• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.141-142
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• 2008

Single crystal $ZnIn_2S_4$ layers were grown on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate at $450^{\circ}C$ with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating $ZnIn_2S_4$ source at $610^{\circ}C$. The temperature dependence of the energy band gap of the $ZnIn_2S_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g$(T) = 2.9514eV - ($7.24\times10^{-4}$ eV/K)$T^2$/(T + 489 K). After the as-grown $ZnIn_2S_4$ single crystal thin films was annealed in Zn-, S-, and In-atmospheres, the origin of point defects of $ZnIn_2S_4$ single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10 K. The native defects of $V_{Zn}$, $V_s$, $Zn_{int}$, and $S_{int}$, obtained by PL measurements were classified as a donors or acceptors type. And we concluded that the heat-treatment in the S-atmosphere converted $ZnIn_2S_4$ single crystal thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that In in $ZnIn_2S_4$/GaAs did not form the native defects because In in $ZnIn_2S_4$ single crystal thin films existed in the form of stable bonds.

• 한국재료학회지
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• 제18권6호
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• pp.318-325
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• 2008

Single crystal $ZnIn_2S_4$ layers were grown on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate at $450^{\circ}C$ with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating $ZnIn_2S_4$ source at $610^{\circ}C$. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence (PL) and double crystal X-ray rocking curve (DCRC). The temperature dependence of the energy band gap of the $ZnIn_2S_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=2.9514\;eV-(7.24{\times}10^{-4}\;eV/K)T^2/(T＋489\;K)$. After the as-grown $ZnIn_2S_4$ single crystal thin films were annealed in Zn-, S-, and In-atmospheres, the origin of point defects of $ZnIn_2S_4$ single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence (PL) at 10 K. The native defects of $V_{Zn}$, $V_S$, $Zn_{int}$, and $S_{int}$ obtained by PL measurements were classified as a donors or acceptors type. And we concluded that the heat-treatment in the S-atmosphere converted $ZnIn_2S_4$ single crystal thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that In in $ZnIn_2S_4$/GaAs did not form the native defects because In in $ZnIn_2S_4$ single crystal thin films existed in the form of stable bonds.

• Childhood Kidney Diseases
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• 제3권1호
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• pp.27-34
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• 1999

목 적 : 가능한 교란인자들, 즉 연령, 단백뇨, 스테로이드 사용 등의 영향이 배제된 조건에서 소아의 신증후군, 또는 그 중의 어떤 특성이 혈청이나 요의 용해성 인터루킨-2수용체 (sIL-2R)에 영향을 주는지를 알기 위해 이 연구를 시행하였다. 방 법 : 소아의 일차성 신증후군 중 임상적 혹은 병리소견으로 미세변화형 신증후군으로 진단되거나 병리소견상 초점성 분절성 사구체경화증으로 진단된 환아를 대상으로 이들을 연령 (0-l세, 2-4세, 5세 이상), 단백뇨 및 스테로이드 사용 여부 (PU+Tx-, PU+Tx+, PU-Tx+, PU-Tx-)로 구분하였다. 이들과 대조군의 혈청, 요에서 ELISA법으로 각각 sIL-2R를 정량하고, 요에서는 크레아티닌치도 측정하였다. 각 군의 혈청 sIL-2R치와 요 sIL-2R/크레아티닌 비를 계산하여 비교하였다. 결 과 : 혈청 sIL-2R는 환자와 대조군에서 도두 연령이 어릴수록 높았고, 신증후군에서 대조군보다 높지 않았다. 환자군 중에서 재발한 경우에는 높고 스테로이드 투여 시에는 낮은 경향을 보였다. 요 sIL-2R/크레아티닌 비는 특히 단백뇨가 있을 때 연령이 어릴수록 높았고 (P=0.01), 혈청 치와 마찬가지로 재발과 스테로이드의 영향을 받았다. 혈청 sIL-2R치와 요 sIL-2R/크레아티닌 비는 신 병리소견, 스테로이드 반응도에 따른 차이를 보이지 않았다 (P>0.05). 결 론 : 혈청 sIL-2R치는 연령에 따른 차이가 크고, 신증후군에서 대조군에 비해 높지 않았으나, 재발상태의 환자는 완해 상태의 환자보다 높았고, 스테로이드를 투여할 때에 낮았다. 요 sIL-2R/크레아티닌 비는 특히 단백뇨가 있을 때 혈청 sIL-2R치를 잘 반영하였다.

• 대한수학회보
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• 제32권2호
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• pp.271-279
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• 1995

In 1986, Fabry, Mawhin and Nkashama [1] have considered periodic solutios for Lienard equation $$ (1_s) x" + f(x)x' + g(t,x) = s, $$ where s is a real parameter, f and g are continuous functions, and g is $2\pi$-periodic in t and have proved that if $$ (H) lim_{$\mid$x$\mid$\to\infty} g(t,x) = \infty uniformly in t \in [0,2\pi], $$ there exists $s_1 \in R$ such that $(1_s)$ has no $2\pi$periodic solution if $s< s_1$, and at least one $2\pi$-periodic solution if $s = s_1$, and at least two $2\pi$-periodic solutions if $s > s_1$.s_1$.

• 대한환경공학회지
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• 제38권6호
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• pp.317-322
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• 2016

PFOS sodium salt ($C_8F_{17}SO_3Na$)는 28일 동안 미생물에 의한 분해가 이루어지지 않은 반면 4종의 대체물질($C_{25}F_{17}H_{32}S_3O_{13}Na_3$, $C_{15}F_9H_{21}S_2O_8Na_2$, $C_{23}F_{18}H_{28}S_2O_8Na_2$, $C_{17}F_9H_{25}S_2O_8Na_2$)은 각각 21.6%, 20.5%, 15.8% 그리고 6.4% 분해가 이루어졌다. Daphnia magna를 이용하여 48시간 동안 수행한 물벼룩급성독성시험에서 sodium salt ($C_8F_{17}SO_3Na$)의 반수영향농도($EC_{50}$)는 54.5 mg/L 인 것으로 확인된 반면 4종의 대체물질은 500.0 mg/L에서 아무런 영향이 나타나지 않았다. 500.0 mg/L에서 PFOS sodium salt($C_8F_{17}SO_3Na$)의 표면장력은 46.2 mN/m이었으며 대체물질 4종의 표면장력은 모두 PFOS sodium salt 보다 우수한 것으로 확인되었다. $C_{23}F_{18}H_{28}S_2O_8Na_2$ (20.9 mN/m)는 가장 낮은 표면장력을 갖고 있었다. 그 다음은 $C_{15}F_9H_{21}S_2O_8Na_2$ (23.4 mN/m), $C_{17}F_9H_{25}S_2O_8Na_2$ (27.3 mN/m) 그리고 $C_{25}F_{17}H_{32}S_3O_{13}Na_3$ (28.2 mN/m) 순인 것으로 확인되었다. 미생물분해시험, 물벼룩급성독성시험 그리고 표면장력측정 결과를 종합해 보면 4종의 PFOS 대체물질($C_{25}F_{17}H_{32}S_3O_{13}Na_3$, $C_{15}F_9H_{21}S_2O_8Na_2$, $C_{23}F_{18}H_{28}S_2O_8Na_2$, $C_{17}F_9H_{25}S_2O_8Na_2$)은 모두 PFOS sodium salt ($C_8F_{17}SO_3Na$) 보다 우수한 것으로 확인되었으며 특히 3종의 대체물질($C_{15}F_9H_{21}S_2O_8Na_2$, $C_{23}F_{18}H_{28}S_2O_8Na_2$, $C_{25}F_{17}H_{32}S_3O_{13}Na_3$)은 미생물분해율이 15.8~21.6%로 상대적으로 높고, 물벼룩급성독성과 표면장력측정이 PFOS sodium salt 보다 상당히 우수하다. 그러므로 이들 4종의 대체물질은 PFOS 대체물질로 활용이 가능할 것으로 판단된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제22권2호
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• pp.58-62
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• 1985

2.5~40$mu extrm{m}$ 영역에서 $As_2S_3$ 및 $GeS_{2.1}$ 유리의 적외선흡수에 관하여 연구했다. Lucovsky와 그의 연구팀이 제창훈 분자 모델에 의하면 8-20$\mu\textrm{m}$ 영역에서 위의 유리물질의 multiphonon 흡수대는 고립된 각 분자의 기본진동대의 overtone 및 combination과 같다. Lucovsky와 Galeener는 이이론에 입각하여 network 구조를 갖는 유리가 적외선 및 라만 스펙트럼에서 나타나는 multiphonon combination 과 overtone 진동수를 예언하는 실험적 선택룰을 제안했다 우리가 얻은 As2S3 및 GeS2.1 유리의 적외선 스펙트럼은 이 유리에 대해 적용한 위의 실험법칙과 잘 일치한다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제4권2호
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• pp.5-15
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• 1993

Hydrogen production in visible light with the following semiconductor systems, $CdS-WO_3$, $CdS-TiO_2$, have been investigated in the presence of redox catalyst (Pt, $RuO_2$). MeOH, EtOH, isopropanol, sulfide/sulfite mixture, lactic acid were used as sacrifical reagents. The optimal condition for $H_2$ evolution was found to be in qgueous lactic acid media for $CdS-WO_3/RuO_2$. The photochemical efficiency for this system was 1.05 % and the $H_2$ evolution rate was 26.5ml/min. at $6.07{\times}10^{-5}$ einstein/sec photon rate

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제14권6호
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• pp.678-681
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• 1993

The new ternary phase $UP_2S_6$ has been prepared and structurally characterized. The compound is isostructural with $ZrP_2S_6$ and $ThP_2S_6$ but is different from $TiP_2S_6$. The structure has been determined by a single crystal X-ray diffraction technique. $UP_2S_6$ crystallizes in the the tetragonal system $({C^2}_{4h}-P4_2/m,\;a=6.797(7)\;{\AA},\;c=9.738(12)\;{\AA})$ with two formula units in the unit cell. The structure can be described in terms of $U^{4+}$ and ${P_2S_6}^{4-}$ ions. This hexathiohypodiphosphate anion $({P_2S_6}^{4-})$ has ideally staggered conformation. The $U^{4+}$ cation is coordinated by 8 sulfur atoms in a slightly distorted dodecahedral geometry (42m). The distribution of sulfur atoms is very well optimized for this geometry.

• 센서학회지
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• 제3권1호
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• pp.78-82
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• 1994

Single-phase $CuInS_{2}$ 박막을 제작하고 열처리에 따른 특성을 분석하였다. 박막제작은 S, In 및 Cu를 차례로 적층시킨 다음 질소분위기에서 열처리를 하여 Chalcopyrite 구조인 $CuInS_{2}$ 박막으로 전환시켰다. 제작된 박막은 p-형이었고 저항률은$0.03{\sim}0.007{\Omega}cm$였으며, Hall 이동도는 $0.07{\sim}0.1cm^{2}V^{-1}S^{-1}$ 그리고 Hall 농도는 $10^{20-21}cm^{-3}$이었다.

• 대한수학회지
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• 제55권2호
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• pp.373-390
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• 2018

In this paper we study the small-data scattering of the d dimensional fractional $Schr{\ddot{o}}dinger$ equations with d = 2, 3, $L{\acute{e}}vy$ index 1 < ${\alpha}$ < 2 and Hartree type nonlinearity $F(u)={\mu}({\mid}x{\mid}^{-{\gamma}}{\ast}{\mid}u{\mid}^2)u$ with max(${\alpha}$, ${\frac{2d}{2d-1}}$) < ${\gamma}{\leq}2$, ${\gamma}$ < d. This equation is scaling-critical in ${\dot{H}}^{s_c}$, $s_c={\frac{{\gamma}-{\alpha}}{2}}$. We show that the solution scatters in $H^{s,1}$ for any s > $s_c$, where $H^{s,1}$ is a space of Sobolev type taking in angular regularity with norm defined by ${\parallel}{\varphi}{\parallel}_{H^{s,1}}={\parallel}{\varphi}{\parallel}_{H^s}+{\parallel}{\nabla}_{{\mathbb{S}}{\varphi}}{\parallel}_{H^s}$. For this purpose we use the recently developed Strichartz estimate which is $L^2$-averaged on the unit sphere ${\mathbb{S}}^{d-1}$ and utilize $U^p-V^p$ space argument.