The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.56
no.10
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pp.1786-1790
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2007
The $(SrCa)TiO_3(SCT)$ thin films are deposited on Pt-coated electrode ($Pt/TiN/SiO_2/Si$) using RF sputtering method at various deposition temperature. The dielectric constant of SCT thin films were increased with the increase of deposition temperature, and changed almost linearly in temperature ranges of $-80{\sim}+90[^{\circ}C]$. Also, SCT thin films was observed the phenomena of dielectric relaxation with the increase of frequency, and the relaxation frequency was observed above 200[kHz]. V-I characteristics of SCT thin films show the increasing leakage current with the increases of deposition temperature. The conduction mechanism of the SCT thin films observed in the temperature range of $25{\sim}100[^{\circ}C]$ can be divided into three characteristic regions with different mechanism by the increasing current. The region 1 below 0.8[MV/cm] shows the ohmic conduction. The region 2 can be explained by the Child's law, and the region 3 is dominated by the tunneling effect.
The ($Sr_{1-x}Ca_{x})Ti_{3}$(SCT) thin film are deposited on Pt-coated electrode (Pt/TiN/$SiO_{2}$/Si) using RF sputtering method. The maximum dielectric constant of SCT thin film is obtained by annealing at 600[$^{\circ}C$]. The temperature properties of the dielectric loss have a value within 0.02 in temperature lunges of -80 $\∼$ +90[$^{\circ}C$]). The capacitance characteristics had a stable value within ${\pm}4\%$. The drastic decrease of dielectric constant and increase of dielectric loss in SCT thin films is observed above 200[kHz).
21 normal Korean native speakers participated as subjects to investigate the acoustic and aerodynamic study of Korean fricatives and affricates and to make good use of the results for the patients with articulation problems. Their productions of [sa], [s'a], [ca], [$c^{h}a$], [c'a], [asa], [as'a], [aca], [$ac^{h}a$], and [ac'a] were analyzed with CSL and AP II instruments. The results are as followings: (1) Fricatives showed higher frequency in minimum and maximum frequency and longer duration than affricates. (2) Fricatives showed higher peak flow rate and longer rise time than affricates. (3) When we compared the different phonemes with each other, their differences were usually statistically significant, but when we compared CV and VCV syllables, they did not show significant difference, even VCV's showed higher and longer values than CV syllables. (4) Normaly, lax fricatives and affricates showed lower frequency and higher peak flow rate, shorter frication duration, and longer rise time.
To determine the effect of tenascin on forming periodontal pocket and pseudopocket, the ginival tissues were surgically obtained from the patients with adult periodontitis(10) and non-inflammatory phenytoin-associated gingival hyperplasia(5). The excised tissue specimens were fixed in neutral formalin for $6{\sim}24$ hours, embedded with paraffin, sectioned at 4-6m in thickness, mounted on glass slides coated with 3-aminopropyltriethoxysilane(Sigma Chemical Co., St. Louis, MO, U.SA.) and immunohistochemically processed by Avidin-Biotin peroxidase complex method for the localization of tenascin, using monoclonal mouse anti-human tenascin antiboday(Chemicon-International Inc., Temecula, CA, U.S.A., 1: 5,000) as the primary antibody. Regardless of periodontal pocket and pseudopocket, tenascin was localized along the connective tissue subjacent to basement membrane of gingival epithelium, and strong positive reactivity was obviously noted in the papillary projections of gingival connective tissue. The results suggest that tenascin may affect the development of papillary projections and the proliferation of epithelial cells.
Kim, Deok-Kyu;Kim, Kyoung-Min;Kim, Jin-Sa;Park, Choon-Bae
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.11a
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pp.59-60
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2005
The characteristics of GaN epitaxial layers grown on silicon (111) substrates by metalorganic vapor phase epitaxy have been investigated. The only control of AIN thickness was found to decrease the stress sufficiently for avoiding crack formation in an overgrown thick ($2.6{\mu}m$) CaN layer. X-ray diffraction measurementsare used to determine the effect of AIN thickness on the strain in the subsequent GaN layers. The 437arcsec linewidth on the (002) x-ray rocking curve also attest the high crystalline quality of GaN on Si (111).
Long-slit spectra, covering the wavelength range 4050~5150$\AA$, have been used to investigate the radial behavior of absorption line features (G4300, Fe4383, Ca4455, Fe4531, Fe4668, and H$\beta$) along the major and minor axes of the bulge of M104. The heliocentric recession velocity of M104 has been derived as 1260$\pm$190${kms}^{-1}$. The strength of a number of metal absorption lines is decreasing with increasing radius, and the minor axis shows much steeper radial line gradients than the major axis. Line index of H$\beta$ has an opposite trend to other metal lines, i.e., increasing outward. The results in this paper imply that the properties of absorption line index distribution in M104 bulge have in many aspects similar trends to those of elliptical galaxies.
The (SrCa)$TiO_3$(SCT) thin films were deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiN/$SiO_2$/Si) using RF sputtering method according to the deposition condition. The crystallinity of SCT thin films were increased with increase of deposition temperature in the temperature range of $100{\sim}500[^{\circ}C]$. The optimum conditions of RF power and Ar/$O_2$ ratio were 140[W] and 80/20, respectively. Deposition rate of SCT thin films was about $18.75[{\AA}/min]$ at the optimum condition. The composition of SCT thin films deposited on Si substrate is close to stoichiometry (1.081 in A/B ratio). The maximum dielectric constant of SCT thin film was obtained by annealing at $600[^{\circ}C]$.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.55
no.12
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pp.576-580
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2006
The $(Sr_{0.85}Ca_{0.15})TiO_3(SCT)$ thin films were deposited on Pt-coated electrode $(Pt/TiN/SiO_2/Si)$ using RF sputtering method according to the deposition condition. The crystallinity of SCT thin films were increased with increase of deposition temperature in the temperature range of $100{\sim}500[^{\circ}C]$. The optimum conditions of RF power and $Ar/O_2$ ratio were 140[W] and 80/20, respectively. Deposition rate of SCT thin films was about $18.75[{\AA}/min]$ at the optimum condition. The composition of SCT thin films deposited on Si substrate is close to stoichiometry (1.102 in A/B ratio). The maximum dielectric constant of SCT thin film as obtained by annealing at $600^{\circ}C$.
Kim, Wha-Jung;Kim, Sung-Tae;Park, Sung-Jin;Ghim, Sa-Youl;Chun, Woo-Young
Journal of the Korea Concrete Institute
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v.21
no.4
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pp.501-511
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2009
This study was conducted to develop self-healing ability of concrete so that inspection could be available even in the event of minute cracks without complex works at any time for more economic concrete structure maintenance and longevity. A completely different method has been carried out in comparison with many of similar researches on self-healing concrete. This is a basic study on the development of self-healing concrete using microbial biomineralization. Compounds were generated except for cells by precipitation reaction of CaC$O_3$ during the microbial metabolism and we examined the use as a binder that hardens the surface of sand using biomineralization that Sporosarcina pasteurii precipitates CaC$O_3$. In result, the formation of new mineral and hardening of sand surface could be verified partly, and it was available for cracks to be repaired by calcite with organic (microorganism) and inorganic (CaC$O_3$) complex structure through the basic experiment a little bit. Therefore the use of biomineralization by this sort of microbial metabolism for concrete structure helps to develop absolute repair-concrete like this concrete with microorganism. The effect of microbial application will be one of the most important research tasks having influence on not only repair for concrete structure but also development of new materials able to reduce environmental problems.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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