전력이 150W, 산소:아르곤 가스의 비율이 50%:50%, 그리고 증착압력이 10mTorr의 조건에서 증착된 박막이 강한 c-축 성장과 우수한 결정성을 나타내었다. 증착변수의 변화에 의한 ZnO 박막의 전기비저항은 크게 영향을 받고 있었는데, 산소비율이 증가할수록, 기판온도가 감소할수록, 비저항이 증가하였다.