• 한국결정성장학회지
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• 제6권4호
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• pp.552-557
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• 1996

소결조제로 2 wt % $Al_2O_3$와 6 wt% $Y_2O_3$를 첨가한 $Si_3N_4/20$ vol % SiC 초미립복합 재료의 고온가압소결 중의 미세구조 발현과정을 sintering interruption법으로 관찰하였다. 밀도는 $1500^{\circ}C$와 $1700^{\circ}C$ 사이에서 빠르게 증가하였으며, $1800^{\circ}C$ 에서 이론밀도에 가깝게 치밀화하였다. 질화규소의 상전이 속도는 $1700^{\circ}C$와 $1800^{\circ}C$에서 증가하였으며, 길게 자란 기지상결정립들이 나타났다. 작은 입경의 SiC는 치밀화속도와 기지상 상전이를 억제하는 효과를 보였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권6호
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• pp.558-562
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• 1999

승화 성장법을 적용하여 성장된 6H-SiC 결정에 대하여, KSV 이론과 성장 계면에서의 미사면(vicinal plane)상의 step 성장 양상을 근거로 하여, 성장 계면에서의 물질 흡착의 거동과 결함의 생성간의 상호 관계를 고찰하고, micropipes와 내부 결함의 생성 원인을 논하였다. micropipe와 면결함등의 결함들은 ledge 혹은 kink에 침입된 불순물에 의하여 step 성장의 진행이 방해받는 부분에 형성되었다. 따라서, SiC 결정에서 이들 결함의 생성은 SiC 결정 성장 계면에 형성되는 결정학적 step 성장면과 분자 또는 원자들의 격자 이동에 관련이 있음을 알 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권6호
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• pp.57-62
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• 1989

$TiSi_2$형성기구를 규명하기 위하여 Si기판에 As이온 주입량을 달리하여 이론주입한 후 Ti을 증착시키고 Ar 분위기에서 100$^{circ}$간격으로 600~900$^{circ}$까지 20초 동안 급속열처리 장치에서 어닐링하여 Tr-silicides를 형성시켰다. 각 시편의 Ti-silicides의 면저항 및 두께를 측정하고 Si기판내에서의 어닐링에 따른 As첨가물의 분포를 관찰하였다. Tr-silicides의 두께는 이온주입량이 증가함에 따라 감소하였고 면 저항값은 증가하였다. 이러한 결과를 Si확산에 관련된 요인들과 관련지어 논의하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1989년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.127-130
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• 1989

This paper reports the theoretical model and the experimental results regarding to the electrical conductivity of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The total effective conductance of a-Si:H with a planar structure has been considered as the sum of the conductance of an adsorbate-induced layer, a surface-interface layer, a bulk layer, and a substrate-interface layer. In order to investigate the effects of space charge layers in a-Si:H on the conductivity, the thickness dependence of the conductivity is characterized and the conductivities measured at the upper electrodes deposited on a-Si:H are compared with those measured at the lower electrodes deposited on the glass substrate. From our analysis, the bulk conductivity and the thickness of the space charge layer in a-Si:H are characterized quantitatively.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권6호
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• pp.51-55
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• 1984

다결정 반도체의 전도모델로써 grain boundary와 표면에서 일어나는 band-bending을 가정하였다. 이 가정에 경계면에서 일어나는 트랩핑을 고려한 새로운 박막 트랜지스터의 전도이론을 제시하였다. S1O2를 절연체로 사용한 CdSe 박막 트랜지스터를 제조하고 그 특성을 측정하였다. 이때 CdSe는열 증착하였으며 SiO2는 고주파 스펏터링 하였다. 이론으로 구한 박막 트랜지스터의 출력곡선과 측정에 의한 실험치를 비교 및 검토하였다.

• 한국철학논집
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• 제59호
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• pp.343-370
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• 2018

정시한은 72세에 "사칠변증"을 완성하고 이후에 제자 이식과 인물성동 이논변을 벌인다. 정시한의 입장은 인물성이론의 입장이었고 이식은 인물 성동론의 입장이었다. 그러나 인물성동이논변은 잊혀지고 "사칠변증"이 인정받을 수 있었던 이유는 당시에 퇴계학파와 율곡학파가 대립점에 있었고 서로가 서로의 입장을 비판하였기 때문에 가능하였다. "사칠변증"을 완성하게 되는 데에는 이현일의 "율곡이씨논사단칠정서변"의 영향이 컸던 것으로 생각된다. 이이의 사단과 칠정에 대한 생각은 '칠정이 사단을 포함한다.'라는 '혼륜(渾淪)의 입장'이었고, 이황은 사단과 칠정은 서로 다르게 해석할 수밖에 없다는 '분개(分開)의 입장'이었다. 정시한은 분개의 입장에서 혼륜의 입장을 비판하는 입장에 있었다. "사칠변증"을 통해 정시한은 무엇을 추구하려고 하였는가? 이러한 사실은 우리가 정시한이 제자 이식과 벌였던 인물성동이논변을 잊게 하는 경향이 있다. 우리는 현재 정시한의 "사칠변증"에서 이이를 비판한 사실은 알지만 정시한이 인물성동이논변을 벌였다는 사실에 대해서는 별로 신경 쓰지 않는다. 중요한 논쟁이었음에도 불구하고 왜 "사칠변증"이 우리의 기억 속에 남아 있는 것일까? 그것은 정시한이 희망했던 희망하지 않았던 것과 상관없이 정시한 이후에 사단칠정논쟁을 정리하는 과정에서 이익과 신후담, 정약용에게까지 "사칠변증"이 영향을 준 것이기 때문일 것이다.

• 한국재료학회지
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• 제6권3호
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• pp.309-317
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• 1996

세가지 다른 방법을 이용하여 형성시킨 비정질 실리콘(SiH4 a-Si, Si2H6 a-Si, Si+ implanted SiH4 a-Si)들에 대한 저온 결정화 기구의 차이를 고전적 이론인 Avrami 식(X=1-exptn, X=결정화 분율, t=열처리 시간, n=지수)을 이용하여 검토하였다. Silane으로 형성된 비정질 실리콘의 결정화 과정에서는 Avrami 식에서의 n의 값이 2.0을 나타내고 있어, 결정성장이 이차원적으로 이루어지면서 핵생성률이 시간에 따라 감소하고 있음을 알 수가 있었다. Si+ 이온 주입에 의하여 형성된 비정질 실리콘의 결정화에서는 3.0의 지수 값이 얻어지고 있어, 정상상태의 핵생성과 함께 2차원적인 결정 성장이 이루어지고 있었다. Disilane으로 형성된 비정질 실리콘에 대한 결정화에서는 2.8의 지수값이 얻어져, 정상상태의 핵 생성이 우세하게 일어나는 2차원적인 결정성장이 일어나고 있음을 알 수 있었다. 또한 TEM을 이용하여 시간에 따라 변하는 핵생성률을 조사하여, Avrami 식의 적용이 타당성 있음을 증명하였다. 마지막으로, 최종 입자의 크기가 열처리 온도에 크게 영향을 받고 있지 않음을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.186.2-186.2
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• 2014

최근 친환경 에너지에 대한 관심이 증폭되면서 리튬이차전지에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 음극(anode) 물질의 경우 기존의 흑연(graphite)보다 이론적 용량이 약 10배 이상 높은 실리콘(Silicon)에 대한 관심이 매우 높다. 하지만 Si의 경우 리튬 충전거동 시 400% 이상의 부피팽창으로 몇 번의 충전/방전 싸이클(cycle)에 전극이 파괴되는 문제점을 지니고 있다. 이를 극복하기 위해 Si 나노선이 고려되고 있다. 우수한 전극특성을 갖는 Si 소재를 개발하기 위해서는 원자단위에서 Si 나노선의 리튬 충전 메커니즘을 살펴보는 것이 매우 중요하다. 하지만 기존의 시뮬레이션 기법으로는 Si 나노선의 볼륨팽창에 관한 메커니즘과 리튬 충전과정에서의 상변화(결정질에서 비정질) 과정을 설명하기는 기술적으로 매우 힘들다. 고전적인 분자동역학 방법의 경우 실제 나노스케일을 고려할 수 있지만, empirical potential로는 원자들간의 화학반응을 제대로 묘사할 수 없다. 한편 양자역학에 기반을 둔 제일원리방법의 경우 계산의 복잡성으로 현재의 컴퓨터 환경에서는 나노스케일에서 원자들의 동역학적인 거동을 연구하기 매우 힘들다. 우리는 이러한 문제를 해결하기 위해 실제 나노스케일에서 원자간 화학반응을 예측할 수 있는 Si-Li 시스템의 Reactive force field를 개발하였고, 분자동역학 계산방법을 이용하여 Si 나노선의 Li 충전 메커니즘을 규명하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권4호
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• pp.368-375
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• 2000

Fracture toughness of particulate composites of Al2O3/SiC, Al2O3/ZrO2 and Al2O3/ZrO2/SiC was analysed theoretically. According to the suggested particle bridging model for obtaining the R-curve height, the crack extension resistance for the long crack was linearly proportional to the residual calmping stress at the interface between the second phase and the matrix. It was also a function of the particle size and the content. It was confirmed that the rising R-curve behavior of Al2O3 containing 30 vol% SiC particles of 3${\mu}{\textrm}{m}$ was owing to the strong crack bridging by SiC particles. For Al2O3/ZrO2/SiC composites, the tensional stress from the 3${\mu}{\textrm}{m}$ SiC particles was large enough to activate the spontaneous transformation of the ZrO2. The crack extension resistance due to the particle bridging mechanism did not seem to be affected much by the coupled toughening, but its resultant toughness increase could be significantly smaller due to the dependency on the matrix toughness.

• 한국전자거래학회지
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• 제17권3호
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• pp.105-116
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• 2012

SI 산업에서 SI 프로젝트 개발 수행 작업의 80% 이상을 차지하는 외주 협력업체와의 협력관계 향상은 생산성 향상과 원가절감을 위한 SI 업체의 핵심과제에 위치하고 있으며, 이러한 인식을 바탕으로 대형 SI 업체들을 중심으로 우수 협력업체 육성, 협력 및 상생 관계 강화에 집중하고 있다. 그러나, 기존 SI 산업의 협력업체 관리는 협력업체 선정, 평가 반영 과정에서 객관적인 시스템 및 정보공유, 의사소통 등의 부족으로 장기적 협력관계의 단계로 나아가지 못하고 있는 실정이다. 본 연구는 SI 업체와 외주 협력업체와의 협력관계 향상을 통한 생산성 증진을 도모하기 위해 협력관계이론에 기반한 새로운 전략적 파트너십의 성공요소를 제시하고, 이를 바탕으로 협력 업체 평가 및 관리모델을 제시하였다. 또한 이 모델을 실제 대표적인 SI 업체인 A사의 평가 시스템으로 활용하여 신규 프레임워크 모델의 적용가능성을 타진하였다.