• 한국IT서비스학회:학술대회논문집
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• 한국IT서비스학회 2008년도 추계학술대회
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• pp.258-261
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• 2008

칩의 초소형화, 태그의 초저가화를 위한 Chipless RFID 기술은 핵심쟁점인 1센트 이하의 상용화 실현까지는 아직 시간과 투자가 더 필요하다. 중소태그업체에서 Chipless 기술의 일종인 표면탄성파(SAW: Surface Acoustic Wave)를 이용하는 RFID 태그의 연구개발과 전략상품화가 시급하고 관련 상세정보의 획득과 전략수립이 필수적인 상황이다. 이에 특정 중소기업의 SAW RFID태그 제품개발 및 시장진입전략, 태그기술 발전을 위해 개발 및 시장정보, 특허정보를 분석 연구한 사례를 제시한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.325-331
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• 2002

In this paper, surface acoustic wave(SAW) bandpass filters using slanted finger interdigital electrode transducers(IDTs) are investigated. The slanted finger IDTs are used to design SAW filters with good shape factor, a flat passband, and good out-of-band rejection characteristic. For the filter design, input-output IDT structure was simulated with modified impulse model; uniform-withdrawal weighting IDTs, withdrawal-withdrawal weighting IDTs. SAW filters of uniform-withdrawal weighting IDTs structure were designed and fabricated on $128^{\circ}LiNbO_3$ piezoelectric substrates. Implemented SAW filter has a fractional bandwidth of 30%, center frequency of 70MHz and shape factor of $1.12\pm0.01$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.13-16
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• 2009

In this study, AlN thin films were deposited on a polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layer for surface acoustic wave (SAW) applications using a pulsed reactive magnetron sputtering system. AFM, XRD and FT-IR were used to analyze structural properties and preferred orientation of the AlN/3C-SiC thin film. Suitability of the film in SAW applications was investigated by comparing the SAW characteristics of an interdigital transducer (IDT)/AlN/3C-SiC structure with the IDT/AIN/Si structure at 160 MHz in the temperature range $30-150^{\circ}C$. These experimental results showed that AlN films on the poly 3C-SiC layer were highly (002) oriented. Furthermore, the film showed improved temperature stability for the SAW device, $TCF\;=\;-18\;ppm//^{\circ}C$. The change in resonance frequency according to temperature was nearly linear. The insertion loss decrease was about $0.033dB/^{\circ}C$. However, some defects existed in the film, which caused a slight reduction in SAW velocity.

• 한국식품과학회지
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• 제35권5호
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• pp.994-997
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• 2003

약초 천궁의 원산지를 판별하기 위하여 SAW 친서가 내장된 GC로 구축된 시스템을 이용하여 휘발성 성분을 분석하였다. 사용된 시료는 별도의 전처리 과정 없이 분석되어, 30초 이내에 얻어진 크로마토그램을 $VaporPrint^{TM}$ 이미지 소프트웨어를 사용하여 패턴화하였으며 패턴인식을 통하여 비교한 결과, 수입산 천궁과 국내산 천궁의 패턴이 뚜렷하게 차이를 나타냄으로 원산지 판별을 할 수 있었다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2009년도 동계학술발표회 논문집
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• pp.459-460
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• 2009

In this study, surface structure and near-field distribution of a surface acoustic wave filter were measured with both reflection mode and collection mode near-field scanning optical microscopes, and there results were compared with each other.

• 비파괴검사학회지
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• 제32권4호
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• pp.393-400
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• 2012

최근 나노 박막은 MEMS/NEMS, 광학 코팅, 반도체 산업 등 다양한 분야에서 사용이 되고 있다. 박막은 마모, 침식, 부식, 고온 산화를 방지하기 위한 목적으로 사용될 뿐 아니라 특성화된 자기, 유전적 특성을 만들기 위한 목적으로 사용된다. 많은 연구자들이 이러한 박막 구조의 특성(밀도, 입자 크기, 탄성 특성, 필름/기지 계면의 특성)을 평가하기 위하여 많은 연구를 진행하고 있다. 이들 중에 박막과 기지 사이의 접합 특성을 평가하는 것이 많은 연구자들의 주 관심사가 되어 왔다. 본 연구에서는 나노 박막의 접합 특성을 평가하기 위하여 각기 다른 접합 특성을 가지는 폴리머 박막 시험편을 제작하였다. 제작된 시험편의 접합 특성을 측정하기 위하여 초음파현미경의 V(z) 곡선법을 이용하여 표면파의 속도를 측정하였다. 또한 계면을 포함하는 시험편의 표면을 전파하는 표면파의 속도와 접합력의 상관관계를 확인하기 위해 나노 스크래치 시험을 적용하였다. 그 결과 초음파현미경을 이용하여 측정된 표면파의 속도와 나노스크래치 시험을 이용한 임계하중이 일치하는 경향성을 나타내었다. 결론적으로 초음파현미경의 V(z) 곡선법은 나노 스케일 박막 계면에서의 접합 상태를 평가할 수 있는 기법으로 그 가능성을 나타내었다.

• 한국식품과학회지
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• 제35권1호
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• pp.144-148
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• 2003

약초 당귀의 원산지를 판별하기 위하여 SAW 센서가 내장된 GC로 구축된 시스템을 이용하여 휘발성 성분을 분석하였다. 사용된 시료는 별도의 전처리 과정 없이 분석되어, 30초 이내에 얻어진 hertz 값(Frequency)과 이를 미분하여 표현한 크로마토그램을 $VaporPrint^{TM}$ 이미지 소프트웨어를 사용하여 패턴화하였으며 패턴인식을 통하여 비교한 결과, 수입산 당귀와 국내산 당귀의 패턴이 뚜렷하게 차이를 나타냄으로 원산지 판별을 할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.252-252
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• 2009

In this work, the nanocrystalline ZnO/polycrystalline (poly) aluminum nitride (AlN)/Si structure was fabricated for humidity sensor applications based on surface acoustic wave (SAW). In this structure, the ZnO film was used as sensing material layer. These ZnO and AlN(0002) were deposited by so-gel process and a pulse reactive magnetron sputtering, respectively. These experimental results showed that the obtained SAW velocity on AlN film was about 5128 m/s at $h/\lambda$=0.0125 (h and $\lambda$ is thickness and wavelength, respectively). For ZnO sensing layers coated on AlN, films have hexagonal wurtzite structure and nanometer particle size. The crystalline size of ZnO films annealed at 400, 500, and 600 $^{\circ}C$ is 10.2, 29.1, and 38 nm, respectively. Surface of the film exhibits spongy which can adsorb steam in the air. The best quality of the ZnO film was obtained with annealing temperature at 500 $^{\circ}Cis$. The change in frequency response (127.9~127.85 MHz) of the SAW humidity sensor based on ZnO/AlN structure was measured along the change in humidity (41~69%). The structural properties of thin films wereinvestigated by XRD and SEM.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제51권9호
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• pp.417-422
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• 2002

ZnO thin films were deposited on various substrates, such as Si-(111), SiO$_2$(5000 $\AA$ by thermal CVD)/Si-(100), and SiO$_2$(2000 $\AA$ by RF sputtering)/Si-(100). The (002)-orientation, surface morphology and roughness, and electrical resistivity of deposited films were measured and compared in terms of substrate. Surface acoustic wave(SAW) filters with a multilayered configuration of IDT/ZnO/SiO$_2$/Si were also fabricated and the IDT was obtained using a lift-off method. From the frequency-response characteristics of fabricated devices, the insertion loss and side-lobe rejection were estimated. The experimental results showed that the (002)-oriented growth nature of ZnO films, which played a crucial role of determining the characteristic of SAW device, was strong1y dependent upon the SiO$_2$buffer.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.245-248
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• 2001

In this paper, we have investigated the design technique and fabricated the surface acoustic wave (SAW) filter for duplexer, which consists of Tx. and Rx. filter, and antenna terminal. For Tx. and Rx. bandpass filters we used the one-port SAW resonators with n-section ladder structure. The structure is composed of couples of series-arm resonators and parallel-arm resonators. RF filter using ladder structure was designed and fabricated on 36$^{\circ}$Y-X LiTaO$_3$ substrates. Designed filters, insertion loss is less than 1.5dB, the bandwidth is more than 25MHz, rejection band level is less than -30dB and center frequency is 820MHz.