Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.46
no.2
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pp.71-77
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2009
A novel phase-locked loop(PLL) architecture with multiple charge pumps for fast locking has been proposed. The proposed PLL has three charge pumps. The effective capacitance and resistance of the loop filter can be scaled up/down according to the locking status by controlling the direction and magnitude of each charge pump current. The fast locking PLL that changes its loop bandwidth through controlling charge pumps depending on locking status has been designed. The capacitor usually occupying the larger portion of the chip is also minimized with the proposed scheme. Therefore, the PLL size of $990{\mu}m\;{\times}\;670{\mu}m$ including resistors and capacitors at the bandwidth of 29.9KHz has been achieved. It has been fabricated with 3.3V $0.35{\mu}m$ CMOS process. The locking time is less than $6{\mu}s$ with the measured phase noise of -90.45dBc/Hz @1MHz at 851.2MHz output frequency.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.32A
no.6
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pp.82-90
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1995
We proposed SAW (Self-Algined Selectively Grown W-Gate) MOSFET structure, and strudied electrical characteristics of the fabricated SAW MOSFETs. The threshold volgate of 0.21${\mu}$m SAW NMOSFET was 0.18 V and that of 0.24 ${\mu}$m SAW PMOSFET was -0.16 V. The subthreshold slope was 74 mV/decade for NMOSFET and 82 mV/decade for PMOSFET. The maximum transconductance of NMOSFET and PMOSFET, at V$_{GS}$=2.5 V and V$_{DS}$=1.5 V, were260 mS/mm and 122 mS/mm. The measured saturation drain current at V$_{GS}$=V$_{DS}$ =2.5 V was 0.574 mA/${\mu}$m for NMOSFET and -0.228 mA/${\mu}$m for PMOSFET. The gate resistance of SAW MOSFET was about m$\Omega$cm and the n+-p junction capacitance of SAW MOSFET was about 10% lowas than that of the conventional MOSFET's.
Kim, Dae-Hyun;del Alamo, Jesus A.;Lee, Jae-Hak;Seo, Kwang-Seok
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.6
no.3
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pp.146-153
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2006
We have been investigating InGaAs HEMTs as a future high-speed and low-power logic technology for beyond CMOS applications. In this work, we have experimentally studied the role of the side-recess spacing $(L_{side})$ on the logic performance of 50 nm $In_{0.7}Ga_{0.3}As$ As HEMTs. We have found that $L_{side}$ has a large influence on the electrostatic integrity (or short channel effects), gate leakage current, gate-drain capacitance, and source and drain resistance of the device. For our device design, an optimum value of $L_{side}$ of 150 nm is found. 50 nm $In_{0.7}Ga_{0.3}As$ HEMTs with this value of $L_{side}$ exhibit $I_{ON}/I_{OFF}$ ratios in excess of $10^4$, subthreshold slopes smaller than 90 mV/dec, and logic gate delays of about 1.3 ps at a $V_{CC}$ of 0.5 V. In spite of the fact that these devices are not optimized for logic, these values are comparable to state-of-the-art MOSFETs with similar gate lengths. Our work confirms that in the landscape of alternatives for beyond CMOS technologies, InAs-rich InGaAs FETs hold considerable promise.
Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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v.20
no.1
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pp.38-44
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2009
Recently, the research focused on fuel cell hybrid vehicles (FCHVs) is becoming an attractive solution due to environmental pollution generated by fossil fuel vehicles. The proper energy control strategy will result in extending the fuel cell lifetime, increasing of energy efficiency and an improvement of vehicle performance. Battery state of charge (SoC) is an important quantity and the estimation of the SoC is also the basis of the energy control strategy for hybrid electric vehicles. Estimating the battery's SoC is complicated by the fact that the SoC depends on many factors such as temperature, battery capacitance and internal resistance. In this paper, battery charging time estimated by SoC is studied by using the speed response and current response. Hybrid system is consist of a fuel cell unit and a battery in series connection. For experiment, speed response of vehicle and current response of battery were determined under different state of charge. As the results, the optimal battery charging time can be estimated. Current response time was faster than RPM response time at low speed and vice versa at high speed.
Bacillus stearothermophilus No. 236 isolated from the soil is a strong xylan degrader producing all the xylanolytic enzymes. However, the strain was discovered to be highly intractable to its transformation. In the present study, we have developed a reliable method for transformation of B. stearothermophilus No. 236 by a systematic examination of several factors which might have an influence on the efficiency of electrotransformation. Notably, we found that the most critical factor influencing the transformation efficiency (TE) was the incubation temperature after pulsing, with its optimum incubation of $37^{\circ}C.\; At\; 50^{\circ}C$, the optimum growth temperature of the B. stearothermophilus strain, the transformants could not be obtained at a recognizable level. The combination of field strength of 7.5 kV/cm along with pulse duration of 10 msec (resistance of $400{\Omega}\; and\; capacitance\; of\; 25{\mu}F$) was shown to be the best electrical parameters at the incubation temperature of $37^{\circ}$. A higher TE was obtained when the cells were harvested at an early-exponential phase. Twenty percent of PEG-8000 in a suspension buffer and an addition of 0.1% glycine in the growth medium resulted in about 4-fold and 3-fold increases in TE, respectively. We also found that the plasmid DNA which had been cycled through the host B. stearothermophilus cells enhanced TE by one order of magnitude higher. Under the presently described conditions, $2.5{\times}10^{5} transformants per ${\mu}g$ DNA was attained.
[ $LaMeO_3$ ](Me = Cr, Co) powders were prepared using the polymeric precursor method. The effects of the chelating agent and the polymeric additive on the synthesis of the $LaMeO_3$ perovskite were studied. The samples were synthesized using ethylene glycol (EG) as the solvent, acetyl acetone (AcAc) as the chelating agent, and polyvinylpyrrolidone (PVP) as the polymer additive. The thermal decomposition behavior of the precursor powder was characterized using a thermal analysis (TG-DTA). The crystallization and particle sizes of the $LaMeO_3$ powders were investigated via powder X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), and particle size analyzer, respectively. The as-prepared precursor primarily has $LaMeO_3$ at the optimum condition, i.e. for a molar ratio of both metal-source (a : a) : EG (80a : 80a) : AcAc (8a) inclusive of 1 wt% PVP. When the as-prepared precursor was calcined at $700^{\circ}C$, only a single phase was observed to correspond with the orthorhombic structure of $LaCrO_3$ and the rhombohedral structure of $LaCoO_3$. A solid-electrolyte impedance-metric sensor device composed of $Li_{1.5}Al_{0.5}Ti_{1.5}(PO_4)_3$ as a transducer and $LaMeO_3$ as a receptor has been systematically investigated for the detection of NOx in the range of 20 to 250 ppm at $400^{\circ}C$. The sensor responses were able to divide the component between resistance and capacitance. The impedance-metric sensor for the NO showed higher sensitivity compared with $NO_2$. The responses of the impedance-metric sensor device showed dependence on each value of the NOx concentration.
The electrode material performances of electric double layer capacitor(EDLC) were investigated using mesopous active carbon fiber(ACF), which was prepared by the iron exchange method. The mesoporous ACF had pore characteristics of specific surface area around 1249, 664 $m^2$/g, mesoporous fraction around 70.6-81.3% and meanpore size around 2.78-4.14 nm. The results showed that as HNO3 treatment time decreased, the specific surface area increased and mesoporous fraction decreased. To investigate electrochemical performance of EDLC, unit cell was manufactured using mesoporus ACF, conducting material and binder; organic elctrolyte was used on this experiment. The specific capacitance of ACF treated with HNO3 for 2 hours turned out to be 0.47 $F/cm^2$and the results of the cyclic charge-discharge tests were stable. Thus, the electrochemical performance of EDLC was mainly dependent on specific surface area of ACF electrode and the diffusion resistance of charge decreased as the mesopore increased.
The preparation method of Raney nickel catalyst and the effect of promotor for the hydrogen electrode in alkaline fuel cell were investigated with electrochemical methods. The best electrode performance was observed with the Raney nickel which was obtained at $700^{\circ}C$ of sintering temperature and 60:40 of nickel:aluminum. As titanium was added for promotor, the activity of catalyst and characteristic of electrode was improved. Especially, the electrode containing 2w/o of titanium showed the maximum mass activity of 2.4A/g and its mean particle size was $5.7{\mu}m$. The resistance and capacitance of the electrode containing 2w/o of titanium, measured with AC impedance spectroscopy, were calculated to the $0.3{\Omega}cm^2$ and $0.42F/cm^2$, respectively.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.491-491
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2011
Transparent and flexible electronic devices that are light-weight, unbreakable, low power consumption, optically transparent, and mechanical flexible possibly have great potential in new applications of digital gadgets. Potential applications include transparent displays, heads-up display, sensor, and artificial skin. Recent reports on transparent and flexible field-effect transistors (tf-FETs) have focused on improving mechanical properties, optical transmittance, and performances. Most of tf-FET devices were fabricated with transparent oxide semiconductors which mechanical flexibility is limited. And, there have been no reports of transparent and flexible all-organic tf-FETs fabricated with organic semiconductor channel, gate dielectric, gate electrode, source/drain electrode, and encapsulation for sensor applications. We present the first demonstration of transparent, flexible all-organic sensor based on multifunctional organic FETs with organic semiconductor channel, gate dielectric, and electrodes having a capability of sensing infrared (IR) radiation and mechanical strain. The key component of our device design is to integrate the poly(vinylidene fluoride-triflouroethylene) (P(VDF-TrFE) co-polymer directly into transparent and flexible OFETs as a multi-functional dielectric layer, which has both piezoelectric and pyroelectric properties. The P(VDF-TrFE) co-polumer gate dielectric has a high sensitivity to the wavelength regime over 800 nm. In particular, wavelength variations of P(VDF-TrFE) molecules coincide with wavelength range of IR radiation from human body (7000 nm ~14000 nm) so that the devices are highly sensitive with IR radiation of human body. Devices were examined by measuring IR light response at different powers. After that, we continued to measure IR response under various bending radius. AC (alternating current) gate biasing method was used to separate the response of direct pyroelectric gate dielectric and other electrical parameters such as mobility, capacitance, and contact resistance. Experiment results demonstrate that the tf-OTFT with high sensitivity to IR radiation can be applied for IR sensors.
Widely used dielectrics, barium titanate was promising material for ceramic capacitor. It was produced by specific formulation with various dopants-La2O3, ZrO2, SnO2, CaZrO3, CaTiO3, CaSnO3, Bi2O3, and etc.-according to demanded properties of capacitor. In this study, we would examinate the study of dielectric properties and temperatuer characteristics (T.C.) with the amount of Bi2O3. The sample was prepared with [BaTiO3]10+[BaZrO3, SnO2, La2O3, ZrO2]10 and Bi2O3 varied from 1.0, 1.5, 2.0, 2.5 to 3.0wt%. After milling and mixing for 15hrs, each sample was dried and then pressed at 700kg/$\textrm{cm}^2$ into pellets. Pellets were fired at 131$0^{\circ}C$, for 3hrs in air. As the result of measurements, dielectric constant, break down voltage, and insulation resistance were increased with the amount of Bi2O3, and the resonant frequency was shifted from high frequency to low frequency range. In the case of temperature characteristics, capacitance change rate was symmetrically changed at -$25^{\circ}C$ and +85$^{\circ}C$ respectively. Therefore, it is recognized that the temperature characteristics can be moderated with doping Bi2O3 in our study.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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