• 제목/요약/키워드: Reliability of electronic packaging

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내장형 수동소자 (Embedded Passives)

  • 이호영
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제9권2호
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    • pp.55-60
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    • 2002
  • 전자제품의 경박단소화는 관련 부품들의 개별적인 소형화, 경량화 또는 여러 가지 부품들을 집적시켜 모듈화 시키는 것을 요구한다. 최근에는 실장밀도를 향상시키기 위하여 저항, 축전기, 인덕터 등의 수동소자들을 다층인쇄회로기판에 내장시키고자 하는 연구들이 널리 수행되고 있다. 본 고에서는 먼저 여러 가지 수동소자들의 기능을 살펴본 후, 수동소자들을 기판에 내장시키고자 하는 연구의 필요성과 이 기술을 상업화하기 위하여 앞으로 해결해야 할 문제들에 관하여 살펴보고자 한다.

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솔더범프와 Ag-Pd 후막도체의 접합 신뢰성 및 계면반응 (Reliability of Joint Between Solder Bump and Ag-Pd Thick Film Conductor and Interfacial Reaction)

  • 김경섭;이종남;양택진
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 기술심포지움 논문집
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    • pp.151-155
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    • 2003
  • The requirements for harsh environment electronic controllers in automotive applications have been steadily becoming more and more stringent. Electronic substrate technologists have been responding to this challenge effectively in an effort to meet the performance, reliability and cost requirements. An effect of the plasma cleaning at the alumina substrate and the IMC layer between $Sn-37wt\%Pb$ solder and Ag-Pd thick film conductor after reflow soldering has been studied. Organic residual carbon layer was removed by the substrate plasma cleaning. So the interfacial adhesive strength was enhanced. As a result of AFM measurement, Ag-Pd conductor pad roughness were increased from 304nm to 330nm. $Cu_6Sn_5$ formed during initial ref]ow process at the interface between TiWN/Cu UBM and solder grew by the succeeding reflow process so the grains had a large diameter and dense interval. A cellular-shaped $Ag_3Sn$ was observed at the interface between Ag-Pd conductor pad and solder. The diameters of the $Ag_3Sn$ grains ranged from about $0.1\~0.6{\mu}m$. And a needle-shaped $Ag_3Sn$ was also observed at the inside of the solder.

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High-density Through-Hole Interconnection in a Silicon Substrate

  • Sadakata, Nobuyuki
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 International Symposium
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    • pp.165-172
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    • 2003
  • Wafer-level packaging technology has become established with increase of demands for miniaturizing and realizing lightweight electronic devices evolution. This packaging technology enables the smallest footprint of packaged chip. Various structures and processes has been proposed and manufactured currently, and products taking advantages of wafer-level package come onto the market. The package enables mounting semiconductor chip on print circuit board as is a case with conventional die-level CSP's with BGA solder bumps. Bumping technology is also advancing in both lead-free solder alternative and wafer-level processing such as stencil printing using solder paste. It is known lead-free solder bump formation by stencil printing process tend to form voids in the re-flowed bump. From the result of FEM analysis, it has been found that the strain in solder joints with voids are not always larger than those of without voids. In this paper, characteristics of wafer-level package and effect of void in solder bump on its reliability will be discussed.

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가속수명시험을 이용한 Packaging Substrate PCB의 ECM에 대한 신뢰성 예측에 관한 연구 (A Study on the Reliability Prediction about ECM of Packaging Substrate PCB by Using Accelerated Life Test)

  • 강대중;이화기
    • 대한안전경영과학회지
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    • 제15권1호
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    • pp.109-120
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    • 2013
  • As information-oriented industry has been developed and electronic devices has come to be smaller, lighter, multifunctional, and high speed, the components used to the devices need to be much high density and should have find pattern due to high integration. Also, diverse reliability problems happen as user environment is getting harsher. For this reasons, establishing and securing products and components reliability comes to key factor in company's competitiveness. It makes accelerated test important to check product reliability in fast way. Out of fine pattern failure modes, failure of Electrochemical Migration(ECM) is kind of degradation of insulation resistance by electro-chemical reaction, which it comes to be accelerated by biased voltage in high temperature and high humidity environment. In this thesis, the accelerated life test for failure caused by ECM on fine pattern substrate, $20/20{\mu}m$ pattern width/space applied by Semi Additive Process, was performed, and through this test, the investigation of failure mechanism and the life-time prediction evaluation under actual user environment was implemented. The result of accelerated test has been compared and estimated with life distribution and life stress relatively by using Minitab software and its acceleration rate was also tested. Through estimated weibull distribution, B10 life has been estimated under 95% confidence level of failure data happened in each test conditions. And the life in actual usage environment has been predicted by using generalized Eyring model considering temperature and humidity by developing Arrhenius reaction rate theory, and acceleration factors by test conditions have been calculated.

열응력에 의한 실리콘 인터포저 위 금속 패드의 박락 현상 (Thermal Stress Induced Spalling of Metal Pad on Silicon Interposer)

  • 김준모;김보연;정청하;김구성;김택수
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제29권3호
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    • pp.25-29
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    • 2022
  • 최근 전자 패키징 기술의 중요성이 대두되며, 칩들을 평면 외 방향으로 쌓는 이종 집적 기술이 패키징 분야에 적용되고 있다. 이 중 2.5D 집적 기술은 실리콘 관통 전극를 포함한 인터포저를 이용하여 칩들을 적층하는 기술로, 이미 널리 사용되고 있다. 따라서 다양한 열공정을 거치고 기계적 하중을 받는 패키징 공정에서 이 인터포저의 기계적 신뢰성을 확보하는 것이 필요하다. 특히 여러 박막들이 증착되는 인터포저의 구조적 특징을 고려할 때, 소재들의 열팽창계수 차이에 기인하는 열응력은 신뢰성에 큰 영향을 끼칠 수 있다. 이에 본 논문에서는 실리콘 인터포저 위 와이어 본딩을 위한 금속 패드의 열응력에 대한 기계적 신뢰성을 평가하였다. 인터포저를 리플로우 온도로 가열 후 냉각 시 발생하는 금속 패드의 박리 현상을 관측하고, 그 메커니즘을 규명하였다. 또한 높은 냉각 속도와 시편 취급 중 발생하는 결함들이 박리 양상을 촉진시킴을 확인하였다.

Improvement in Thermomechanical Reliability of Power Conversion Modules Using SiC Power Semiconductors: A Comparison of SiC and Si via FEM Simulation

  • Kim, Cheolgyu;Oh, Chulmin;Choi, Yunhwa;Jang, Kyung-Oun;Kim, Taek-Soo
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제25권3호
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    • pp.21-30
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    • 2018
  • Driven by the recent energy saving trend, conventional silicon based power conversion modules are being replaced by modules using silicon carbide. Previous papers have focused mainly on the electrical advantages of silicon carbide semiconductors that can be used to design switching devices with much lower losses than conventional silicon based devices. However, no systematic study of their thermomechanical reliability in power conversion modules using finite element method (FEM) simulation has been presented. In this paper, silicon and silicon carbide based power devices with three-phase switching were designed and compared from the viewpoint of thermomechanical reliability. The switching loss of power conversion module was measured by the switching loss evaluation system and measured switching loss data was used for the thermal FEM simulation. Temperature and stress/strain distributions were analyzed. Finally, a thermal fatigue simulation was conducted to analyze the creep phenomenon of the joining materials. It was shown that at the working frequency of 20 kHz, the maximum temperature and stress of the power conversion module with SiC chips were reduced by 56% and 47%, respectively, compared with Si chips. In addition, the creep equivalent strain of joining material in SiC chip was reduced by 53% after thermal cycle, compared with the joining material in Si chip.

전자 패키징에 사용되는 무연 솔더에 관한 열역학적 연구 (Thermodynamic Issues of Lead-Free Soldering in Electronic Packaging)

  • 정상원;김종훈;김현득;이혁모
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제10권3호
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    • pp.37-42
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    • 2003
  • 전자 패키징에 사용되는 솔더합금에 납을 함유됨으로써 인하여 야기되는 환경적 문제와 인체 유해성 때문에 Pb-Sn 합금계를 대체할 수 있는 새로운 무연 솔더 재료의 필요성이 대두되고 있다. 새로운 솔더합금의 개발에 있어서 솔더 조인트의 신뢰성이 가장 중요한 문제라고 할 수 있는데, 솔더 조인트의 신뢰성은 솔더와 기판 사이의 계면 반응 형태와 그 정도에 의해서 크게 영향을 받기 때문에 솔더와 기판 사이의 계면 현상에 관한 더 깊은 이해가 필요하게 된다 솔더링 동안 기판/솔더 계면에서 가장 먼저 생성되는 금속간 화합물의 상을 예측하기 위한 열역학적인 방법이 제안되었다. 계면 에너지와 석출 구동력의 함수로 표현되는 각각의 금속간 화합물에 대한 핵생성 활성화 에너지를 비교함으로써 활성화 에너지가 가장 낮은 금속간 화합물이 가장 먼저 생성된다고 예측하였다. 거기에 더해 에너지를 기반으로 한 계산을 통하여 솔더 조인트에서 금속간 화합물의 입자 형상을 설명하였다. 울퉁불퉁한 계면을 가진 금속간 화합물의 Jackson의 parameter 값은 2보다 작은 반면 평평한 입자의 경우 2보다 크게 된다.

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무전해 주석도금을 이용한 구리기둥-주석범프의 형성과 고밀도 플립칩 패키지 제조방법 (Copper Pillar-Tin Bump with Immersion Tin Plating for High-Density Flip Chip Packaging)

  • 조일환;홍세환;정원철;주경완;홍상진
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.10-10
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    • 2008
  • Flip chip technology is keeping pace with the increasing connection density of the ICs and is capable of transferring semiconductor performance to the printed circuit board. One of the most general flip chip technology is CPB technology presented by Intel. The CPTB technology has similar benefits with CPB but has simpler process and better reliability characteristics. In this paper, process sequence and structure of CPTB are presented.

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탄화규소(SiC) 반도체를 사용한 모듈에서의 방열 거동 해석 연구 (Comparative Study on the Characteristics of Heat Dissipation using Silicon Carbide (SiC) Powder Semiconductor Module)

  • 정청하;서원;김구성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제25권4호
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    • pp.89-93
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    • 2018
  • 1200V 이상 급의 전기자동차의 파워 모듈에 적용되는 세라믹 기판은 구동 전력으로 고전력이 인가되는 특성상 고열전도도, 고 전기절연성, 저열팽창계수, 급격한 온도 변화에 대한 저항성의 특성이 요구된다. 방열기판에 적용되는 세라믹 중 질화알루미늄과 질화규소는 그 요구를 충족하는 소재로서 고려되고 있다. 이에 따라 본 논문에서는 질화알루미늄과 질화규소의 방열기판 소재로서의 특성을 상용해석프로그램을 통해 비교하였다. 그 결과 질화규소는 질화알루미늄에 대해 각각 동일한 조건의 열을 부여하는 공정을 시물레이션으로 구현했을 때 스트레스와 휨이 덜 발생하여 더 우세한 내충격성, 내stress성을 보였다. 열전도도 측면에서는 질화알루미늄이 방열 소재로서 더 우수한 특성을 지니지만 신뢰성 측면에서는 질화규소가 더 우세함을 시물레이션을 통해 관찰하였다.

리플로우 조건에 따른 Sn-52In 솔더범프의 전단응력과 전단에너지 비교 (Comparison of Shear Strength and Shear Energy for 48Sn-52In Solder Bumps with Variation of Reflow Conditions)

  • 최재훈;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제12권4호통권37호
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    • pp.351-357
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    • 2005
  • 솔더/UBM 계면반응에 따른 솔더범프의 기계적 신뢰성을 평가하기 위한 방안으로서 Cu UBM 상에서 리플로우한 Sn-52In 솔더범프의 리플로우 조건에 따른 전단응력과 전단에너지의 변화거동을 비교하였다. 리플로우 조건에 따른 전단에너지의 변화거동이 전단강도에 비해 Sn-52In/Cu 계면반응 및 파괴모드의 변화거동과 훨씬 잘 일치하여 솔더/UBM 계면반응에 따른 기계적 신뢰성을 분석하는데 전단에너지가 전단강도보다 훨씬 효과적인 평가 방안임을 알 수 있었다.

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