• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제4권3호
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• pp.34-37
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• 2003

[ $HfO_2$ ] and $HfO_xN_y$ films were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition using $Hf[OC(CH_3)_3]_4$ as the precursor in the absence of $O_2$. The crystallization temperature of the $HfO_xN_y$ films is higher than that of the $HfO_2$ film. Nitrogen incorporation in $HfO_xN_y$ was confirmed by auger electron spectroscopy analysis. After post deposition annealing (PDA) at 800$\Box$, the EOT increased from 1.34 to 1.6 nm in the $HfO_2$ thin films, whereas the increase of EOT was suppressed to less than 0.02 nm in the $HfO_xN_y$. The leakage current density decreased from 0.18 to 0.012 $A/cm^2$ with increasing PDA temperature in the $HfO_2$ films. But the leakage current density of $HfO_xN_y$ does not vary with increasing PDA temperature because an amorphous $HfO_xN_y$ films suppresses the diffusion of oxygen through the gate dielectric.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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• pp.219-220
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• 2000

We propose a new method for the formation of an aluminum parting layer in the fabrication of field emitter arrays, in which we used a reflow property of aluminum at a lower temperature than the deformation point of glass. After the sputtered aluminum layer on the gate metal was etched for the formation of gate holes, we carried out a rapid thermal annealing process, by which the aluminum slightly diffused into the gate hole. This reflowed aluminum could be used as a parting layer and emitter arrays were easily fabricated using this method.

• 한국해안·해양공학회논문집
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• 제20권2호
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• pp.184-193
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• 2008

아산호 상류지역의 도시화 진행과 이상 기후 등에 따른 강수량 증가로 아산만 방조제 배수갑문 확장의 필요성이 제기됨에 따라 배수갑문 확장으로 인한 방류량 증가가 아산만 및 주변 해역에 미치는 영향을 수리모형실험과 범용 수치모의 코드인 Delft3D, FLOW-3D를 이용하여 검토하였다. 그 결과 아산만 방조제 배수갑문확장에 의한 영향은 미흡한 것으로 확인되었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2018년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.142.1-142.1
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• 2018

This research presents a new field effect transistor (FET) by using liquid crystal gate dielectric with remote gate. The fabrication of thin-film transistors (TFTs) was used Indium tin oxide (ITO) for the source, drain, and gate electrodes, and indium gallium zinc oxide (IGZO) for the active semiconductor layer. 5CB liquid crystal was used for the gate dielectric material, and the remote gate and active layer were covered with the liquid crystal. The output and transfer characteristics of the LC-gated TFTs were investigated.

• 대한한의학원전학회지
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• 제28권4호
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• pp.79-97
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• 2015

Objectives : To research origin of the shape of vital gate(命門) in Yixuerunmen makes us understand more exactly what the author, Li Chan(李梴) thought vital gate shaped. Methods : It's shape described in his book was compared with pictures portraying it in Hua Tuo Xuan Men Nei Zhao Tu(華陀玄門內照圖), one of references of his book. Results : He reasonably modified its passing track, while explaining it according to the paintings in Hua Tuo Xuan Men Nei Zhao Tu. Vital gate, as he thought, was not an real organ like the other five viscera, but a cord or a tube similar to blood vessels. He believed its cord had long connections from pericardium to terminal of urethra, which went through pericardium upward, right kidney downward, right around terminal rectum down-frontward, and urethra in parallel outward. Conclusions : He had consistent understandings for vital gate to penetrate several different viewpoints, as based on pictures in Hua Tuo Xuan Men Nei Zhao Tu.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1988년도 추계학술대회 논문집
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• pp.95-97
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• 1988

The instability of MOS devices is mainly caused by the oxide charges, and as the need to develop the gate metal grows researches for various new metal gate have been performed, and in these researches, the difference work function existing between the metal and the semiconductor should be considered. Here int his paper, the device is made by the sputtering and the LPCVD method using pure Al, compound metal. poly-si, as a gate metal, the result of the research was shown that the work function difference from using different gate metals effects on the flatband voltage shift. This means we can infer that the threshold voltage adjustment is possible by using different gate metals and this whole mechanism makes the devices behavior more stable.

• 한국광학회지
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• 제13권2호
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• pp.151-154
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• 2002

선광(all-optical) OR 논리소자가 반도체 광증폭기 (SOA)의 이득포화와 파장변환 특성을 이용하여 구현되었다. 전광(all-optical) OR 논리소자는 이득의 비선형성에 의해 동작되므로 SOA의 이득포화를 충분히 얻기 위해 펌프신호는 SOA의 입력단에서 어븀 첨가 광섬유 증복기(EDFA)에 의해 증폭되었다. 전광 OR논리소자의 동작특성은 2.5 Gbit/s에서 성공적으로 측정되었다.

• 한국광학회지
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• 제14권5호
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• pp.530-534
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• 2003

새로운 전광(all-optical) NOR논리소자가 반도체 광증폭기 (SOA)의 이득포화 특성을 이용하여 처음으로 제안되고 입증되었다. 전광 NOR논리소자는 이득의 비선형성에 의해 동작되므로 SOA의 이득포화를 충분히 얻기 위해 펌프신호는 SOA의 입력단에서 어븀 첨가 광섬유 증폭기에 의해 증폭되었다. 전광 NOR 논리소자의 동작특성은 10 Gbit/s에서 성공적으로 측정되었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제30권4호
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• pp.282-285
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• 2019

본 연구에서는 2단계 게이트 리세스 방법을 사용하여 T-형 게이트 길이가 100 nm인 mHEMT 소자를 제작하였다. 제작한 소자는 65 mA의 드레인전류($I_{dss}$), 1090 mS/mm의 트랜스콘덕턴스($g_m$), -0.65 V의 문턱전압 ($V_{th}$) 등의 DC 특성을 보였다. 또한 차단주파수($f_T$) 190 GHz와 최대 공진주파수($f_{MAX}$) 260 GHz인 우수한 고주파 특성을 나타내었다. 제작한 mHEMT 소자는 향후에 W-대역의 MMIC 개발에 활용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 센서학회지
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• 제6권3호
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• pp.221-227
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• 1997

Pd/NiCr 게이트 MISFET 센서는 변압기 절연유중 용존수소를 감지하기 위해 제조되었다. 센서의 안정성과 고농도 감지성의 향상을 위해 Pd/NiCr 2중 촉매 금속 게이트가 사용되었다. 수소유입에 의한 게이트 전압의 드리프트를 줄이기 위해, 2개의 FET 게이트 절연층을 실리콘 산화막과 실리콘 질화막의 2중 구조로 하였다. Pd/NiCr 게이트 MISFET 센서의 수소 감응 감도는 Pd/Pt 게이트 MISFET 센서의 감도에 비해 약 0.5배이나, 안정성이 좋고, 1000 ppm까지의 고농도까지 측정할 수 있었다.