• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.11 no.2
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• pp.409-413
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• 2010

We fabricated 10 nm-thick cobalt silicide($CoSi_2$) as a buffer layer on a p-type Si(100) substrate to investigate the possibility of GaN epitaxial growth on $CoSi_2/Si(100)$ substrates. We deposited 500 nm-GaN on the cobalt silicide buffer layer at low temperature with a PA-MBE (plasma assisted-molecular beam epitaxy) after the $CoSi_2/Si$ substrates were cleaned by HF solution. An optical microscopy, AFM, TEM, and HR-XRD (high resolution X-ray diffractometer) were employed to determine the GaN epitaxy. For the GaN samples without HF cleaning, they showed no GaN epitaxial growth. For the GaN samples with HF cleaning, they showed $4\;{\mu}m$-thick GaN epitaxial growth due to surface etching of the silicide layers. Through XRD $\omega$-scan of GaN <0002> direction, we confirmed the cyrstallinity of GaN epitaxy is $2.7^{\circ}$ which is comparable with that of sapphire substrate. Our result implied that $CoSi_2/Si(100)$ substrate would be a good buffer and substrate for GaN epitaxial growth.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.2
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• pp.99-101
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• 2000

The fabrication of the submicron size hole has been interesting due to the potential application of the near field optical sensor or liquid metal ion source. The 2 micron size dot array was photolithographically patterned. After formation of the V-groove shape by anisotropic KOH etching, dry oxidation at $1000^{\circ}C$ for 600 minutes was followed. In this procedure, the orientation dependent oxide growth was performed to have an etch-mask for dry etching. The reactive ion etching by the inductively coupled plasma (ICP) system was performed in order to etch ~90 nm $SiO_2$ layer at the bottom of the V-groove and to etch the Si at the bottom. The negative ion energy would enhance the anisotropic etching by the $Cl_2$ gas. After etching, the remaining thickness of the oxide on the Si(111) surface was measured to be ~130 nm by scanning electron microscopy. The etched Si aperture can be used for NSOM sensor.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.194-195
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• 2012

박막 실리콘 태양전지에 입사한 빛 중 흡수층인 진성 비정질 실리콘층(i-a-Si)에 흡수된 빛은 출력으로 변환되나, 기타의 층에서 흡수된 빛은 손실 성분이 된다. 이 중 흡수 손실이 큰 층은 도핑 층(p-a-SiC 및 n-a-Si)들인데, 이 들의 흡수 손실을 측정된 광학함수를 이용해 계산해 보면 Fig. 1과 같이 나타난다. p-a-SiC은 광 입사부에 위치하여 단파장 영역의 흡수 손실을 일으키고, n-a-Si 은 태양전지의 후면에 위치하여 장파장 영역의 흡수손실을 일으킨다. 이러한 도핑층에서의 흡수 손실을 제거 또는 개선하기 위해 도핑층의 재료를 기존 재료보다 광학적 밴드갭이 큰 재료로 대체하여 개선하는 방안에 대해 논하고자 한다. 금속 산화물의 밴드갭은 실리콘 화합물에 비하여 대체로 큰 값을 가지기 때문에 이를 기존의 실리콘 화합물 대신으로 사용한다면 광학적 흡수 손실을 효과적으로 줄일 수 있다. 단, 이때 태양전지의 광 전압을 결정하는 인자가 p층과 n층 사이의 일함수 차이에 해당하므로, p층의 대체층으로 사용 가능한 금속 산화물은 일함수가 큰(＞5 eV) 재료 중에서 선택하는 것이 적합하며, n층의 대체층으로 사용 가능한 금속 산화물은 일함수가 작은(＜ 4.2 eV) 재료 중에서 선택하는 것이 적합하다. Table 1에서 p층과 n층 대체용 금속산화물의 후보들을 정리하였다. 먼저 도핑층에서의 광 흡수가 광손실이 될 수 밖에 없는 물리적 근거에 대해서 논하고, 그 실험적인 증명을 제시한다. 이러한 개념을 바탕으로 도핑층의 내부 전기장의 방향을 제어하여 전자-정공쌍을 분리 수집하는 방법을 실험적으로 구현하였다. 이어서 금속 산화물을 부분적으로 대체하여 흡수 손실을 개선하는 방안을 제시한다. WOx, NiOx, N doped ZnO 등을 적용하여 그 효과를 비교 검토하였다. 끝으로 금속산화믈 대체 또는 쇼트키 접합을 적용하여 도핑층의 광 흡수를 줄이고 효율을 향상하는 방안을 제시한다. 그 사례로서 WOx, MoOx, LiF/Al의 적용결과를 살펴보고 추가 개선방안에 대해 토의할 것이다. 결론적으로 광학적 밴드갭이 큰 재료를 도핑층 대신 사용하여 흡수 손실을 줄이는 것이 가능하다는 것을 알 수 있고, 이 때 일함수 조건이 만족이 되면 광 전압의 손실도 최소화할 수 있다는 점을 확인할 수 있었다. 현재까지 연구의 한계와 문제점을 정리하고, 추가 연구에 의한 개선 가능성 및 실용화 개발과의 연관관계 등을 제시할 것이다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.28 no.2
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• pp.113-117
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• 2018

Effects of annealing temperature on the microstructure and mechanical properties through thickness of a cold-rolled Cu-3.0Ni-0.7Si alloy were investigated in detail. The copper alloy with thickness of 3 mm was rolled to 50 % reduction at ambient temperature without lubricant and subsequently annealed for 0.5h at $200{\sim}900^{\circ}C$. The microstructure of the copper alloy after annealing was different in thickness direction depending on an amount of the shear and compressive strain introduced by rolling; the recrystallization occurred first in surface regions shear-deformed largely. The hardness distribution of the specimens annealed at $500{\sim}700^{\circ}C$ was not uniform in thickness direction due to partial recrystallization. This ununiformity of hardness corresponded well with an amount of shear strain in thickness direction. The average hardness and ultimate tensile strength showed the maximum values of 250Hv and 450MPa in specimen annealed at $400^{\circ}C$, respectively. It is considered that the complex mode of strain introduced by rolling effected directly on the microstructure and the mechanical properties of the annealed specimens.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.11a
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• pp.190-191
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• 2019

최근 신재생 에너지와 ESS와 같은 분산 전원의 사용이 점차 늘어나면서, 이들을 제어하는 전력 변환 장치에 대한 기대치는 점점 상승하고 있다. 특히 DC 1500V에 대한 요구 및 고 효율, 고 전력밀도에 대한 요구는 최근 Wide band gap 소자의 발전과 함께 산업계 전반에 주요한 이슈이다. 본 논문은 이러한 요구를 만족하기 위한 Hybrid ANPC의 설계를 논하도록 한다. 구성의 정합성을 확인하기 위해, 손실 분석이 진행될 것이며, 최근 SiC 모듈의 발전 방향인 Press-fit type의 설계에 맞춰 Power PCB 설계를 위한 모의 실험을 진행한다.

• Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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• 2020.11a
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• pp.217-219
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• 2020

기존 초해상화 방법들은 주로 자연 영상에 대해서는 많이 다뤄져 왔지만 단조$로운 배경과 복잡한 문양, 질감을 가진 문화재 영상에 대해 적용한 사례가 많지 않다. 또한 대부분의 초해상화 기술은 현재 딥러닝을 적용하고 있지만 복잡도와 구현 난이도에서 상대적으로 수월한 비딥러닝 방법을 사용하여 4 배와 8 배로 초해상화를 실현하는 연구 또한 많지 않다. 본 연구에서는 선형 매핑을 이용한 SI (Super Interpolation)을 기반으로 하여 2 배까지 초해상화에 특화된 기존 연구를 문화재 영상에 대하여 4 배 및 8 배로 초해상화 하였다. 간단한 윤곽선 방향 분석 및 선형 매핑으로 4 배 초해상화에서는 PSNR 값을 0.44dB 가량 개선하였으며, 8 배 초해상화에서는 PSNR 값을 0.31dB 가량 개선하였다. 또한 결과 영상에서도 단순 보간법인 Bicubic Interpolation 보다 더욱 선명하고 질감을 잘 표현하는 것을 알 수 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2021.10a
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• pp.159-160
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• 2021

We are facing major changes such as an aging population along with the 4th industrial revolution based on ICT technologies such as artificial intelligence, the Internet of Things, autonomous driving, and factory automation. For the local governments that are indexed in high population extinction risk, it is essential to consider market expansion and re-education policies suitable for regional characteristics in order to respond to changes such as advanced industrial automation and population aging. For the reemployment of the elderly, we will analyze previous public strategies for elderly-friendly jobs, expand investment in age-friendly industries. In this study, we suggest to improvement direction of the elderly labor market in Cheonan-Si.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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• v.12 no.2
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• pp.308-318
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• 1988

The liquid disintegration and characteristics of atomization through the swirl nozzle is affected by injection pressure and injection time when the liquid is injected intermittently. These transient phenomena are investigated by electronic controlled-fuel injection nozzle. The effect of injection conditions on disintegration of liquid injected through nozzle is observed photographically by using delay circuit. Droplet size of the element of the sample is measured by the liquid immersion sampling technique. SMD of droplets is varied with time and is decreased as the injection pressure increases. As the injection pressure increases, the maximum diameter of droplet and diameter of droplet which has the maximum droplet number decrease. Spray angle is not affected on injection pressure and change of spray angle with time is associated with needle movement.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.189-189
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• 2003

최근, Low-temperature Poly-Si(LTPS) TFT시장이 새롭게 형성됨에 따라 저온결정화 기술 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나, 기존의 저온결정화방법에 비해 수율이 높고 생산단가를 낮출 수 있으며 대 면적 프로세스 적용이 가능한 결정화공정개발이 시급히 필요한 실정이다. 본 연구에서는 TFT-LCD array를 구성하고 있는 데이터 라인과 ITO 공통 전극이 개별 트랜지스터의 소스와 드레인에 연결되어있다는 점에 착안하여, 전계를 이용한 방향성유도결정화법(Field Aided Lateral Crystallization)을 이에 적용하였으며 채널영 역의 균일한 결정화를 위하여 컨택홀의 모양에 변화를 주어 결정화 실험을 진행하였다. 이 방법은 간단한 공정(TFT-LCD way를 통한 전계 인가 및 열처리)으로 패널내의 모든 채널영 역을 균일하게 결정화할 수 있을 것으로 기대되는 방식이다.

• Proceedings of the Korea Contents Association Conference
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• 2007.11a
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• pp.804-806
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• 2007

C-axis oriented zinc oxide thin films were deposited on Si(100) substrate by rf magnetron sputtering. The effects of deposition parameters on the crystallinity and electrical properties of ZnO films were investigated. As-deposited ZnO films showed the strong c-axis growth andexcellent crystallinity under the deposition conditions as follows ; substrate temperaturec : $200^{\circ}C$, rf power : 150W, gas ratio : $O_2/Ar=50/50$, chamber pressure : 10mTorr. The resistivity of ZnO films was significantly affected by deposition parameters. With increasing percentage of oxygen, and decreasing substrate temperature, the resistivity of ZnO films increased.