The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.52
no.7
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pp.288-292
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2003
AlM thin film has been deposited on A1$_2$O$_3$ substrate by reactive radio frequency(RF) magnetron sputtering method under various operating conditions such as working pressure, fraction of nitrogen partial pressure, and substrate temperature. Scanning Electron Microscope(SEM), X-ray Diffraction(XRD), and Atomic Force Microscope(AFM) have been measured to find out structural properties and preferred orientation of AlN thin films. SAW velocity of IDTs/AlN/Si structure was about 5038[㎧] at the center frequency of 251.9[MHz] and insertion loss was measured to be relatively low value of 35.6[dB]. SAW velocity of IDTs/AlN/A1$_2$O$_3$ structure was improved to be about 5960[㎧] at the center frequency of 296.7[MHz].
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.7
no.8
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pp.1767-1775
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2003
The SAW device is extensively used as a electro$.$mechanical bandpass filter in which a twopairs of interdigital transducers are provided over the surface of the piezoelectric substrate. For the design requirement, the central frequency and the bandwidth of the passband, and the attenuation level of the stopband region are specified. The configuration is made so as to satisfy the specification given. The central frequency is mainly determined by the distance between the pair of the finger electrodes. The design is considered as an optimization problem with which the error norm, the distance between the desired characteristics and the calculated for a given model is to be minimized. The delta function model and the electrical equivalent circuit model are utilized to represent the SAW filter characteristics. Genetic algorithm is used for optimization in which apodization of the transducer fingers is chosen as a design variable.
The Rayleigh wave propagation is considered in the structure of the functionally graded piezoelectric material (FGPM) layer over the elastic substrate. The elastic substrate loosely bonds the layer through a corrugated interface, whereas its upper boundary is also corrugated but stress-free. Additionally, the solutions for the FGPM layer and substrate are derived using the fundamental variable separable approach to convert the partial differential equation to an ordinary differential equation. The results with boundary conditions lead to dispersion relations for the electrically open and electrically short cases in the determinant form. The outcomes have been numerically analyzed using a specific model. The findings were presented in the form of graphs, which were created using Mathematica 7. Graphs are plotted for variations in wavenumber and phase velocity. The outcomes may help measure interface defects and design Surface Acoustic Wave (SAW) devices.
In this study, in using a piezoelectric material of $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-PbTiO_3$ (PMN-PT), which has a high electromechanical coupling coefficient, we have tried to study about this material can be practically available as a new biosensor to detect protein by using surface acoustic wave (SAW). As the results, the filtering of the center frequency of the PMN-PT substrate is a superior result to that of the $LiTaO_3$ (LT) substrate, but the result was not completely satisfactory. Also this study attempts to develop a sensing method to detect mismatched DNA in order to diagnose cancer. We could directly immobilize the MutS to the NTA using the EDC solution. But, we immobilized MutS using nickel and it is judged that is more effective method to detect mismatched DNA.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.273-273
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2008
This paper describes the frequency response of two-port surface acoustic wave (SAW) resonator made of 002-polycrystalline aluminum nitride (AlN) thin film on 111-poly 3C-SiC buffer layer. In there, Polycrystalline AlN thin films were deposited on polycrystalline 3C-SiC buffer layer by pulsed reactive magnetron sputtering system, the polycrystalline 3C-SiC was grown on $SiO_2$/Si sample by CVD. The obtained results such as the temperature coefficient of frequency (TCF) of the device is about from 15.9 to 18.5 ppm/$^{\circ}C$, the change in resonance frequency is approximately linear (30-$150^{\circ}C$), which resonance frequency of AlN/3C-SiC structure has high temperature stability. The characteristics of AlN thin films grown on 3C-SiC buffer layer are also evaluated by using the XRD, and AFM images.
Conventional SAW duplexer filters employ a 1/4 wavelength transmission line, which causes difficulty in fabrication of the strip line on the package. Its manufacturing process is also complicated, because it needs integrating process of the separate transmitting filter, receiving filter and isolation circuits. This paper concerns development of a new structure of the duplexer filter that has all the transmitting filter, the receiving filter and the isolation circuit as a one chip device. For composition of the duplexer, we design the component SAW ladder filters and the isolation network consisting of lumped inductor and capacitor elements. Performance of the whole duplexer is optimized by the nonlinear multivariable minimization of a proper target function, and the result is compared with that of commercial filters.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.16
no.1
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pp.13-19
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2009
A 440MHz wireless and passive surface acoustic wave (SAW) based chemical sensor was developed on a $41^{\circ}YX\;LiNbO_3$ piezoelectric substrate for simultaneous measurement of $CO_2$ gas and relative humidity (RH) using a reflective delay line pattern as the sensor element. The reflective delay line is composed of an interdigital transducer (IDT) and several shorted grating reflectors. A Teflon AF 2400 and a hydrophilic $SiO_2$ layer were used as $CO_2$ and water vapor sensitive films. The coupling of mode (COM) modeling was conducted to determine optimal device parameters prior to fabrication. According to simulation results, the device was fabricated and then wirelessly measured using the network analyzer. The measured reflective coefficient $S_{11}$ in the time domain showed high signal/noise (S/N) ratio, small signal attenuation, and few spurious peaks. In the $CO_2$ and humidity testing, high sensitivity ($2^{\circ}/ppm$ for $CO_2$ detection and $7.45^{\circ}/%$RH for humidity sensing), good linearity and repeatability were observed in the $CO_2$ concentration ranges of $75{\sim}375ppm$ and humidity levels of $20{\sim}80%$RH. Temperature and humidity compensations were also investigated during the sensitivity evaluation process.
Sung, Hyung Jin;Ha, Byunghang;Park, Jinsoo;Destgeer, Ghulam;Jung, Jin Ho
Journal of the Korean Society of Visualization
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v.14
no.1
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pp.57-61
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2016
We report a finding of fast(exceeding 2,000 K/s) heating of polydimethylsiloxane(PDMS), one of the most commonly-used microchannel materials, under cyclic loadings at high(~MHz) frequencies. A microheater was created based on the finding. The heating mechanism utilized vibration damping of sound waves, which were generated and precisely manipulated using a conventional surface acoustic wave(SAW) microfluidic system, in PDMS. The penetration depths were measured to range from $210{\mu}m$ to $1290{\mu}m$, enough to cover most microchannel heights in microfluidic systems. The energy conversion efficiency was SAW frequency-dependent and measured to be the highest at around 30 MHz. Independent actuation of each interdigital transducer(IDT) enabled independent manipulation of SAWs, permitting spatiotemporal control of temperature on the microchip. All the advantages of this microheater facilitated a two-step continuous flow polymerase chain reaction(CFPCR) to achieve the billion-fold amplification of a 134 bp DNA amplicon in less than 3 min. In addition, a technique was developed for establishing dynamic free-form temperature gradients(TGs) in PDMS as well as in gases in contact with the PDMS.
MSK waveforms are advantageous from the point of view of reduced interchannel interference. MSK waveform, however, is more difficult to generate than PSK due to its complex pulse shape. A SAW filter is ideally suited for generation of MSK waveform because it provides accurate control of the required impulse responese and linear phase at high frequncies. In this paper, an implementation of SAW based PSK-MSK convert filter, which can easily convert the high frequency PSK waveform to MSK, is studied.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.29
no.9
s.240
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pp.1276-1281
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2005
Compound semiconductors are the semiconductors composed of more than two chemical elements. Lithium Tantalate$K_I$ wafer is used for several optical devices, especially surface acoustic wave(SAW) device. Because of the lithography in SAW device process, $LiTaO_3$ polishing is needed. In this paper, the commercial slurries $(NALC02371^{TM},\; ILD1300^{TM},\;ceria slurry)$ used for chemical mechanical polishing(CMP) were tested, and the most suitable slurry was selected by measuring material removal rate and average centerline roughness$(R_a)$. From these result, it was proven that $ILD1300^{TM}$ was the most suitable slurry for $LiTaO_3$ wafer CMP due to the chemical reaction between solution in slurry and material.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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