센서학회지 (Journal of Sensor Science and Technology)

  • 제6권3호
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  • Pages.221-227
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  • 1997
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  • 1225-5475(pISSN)
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  • 2093-7563(eISSN)
한국센서학회 (The Korean Sensors Society)
권호 표지

유중 용존수소 감지를 위한 Pd/NiCr 게이트 MISFET 센서의 제작

Fabrication of Pd/NiCr gate MISFET sensor for detecting hydrogen dissolved in Oil.

  • 김갑식 (LG전자 DISPLAY 사업본부 PDP 개발팀) ;
  • 이재곤 (센서기술연구소) ;
  • 함성호 (경북대학교 전자.전기공학부) ;
  • 최시영 (경북대학교 전자.전기공학부)
  • Kim, Gop-Sick (PDP Business Operation, LG Electronics Inc.) ;
  • Lee, Jae-Gon (Sensor Technology Research Center) ;
  • Hahm, Sung-Ho (School of Electronic & Electrical Engineering, Kyungpook Nat'l Univ.) ;
  • Choi, Sie-Young (School of Electronic & Electrical Engineering, Kyungpook Nat'l Univ.)
  • 발행 : 1997.05.31
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초록

Pd/NiCr 게이트 MISFET 센서는 변압기 절연유중 용존수소를 감지하기 위해 제조되었다. 센서의 안정성과 고농도 감지성의 향상을 위해 Pd/NiCr 2중 촉매 금속 게이트가 사용되었다. 수소유입에 의한 게이트 전압의 드리프트를 줄이기 위해, 2개의 FET 게이트 절연층을 실리콘 산화막과 실리콘 질화막의 2중 구조로 하였다. Pd/NiCr 게이트 MISFET 센서의 수소 감응 감도는 Pd/Pt 게이트 MISFET 센서의 감도에 비해 약 0.5배이나, 안정성이 좋고, 1000 ppm까지의 고농도까지 측정할 수 있었다.

The Pd/NiCr gate MISFET-type sensors were fabricated for detecting hydrogen dissolved in high-capacivity transformer oil. To improve stability and high concentration sensitivity of the sensor, Pd/NiCr double catalysis metal gate was used. To reduce the serious gate voltage drift of the sensor induced by hydrogen, the gate insulators of 2 FETs were constructed with double layer of silicon dioxide and silicon nitride. The hydrogen sensitivity of the Pd/NiCr gate MISFET is about a half of Pd/Pt gate MISFET's sensitivity but the Pd/NiCr gate MISFET has good stability and high concentration detectivity up to 1000 ppm.

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