• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 추계학술발표회
• /
• pp.68-68
• /
• 1997

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.863-865
• /
• 2001

In this study, RuO$_2$thin films were etched in inductively coupled $O_2$plasma. Etching characteristics of RuO$_2$thin films including etch rate and selectivity were evaluated as a function of rf power in $O_2$plasma and gas mixing ratio in $O_2$/Ar plasma. In $O_2$ plasma, the etch rate of RuO$_2$thin film increases as rf power increases. In $O_2$/Ar plasma, the etch rate of RuO$_2$thin film increases up to 10% Ar, but decrease with furthermore increasing Ar mixing ratio. The enhanced etch rate can be obtained with increasing rf power and small addition of Ar gas.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.163-163
• /
• 2003

TiN barrier막 위에 metal organic chemical deposition(MOCVD)법으로 RuO$_2$ 를 증착시 TiN막 표면을 세정처리하지 않을 경우 RuO$_2$의 핵생성이 어렵고, 그로 인해 RuO$_2$ 연속막이 형성되기 힘들다. 그러므로 RuO$_2$의 핵생성을 향상시키기 위해 TiN막에 대한 전처리 세정이 필수적이다. TiN막의 전처리 세정방법으로 ECR plasma 세정법을 사용하였으며, $O_2$ plasma와 H$_2$ plasma 그리고 Ai plasma를 이용해 각각의 exposure time을 변화시키며 전처리 세정을 실시하였다. H$_2$ plasma와Ar plasma의 exposure time이 증가됨에 따라 RuO$_2$의 핵생성이 향상되었다. 본 연구에서는 scanning electron microscopy(SEM), Auger electron emission spectrometry(AES), Atomic Force Microscope(AFM), X-ray diffraction (XRD) 등의 분석을 통해 TiN막 표면에 대한 ECR plasma 전처리 세정 이 RuO$_2$의 핵생성과 연속막 성장에 미치는 효과에 대해 조사하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제15권10호
• /
• pp.865-869
• /
• 2002

The structural and electrical properties of PZT (lead zirconate titante) thin films grown on Pt (platinum) and Ru/Ru $O_2$(ruthenium/ruthenium oxide) electrodes were investigated. Thin films of PZT were deposited on a variety of electrodes using the rf-magnetron sputtering process. PZT films exhibited polycrystalline structure with strong PZT (100) plane and weak (211) plane for an optimizied Pt electrode and (100), (101), (111), (200), (210), (211) planes for Ru/Ru $O_2$. Switching polarization versus fatigue characteristic of Pt/Ti electrodes showed 20% degradation up to 1 $\times$ 10$_{9}$ cycles. No significant fatigue was observed in the films on Ru/Ru $O_2$ electrodes up to Ix109 test cycles. The results show that the new Ru/Ru $O_2$ bottom electrodes are expected to reduce the degradation of ferroelectric fatigue.

• Korean Chemical Engineering Research
• /
• 제47권1호
• /
• pp.11-16
• /
• 2009

단일벽 탄소나노튜브의 표면 위에 동력학적 전위법으로 산화루테늄($RuO_2$)의 석출 및 루테늄-코발트 혼합산화물(Ru-Co mixed oxide)의 공석출에 의해 산화환원 수퍼커페시터용 복합전극을 제조하였다. 루테늄 성분이 13.13 wt%, 코발트 성분이 2.89 wt%가 석출된 Ru-Co 혼합산화물 전극은 낮은 전위 스캔속도($10\;mV\;s^{-1}$)에서는 $RuO_2$ 전극과 유사한 비용량(${\sim}620\;F\;g^{-1}$)을 나타내지만, 높은 스캔속도($500\;mV\;s^{-1}$)에서는 $RuO_2$ 전극보다 큰 비용량을 보인다. 높은 스캔 속도에서 Ru-Co 혼합산화물 전극이 비용량의 증가를 나타내는 것은 Ru 성분을 통한 전기전도성을 Co 성분이 구조적으로 지지해주기 때문이다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
• /
• 제16권1호
• /
• pp.9-16
• /
• 2005

We studied the electrochromic properties of hydrated amorphous ruthenium oxide ($RuO_2{\cdot}xH_2O$) thin films using in-situ Raman spectroscopy during electrochemical charging/discharging cycles. We have found that the principal effect of hydrogen insertion into $RuO_2{\cdot}xH_2O$ is reduction of $Ru^{4+}\;to\;Ru^{3+}$, and not formation of new bonds involving hydrogen. We compared the changes in the Raman spectrum of a gasochromic $Pd/RuO_2{\cdot}xH_2O$ film as it is exposed to hydrogen gas with that of electrochemical hydrogen insertion. We tested the changes in the optical transmission of the $Pd/RuO_2{\cdot}xH_2O$ film when exposed to hydrogen gas.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제1권2호
• /
• pp.125-134
• /
• 1994

저항범위가 다른 두종류의 Ru계 후막저항계(1Kohm/sq. 100kohm/sq.)를 선택하여 도전상의 상전이 기구를 반응조건을 변화시켜 연구하였다. 저저항체의 경우 도전상으로는 RuO2였으며 700-100$0^{\circ}C$에서 1시간 반응한 경우 반응온도에 따른 구성상의 변화는 없었다 반응온도 90$0^{\circ}C$에서 반응시간이 경과함에 따라 도전상은 RuO2가 Glass의 구성성분인 Pb와 반응하여 Rb2(Ru1.69 Pb0.31)O6.5로 변하고 시간이 36시간 경과한 후에는 도전상이 Pb4Al2Si2O10인 결정으로 둘러 쌓이는 반응인 peritectic reaction이 일어났다. 고전항체의 경 우 도전상으로는 Pb2(Ru1.69 Pb0.31)O6.5로 변하고 시간이 36시간 경과한 후에는 더전상이 Pb4Al2Si2O10인 결정으로 둘러쌓이는 반응인 peritectic reaction 이 일어났다. 고저항체의 경 우 도전상으로는 Pb2(Ru1.69 Pb0.31)O6.5인 pyrochrole 상이였다. 100$0^{\circ}C$에서 1시간 반응시킬 경 우 도전상이 RuO2로 변하였다. 반응온도를 90$0^{\circ}C$로 하고 반응시간을 변화시키면 도전상인 Pb2(Ru1.69 Pb0.31)O6.5가 (Ru1.69Pb0.31)O4x로 변하면서 공존하였다.

• Journal of Electrochemical Science and Technology
• /
• 제10권3호
• /
• pp.271-275
• /
• 2019

Anodic $TiO_2$ nanotubes were simultaneously grown and doped with $RuO_2$ by single-step anodization in a negatively-charged $RuO_4{^-}$ precursor. Subsequently, a high positive voltage was imposed on the nanotubes in an $F^-$-based electrolyte (a process referred to as potential shock), which led to the formation of a through-hole $RuO_2$-doped $TiO_2$ nanotube membrane without significant loss of the $RuO_2$ catalyst. XPS results confirmed that the doped Ru metal was converted into $RuO_2$ as the potential shock voltage increased. Further increases in the potential shock voltage led to the formation of $RuO_x/Ru$ in the $TiO_2$ nanotubes. All of our results clearly showed that a through-hole catalyst-doped $TiO_2$ nanotube membrane can be produced by a sequence consisting of single-step anodization and the potential shock process.

• The Korean Journal of Ceramics
• /
• 제2권1호
• /
• pp.33-38
• /
• 1996

In thick film resistors, the characteristics of the frit and the reaction between glass frit and conductor material play an important role for their electrical properties. In this study, various glass frits in the system of $60RO{\cdot}20SiO_2$ $15B_2O_3{\cdot}5Al_2O_3$(RO=PbO, ZnO, CdO; mole%) were mixed with $RuO_2$ and coated on 96% alumina substrate. Only the glass frit containing PbO was reacted with $RuO_2$in$RuO_{2+}$-thick film resistor and produced the new crystalline phase of $Pb_2Ru_2O_{65}$. Their electrical resistivities strongly depend on the amount of $Pb_2Ru_2O_{65}$ crystalline phase obtained, which varied with firing temperature. The sheet resistivities of these resistors were varied from $10^3\; to\; 10^6\;{\Omega}/{\Box}$ depending on heat treatment, and the absolute value of TCR was decreased as the heat treatment temperature increaed. However, $RuO_2$ did not reacted with the glass frits containing ZnO nor CdO, and the resulting showed very high sheet resistivities.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제34권2호
• /
• pp.55-60
• /
• 2024

화학적 박리법을 이용하여 나노미터 두께를 갖는 2차원(2D) RuO₂ 나노시트를 합성하였다. 차세대 투명전극 소재로 주목받고 있는 Ag-nanowire(NW)와 본 연구에서 합성된 2D-RuO₂를 하이브리드화하였다. 기판 위에 Ag-NW 코팅 후 2D-RuO₂를 추가로 코팅하였다. 광투과도의 감소는 있었지만 2D-RuO₂를 하이브리드화하여 면저항 감소 효과를 확인할 수 있었다. 또한 제조된 투명전극의 유연성 실험도 진행하였다. 벤딩 후 면저항 변화로 확인하였다. 2D-RuO₂의 추가 코팅으로 투명전극 유연성이 향상되었다.