• 한국정보통신학회논문지
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• 제18권3호
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• pp.651-656
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• 2014

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널도핑 변화에 따른 문턱전압이하 스윙의 변화를 분석하였다. 문턱전압이하 스윙은 문턱전압이하 영역에서 발생하는 차단전류의 감소정도를 나타내는 요소로서 디지털회로 적용에 매우 중요한 역할을 한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 스윙을 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 대칭 이중게이트 MOSFET와 달리 상하단 게이트의 산화막 두께 및 인가전압을 다르게 제작할 수 있다. 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 농도변화 및 게이트 산화막 두께 그리고 인가전압 등이 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향을 관찰하였다. 특히 포아송방정식을 풀 때 도핑분포함수로 가우스분포함수를 이용하였으며 가우스분포함수의 파라미터인 이온주입범위 및 분포편차에 대한 문턱전압이하 스윙의 변화를 관찰하였다. 분석결과, 문턱전압이하 스윙은 도핑농도 및 분포함수에 따라 크게 변화하였으며 게이트 산화막 두께 및 인가전압에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.1066-1069
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• 2004

This paper shows the characteristic of diffraction efficiency on film of amorphous AsGeSeS according to Ag doping. We compare amorhous AsGeSeS with the characteristics of AsGeSeS/Ag (10nm) and AsGeSeS/Ag (20m). We made film such as $\lambda$, $\lambda/2$, $\lambda/4$, $\lambda/8on$ the basis of 633nm, which is wavelength of recording laser(He-Ne). The highest diffraction efficiency on AsGeSeS film is $\lambda/4$, followed by $\lambda/2$, $\lambda$, $\lambda/8$. In the case of Ag 10nm, it is followed by $\lambda/4$, $\lambda/2$, $\lambda$, $\lambda/8$. On the occasion of Ag 20nm, it seems that the highest is $\lambda/2$, followed by $\lambda$, $\lambda/4$, $\lambda/8$. In other words, it appears that the highest point on AsGeSeS(158nm) single layer is 0.09%, the one of AsGeSeS(158nm)/Ag(10nm) is 1.6%, and the point of AsGeSeS(316nm)/Ag(20nm) is3.2%. Comparing the highest point in each case, we conclude that there is a distinctive increase in diffraction efficiency according the effect on Ag doping.

• 한국체육학회지인문사회과학편
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• 제54권5호
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• pp.581-592
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• 2015

이 연구는 스포츠에서의 공정성과 권력이 어떻게 형성되고 변화하였는지에 대한 역사적 고찰을 통해서 스포츠에서 공정성에 위배되는 도핑과 승부조작에 대한 문제점들을 인간 욕망의 산물인 권력과의 관계에 대하여 탐구하였다. 첫째, 도핑과 권력의 탐구이다. 도핑의 역사는 스포츠의 역사처럼 오래전부터 존재하였다. 선수들의 약물복용은 자의든 타의든 간에 권력과의 관계를 형성하였는데, 그 중 승리에 따른 부와 명예 그리고 기득권에 대한 유혹과 갈망은 개인, 사회, 국가에 이르기까지 다양하고 폭넓게 자행되었다. 특히 힘의 표현이 냉전시대에서 스포츠에 투영되어 잘 반영되었으며, 이 당시의 잘못된 사고와 관행들이 아직도 도핑과 반도핑의 관계에 대한 본질을 흐리게 하고 있다. 둘째, 승부조작과 권력의 탐구이다. 승부조작 또한 도핑처럼 스포츠의 역사에서 항상 존재해왔다. 스포츠와 공정성의 관계에서 승부조작은 인위적인 결과를 결정하는 것으로 끝나는 것이 아니라 스포츠 도박이나 다른 범죄로 연결되어 문제가 되며, 이는 다시 스포츠로 영향을 미쳐 악순환의 연속이 되게 한다. 이러한 승부조작의 이유에는 권력의 요소인 자본의 형성과 이익을 위한다는 명확한 원인이 형성되어 있어 공정한 스포츠를 더욱 위협하고 있다. 이처럼 스포츠의 공정성과 권력의 관계에서 도핑과 승부조작은 역사적으로 매우 의미가 있으며, 더 많은 연구와 논의가 필요하다. 스포츠의 물질적 가치에 매몰되어 도핑과 승부조작이 아무렇지 않게 용인하거나 묵인되면서 권력의 요소들에 의해서 스포츠 파이만을 키우기만 한다면 마냥 스포츠의 미래가 밝다고만 장담할 수 없다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제22권6호
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• pp.58-62
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• 1985

이온 주입된 소형 MOSFET소자에 대한 해석적 문턱 전압 모델이 유도되었다. 일정한 도우핑 농도를 갖는 MOSFET에 적용되는 Yau 모델을 implanted channel구조와 bird's beat구조의 MOSFET에 대하여 적합한 형태로 수정하여 short channel 현상과 narrow width 현상을 정량적으로 설명하였다. Channel영역의 불순물 분포를 SUPREM 결과에서 2-step profile로 근사시켜 문턱 전압의 short channel model을 제안하였다. Weighting factor를 사용하여 bird's beat 영역의 불순물 분포를 고려함으로써 narrow width 현상을 성공적으로 설명하였다.

• 한국환경독성학회:학술대회논문집
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• 한국환경독성학회 1996년도 제19회정기학술대회(The 19th Symposium of the Korean Society of Environmental Toxicology)
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• pp.65-65
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• 1996

• 한국환경독성학회:학술대회논문집
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• 한국환경독성학회 1996년도 제19회정기학술대회(The 19th Symposium of the Korean Society of Environmental Toxicology)
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• pp.66-66
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• 1996

• 한국환경독성학회:학술대회논문집
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• 한국환경독성학회 1996년도 제19회정기학술대회(The 19th Symposium of the Korean Society of Environmental Toxicology)
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• pp.67-67
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• 1996

• 한국환경독성학회:학술대회논문집
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• 한국환경독성학회 1996년도 제19회정기학술대회(The 19th Symposium of the Korean Society of Environmental Toxicology)
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• pp.68-68
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• 1996

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제9권3호
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• pp.310-314
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• 2011

This paper has presented doping profile dependent threshold voltage for DGMOSFET using analytical transport model based on Gaussian function. Two dimensional analytical transport model has been derived from Poisson's equation for symmetrical Double Gate MOSFETs(DGMOSFETs). Threshold voltage roll-off is very important short channel effects(SCEs) for nano structures since it determines turn on/off of MOSFETs. Threshold voltage has to be constant with decrease of channel length, but it shows roll-off due to SCEs. This analytical transport model is used to obtain the dependence of threshold voltage on channel doping profile for DGMOSFET profiles. Also we have analyzed threshold voltage for structure of channel such as channel length and gate oxide thickness.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.647-647
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• 2013

We apply a density functional theory (DFT) and DFT-based non-equilibrium Green's function approach to study the structures, energetics and charge transport characteristics of nitrogen-doped graphene and graphene nanoribbons (GNRs) with additional doping of phosphorus or boron atoms. Considering graphitic, pyridinic, and porphrin-like N doping sites and increasing N-doping concentration, we analyze the structures of N-P and N-B doped graphene and particularly focus on how they affect the charge transport along the lateral direction. For the GNRs, we also consider the differences between defects formed at the edge and bulk regions. Implications of our findings in the context of electronic and energy device applications will be also discussed.