• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.369.2-369.2
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• 2014

Diamond-like Carbon(DLC) films doping Si were deposited by linear ion source(LIS)-physical vapor deposition method on Si wafer. We have studied the effects of Si content on friction and wear properties of DLC films and the characteristics of the films were investigated using Nano-indentation, Micro raman spectroscopy, Field Emission-Scanning Electron Microscope (FM-SEM) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). The films has been various low-friction and low-stress by varying the flow rates of silane gas. Under the about 2% of Si doping is very suitable for improving the adhesion of films and reducing internal stress while maintaining the surfaces hardness of DLC films. Linear ion source (LIS)를 사용하여 Si wafer위에 Si 이온이 첨가된 DLC 박막을 증착하였다. 참가된Si 이온의 양에 따라 DLC 박막에 미치는 영향을 분석하기 위하여 마찰 계수 및 경도를 비교하였고, Micro raman spectroscopy, Field Emission-Scanning Electron Microscope (FM-SEM) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)를 통하여 표면 상태를 분석하였다. 천체 주입된 가스량의 약 2%까지 Si 이온 주입이 늘어날수록 DLC 박막의 마찰계수는 낮아졌고, 경도는 Si 이온이 주입되지 않았을 경우와 비슷한 값(약 20~23 GPa)을 가졌다. 2% 이상의 주입량에서는 마찰계수는 주입량이 늘어날수록 높아졌으며 경도는 떨어지는 경향을 보였다. 이는 Si이온이 2%이하로 첨가되었을 경우, DLC 박막의 생성시 탄소 이온들의 결합 Stress를 줄여 마찰계수가 줄어든다고 볼 수 있으며, 그 양이 2%이상이 되면 오히려 불순물로 작용하여 DLC 박막의 Stress는 급격히 증가하고 마찰계수도 높아짐을 알 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.382.1-382.1
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• 2014

Graphene field-effect transistors (GFET) is one of candidates for future high speed electronic devices since graphene has unique electronic properties such as high Fermi velocity (vf=10^6 m/s) and carrier mobility ($15,000cm^2/V{\cdot}s$) [1]. Although the contact property between graphene and metals is a crucial element to design high performance electronic devices, it has not been clearly identified. Therefore, we need to understand characteristics of graphene/metal contact in the GFET. Recently, it is theoretically known that graphene on metal can be doped by presence of interface dipole layer induced by charge transfer [2]. It notes that doping type of graphene under metal is determined by difference of work function between graphene and metal. In this study, we present the GFET fabricated by contact metals having high work function (Pt, Ni) for p-doping and low work function (Ta, Cr) for n-doping. The results show that asymmetric conductance depends on work function of metal because the interfacial dipole is locally formed between metal electrodes and graphene. It induces p-n-p or n-p-n junction in the channel of the GFET when gate bias is applied. In addition, we confirm that charge transfer regions are differently affected by gate electric field along gate length.

• Macromolecular Research
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• 제17권1호
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• pp.31-36
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• 2009

Highly transparent, thin polythiophene (PT) films were successfully synthesized by the plasma polymerization of thiophene. These films were doped with $O_2$ plasma by in-situ doping technique. The plasma polymerized PT films were deposited at about 50 to 340 nm/min, depending on the temperature and plasma power. A resultant transparency as high as 85% was achieved. The plasma polymerized PT films exhibited the characteristics of an insulator or semiconductor ($10^{10{\sim}12}{\Omega}/{\Box}$, $10^{-7}S/cm$). The conductivity was immediately increased up to $10{\Omega}/{\Box}$ and $10^{-2}S/cm$, when doped with $O_2$ plasma. The plasma-doped PT films exhibited an increased surface roughness resulting in a decreased contact angle. However, the thickness of the PT layer was partially decomposed and/or etched with increasing voltage above 40 W.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.553-556
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• 1999

This paper presents a proper condition to achieve above 19 % conversion efficiency using PC1D simulator. Cast poly-Si wafers with resistivity of 1 $\Omega$-cm and thickness of 250 ${\mu}{\textrm}{m}$ were used as a starting material. Various efficiency influencing parameters such as rear surface recombination velocity and minority carrier diffusion length in the base region, front surface recombination velocity, junction depth and doping concentration in the Emitter layer, BSF thickness and doping concentration were investigated. Optimized cell parameters were given as rear surface recombination of 1000 cm/s, minority carrier diffusion length in the base region 200 ${\mu}{\textrm}{m}$, front surface recombination velocity 100 cnt/s, sheet resistivity of emitter layer 100 $\Omega$/$\square$, BSF thickness 5 ${\mu}{\textrm}{m}$, doping concentration 5$\times$10$^{19}$ cm$^3$ . Among the investigated variables, we learn that a diffusion length of base layer acts as a key factor to achieve conversion efficiency higher than 19 %. Further details of simulation parameters and their effects to cell characteristics are discussed in this paper.

• Progress in Superconductivity
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• 제14권1호
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• pp.34-38
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• 2012

The effect of graphene inclusion in the ex-situ $MgB_2$ was analyzed with the help of resistivity behavior and critical current density studies. Amount of graphene was systematically varied from 0% for pristine sample to 3% by the weight of $MgB_2$. Graphene that is considered as a good source of carbon was found to be intact without any significant carbon doping in $MgB_2$ structure as reveled by XRD measurements. There was no signature of graphene inclusion as far as the superconducting transition is concerned which remained same at 39 K for all the samples. The transition width being sensitive to defect doping remained more or less about 2 K for all the samples showing no variation due to doping. Although there was no change in the superconducting transition or transition width, the graphene doped sample showed noticeable decrease in the overall resistivity behavior with respect to decrease in temperature. The graphene inclusion acted as effective pinning centers which have enhanced the upper critical field of these samples.

• Journal of Magnetics
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• 제16권1호
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• pp.15-18
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• 2011

We have studied the $TiO_2$ doping effects on the flux pinning behavior of an $MgB_2$ superconductor synthesized by the in-situ solid-state reaction. From the field-cooled and zero-field-cooled temperature dependences of magnetization, the reversible-irreversible transition of $TiO_2$-doped $MgB_2$ was determined in the H-T diagram (the temperature dependence of upper critical magnetic field and irreversibility line). For comparison, the similar measurements are also obtained from SiC-doped $MgB_2$. The critical current density was estimated from the width of hysteresis loops in the framework of Bean's model at different temperatures. The obtained results manifest that nano-scale $TiO_2$ inclusions served as effective pinning centers and lead to the enhanced upper critical field and critical current density. It was concluded that the grain boundary pinning mechanism was realized in a $TiO_2$-doped $MgB_2$ superconductor.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권3호
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• pp.138-143
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• 2002

본 연구에서는 용액합성법(solution synthesis technique)에 의해 ZnS : Cu nano 입자를 합성하였고, 결정구조 및 입자형상 등의 구조적 특성과, 광흡수/투과 특성, 에너지밴드갭, 그리고 photoluminescence(PL) 여기 및 발광 특성 등의 광학적 특성을 분석하였다. 일반적인 용액상태의 화학적 합성 방법과는 달리 합성온도를 $80^{\circ}C$로하였으며, sulfur의 precursor로 thiourea를 채택하여 Cu 도핑의 용이성을 구현하였다. 합성된 undoped ZnS 와 ZnS : Cu nano 입자는 모두 cubic 구조를 가졌으며 구형입자로 합성되었고, 광흡수단의 위치도 모두 ~305 nm에 나타나서 양자사이즈효과가 발생하였음을 알 수 있었다. PL 발광강도와 반가폭은 Cu 도핑농도가 0.03M 일 때 각각 최고치와 최저치를 나타냈는데, 이와 같이 용액합성법에 의해 합성된 ZnS : Cu 에서 Cu 의 농도변화에 따른 PL 스펙트럼의 강도와 반가폭의 변화는 본 연구에서 최초로 보고되는 것이다. 광흡수단 측정 및 PL 여기 실험결과, 본 연구의 주된 발광피크인 ~510 nm 발광밴드는 Cu에 의해 에너지밴드갭 내에 형성된 발광재결합센터를 통한 것임을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권10호
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• pp.2403-2408
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• 2013

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET에 대한 차단전류를 분석하기 위하여 도핑분포함수에 따라 상단과 하단게이트에 의한 전류분포를 분석할 것이다. 분석을 위하여 실험치에 유사한 결과를 얻을 수 있도록 채널도핑농도의 분포함수로써 가우시안함수를 사용하여 유도한 포아송방정식의 이차원 해석학적 전위모델을 이용하여 차단전류를 분석하였다. 특히 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트산화막 두께 및 채널도핑농도 등을 파라미터로 하여 가우스함수의 이온주입범위 및 분포편차의 변화에 대한 차단전류의 변화를 분석하였다. 분석결과 차단전류는 소자파라미터에 의한 상하단 전류의 변화에 따라 커다란 변화를 보이고 있었으며 특히 채널도핑함수인 가우시안 함수의 형태에 따라서도 큰 변화를 보이고 있다는 것을 관찰할 수 있었다.

• 한국응용약물학회:학술대회논문집
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• 한국응용약물학회 1996년도 춘계학술대회
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• pp.243-243
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• 1996

백금착물 항암제 후보물질로서 합성된 KBP31705-Cl27, KBP30603-901을 기존 화합물인 cisplatin 및 carboplatin과 pharmacokinetic profile을 비교 검토하였다. 웅성 Sprague-Dawley rat을 sodium pentobarbital 마취하에서 방광 및 대퇴동맥과 정맥에 polyethylene tubing을 사용하여 catheterization시켰다. Urine 배출이 안정화되었을 때 대퇴정맥내로 cisplatin과 KBP31705-Cl27은 2 mg/kg, carboplatin과 KBP 30603-901은 20mg/kg 용량으로 주사한 후 2, 4, 6, 8, 10, 15, 20, 30, 45, 60, 120 분에 대퇴동맥으로부터 혈액을 채취하였으며 urine은 약물투여 후 1시간 간격으로 4시간동안 채취하였다. Plasma와 urine중의 platinum농도는 inductively coupled plasma-mass spectrometer를 사용하여 측정하였고, pharmacokinetic parameters는 non-linear least square computer Program인 PCNONLIN을 이용하여 산출되었다. 혈중 platinum농도와 시간의 관계에서 KBP31705-Cl27은 cisplatin과 비교하여 alpha-phase에서 혈중 농도는 낮지만 비슷한 양상을 나타내었고, beta-phase에서는 비교적 느리게 소실됨을 보였다. Urine으로 4시간동안 배출된 platinum양은 각각 투여량의 52, 56%로서 두 약물에서 비슷하였다. 또한 KBP30603-901은 carboplatin과 비교하여 alpha-phase는 거의 비슷한 패턴을 나타내었으나, beta-phase는 훨씬 느리게 감소하여 반감기가 길다는 것을 보여 주었으며 또한 이것은 urine으로 4시간동안 배출된 platinum양이 KBP30603-901의 경우 투여량의 46%로서 carboplatin의 59%보다 적게 배출된다는 data와도 일관됨을 보여주었다. 이상의 결과로 볼 때 KBP30603-901이 다른 백금착물 항암제보다 체내에 머무르는 시간이 길어 혈중에서 보다 오랜 시간동안 머물러 높은 유효농도를 유지할 수 있을 것으로 사료된다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권4호
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• pp.25-30
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• 2000

금속 유도 측면 결정화에 의한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제작에서 이온 질량 주입이 MILC 속도 및 거동에 미치는 영향을 분석하였다. 비정질 실리콘에 도펀트를 주입하거나 이온충돌을 가하면 MILC의 속도가 50% 이상 감소하고 MILC선단이 불균일 해졌다. IMD에 따른 비정질 실리콘 박막의 성질 변화를 분석하기 위하여 자외선 반사도 및 표면 거칠기를 관찰하였고, 이온 충돌에 의한 표면 거칠기의 증가가 MILC 속도 감소와 균일도에 영향을 주는 것으로 나타났다.