The reliability degradation phenomena in the SiGe hetero-junction bipolar transistor (HBT) are investigated in this review. In the case of the SiGe HBT the decrease of the current gain, the degradation of the AC characteristics, and the offset voltage are frequently observed, which are attributed to the emitter-base reverse bias voltage stress, the transient enhanced diffusion, and the deterioration of the base-collector junction due to the fluctuation in fabrication process, respectively. The reverse-bias stress on the emitter-base junction causes the recombination current to rise, increasing the base current and degrading the current gain, because hot carriers formed by the high electric field at the junction periphery generate charged traps at the silicon-oxide interface and within the oxide region. Because of the enhanced diffusion of the dopants in the intrinsic base induced by the extrinsic base implantation, the shorter distance between the emitter-base junction and the extrinsic base than a critical measure leads to the reduction of the cut-off frequency ($f_t$) of the device. If the energy of the extrinsic base implantation is insufficient, the turn-on voltage of the collector-base junction becomes low, in the result, the offset voltage appears on the current-voltage curve.
A head-and-neck phantom was designed in order to evaluate remotely the quality of the delivery dose of intensity modulated radiation therapy (IMRT) in each institution. The phantom is homogeneous or inhomogeneous by interchanging the phantom material with the substructure like an air or bone plug. Monte Carlo simulations were executed for one beam and three beams to the phantom and compared with ion chamber and thermoluminescent dosimeter (TLD) measurements of which readings were from two independent institutions. For single beam, the ion chamber results and the MC simulations agreed to within about 2% TLDs agreed with the MC results to within 2% or 7% according to which institution read the TLDs. For three beams, the ion chamber results showed -5% maximum discrepancy and those of TLDs were $+2{\sim}+3%$. The accuracy of the TLD leadings should be increased for the remote dose monitoring. MC simulations are a valuable tool to acquire the reliability of the measurements in developing a new phantom.
The application of more complex radiotherapy techniques using multileaf collimation (MLC), such as 3D conformal radiation therapy and intensity-modulated radiation therapy (IMRT), has increased the significance of verifying leaf position and motion. Due to thier reliability and empirical robustness, quality assurance (QA) of MLC. However easy use and the ability to provide digital data of electronic portal imaging devices (EPIDs) have attracted attention to portal films as an alternatives to films for routine qualify assurance, despite concerns about their clinical feasibility, efficacy, and the cost to benefit ratio. In this study, we developed method for daily QA of MLC using electronic portal images (EPIs). EPID availability for routine QA was verified by comparing of the portal films, which were simultaneously obtained when radiation was delivered and known prescription input to MLC controller. Specially designed two-test patterns of dynamic MLC were applied for image acquisition. Quantitative off-line analysis using an edge detection algorithm enhanced the verification procedure as well as on-line qualitative visual assessment. In conclusion, the availability of EPI was enough for daily QA of MLC leaf position with the accuracy of portal films.
Kim, Seohee;Yun, Joosun;Shin, Dong-Soo;Shim, Jong-In
Korean Journal of Optics and Photonics
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v.23
no.2
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pp.64-70
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2012
We analyzed the changes in electrical and optical characteristics of 1 $mm^2$ multiple-quantum-well (MQW) blue LEDs grown on a c-plane sapphire substrate after a stress test. Experiments were performed by injecting 50 mA current for 200 hours to TO-CAN packaged sample chips. We selected the value of injection current for stress through the junction-temperature measurement by using the forward-voltage characteristics of a diode to maintain a sufficiently low junction temperature during the test. The junction temperature at the selected injection current of 50 mA was 308 K. Experiments were performed under the assumption that the average junction temperature of 308 K did not affect the characteristics of the ohmic contact and the GaN-based materials. Before and after the stress test, we measured and analyzed current-voltage, light-current, light distribution on the LED surface, wavelength spectrum and relative external quantum efficiency (EQE). After the stress test, it was observed experimentally that the optical power and the relative EQE decreased. We theoretically investigated and experimentally proved that these phenomena are due to the increased nonradiative recombination rate caused by the increased defect density.
Stereotactic radiosurgery (SRS) is a technique to deliver a high dose to a target region and a low dose to a critical organ through only one or a few irradiation. The SRS must be planned exactly. Currently the surgery plan is peformed by trial and error method. There are many questions about the reliability and reproducibility of the plan result. This study Improve each step of the Oh's method based on heuristic target shaping to obtain the better result. The target was reconstructed using cylinders with same height and the neighbored cylinders were combined according to the difference of each center and diameter. Then, spheres were packed within each cylinders by the packing rules. Two virtual targets were used to compare this method with Oh's method. As a result, the numbers of isocenter were successfully reduced - more than $35\%$ and $26\%$ - without serious differences of proscription isodose to tumour volume ratio (PITV) and maximum dose to proscription dose ratio (MDPD). This technique using cylinder piling and sphere packing will be a helpful tool to planner in stereotactic radiosurgery.
Park, Chang-Young;Chung, Ki-Soo;Lee, Jong-Duk;Chang, In-Su;Lee, Jungil;Kim, Jang-Lyul
Journal of Radiation Protection and Research
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v.40
no.1
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pp.46-54
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2015
The thermoluminescence (TL) and optically stimulated luminescence (OSL) are commonly used to measure and record the expose of individuals to ionization radiation. Design and performance test results of a newly developed TL and OSL measurement system are presented in this paper. For this purpose, the temperature of the TL material can be controlled precisely in the range of $1{\sim}1.5^{\circ}C$ by using high-frequency (35 kHz) heating system. This high-frequency power supply was made of transformer with ferrite core. For optical stimulation, we have completed an optimal combination of the filters with the arrangement of GG420 filter for filtering the stimulating light source and a UG11 filter at the detecting window (PMT). By using a high luminance blue LED (Luxeon V), sufficient luminous intensity could be obtained for optical stimulation. By using various control boards, the TL/OSL reader device was successfully interfaced with a personal computer. A software based on LabView program (National Instruments, Inc.) was also developed to control the TL/OSL reader system. In this study, a multi-functional TL/OSL dosimeter was developed and the performance testing of the system was carried out to confirm its reliability and reproducibility.
We present, for the first time, a prototype active-matrix field emission display (AMFED) in which an amorphous silicon thin-film transistor (a-Si TFT) and a molybdenum-tip field emitter array (Mo-tip FEA) were monolithically integrated on a glass substrate for a novel active-matrix cathode (AMC) plate. The fabricated AMFED showed good display images with a low-voltage scan and data signals irrespective of a high voltage for field emissions. We introduced a light shield layer of metal into our AMC to reduce the photo leakage and back channel currents of the a-Si TFT. We designed the light shield to act as a focusing grid to focus emitted electron beams from the AMC onto the corresponding anode pixel. The thin film depositions in the a-Si TFTs were performed at a high temperature of above 360°C to guarantee the vacuum packaging of the AMC and anode plates. We also developed a novel wet etching process for $n^+-doped$ a-Si etching with high etch selectivity to intrinsic a-Si and used it in the fabrication of an inverted stagger TFT with a very thin active layer. The developed a-Si TFTs performed well enough to be used as control devices for AMCs. The gate bias of the a-Si TFTs well controlled the field emission currents of the AMC plates. The AMFED with these AMC plates showed low-voltage matrix addressing, good stability and reliability of field emission, and good light emissions from the anode plate with phosphors.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.17
no.4
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pp.19-26
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2010
We found that saturated water vapor pressure is the most dominant stress factor for the degradation phenomenon in the package for high-power phosphor-converted white light emitting diode (high power LED). Also, we proved that saturated water vapor pressure is effective acceleration stress of LED package degradation from an acceleration life test. Test conditions were $121^{\circ}C$, 100% R.H., and max. 168 h storage with and without 350 mA. The accelerating tests in both conditions cause optical power loss, reduction of spectrum intensity, device leakage current, and thermal resistance in the package. Also, dark brown color and pore induced by hygro-mechanical stress partially contribute to the degradation of LED package. From these results, we have known that the saturated water vapor pressure stress is adequate as the acceleration stress for shortening life test time of LED packages.
Kim, Geunho;Shin, Dongkyun;Lee, Dong-Ju;Kim, Eundo
Journal of the Korea Convergence Society
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v.11
no.10
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pp.1-7
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2020
The manufacturing process of the resistive variable memory device, which is the based of neuromorphic device, maintained the continuity of vacuum process and applied plasma module suitable for the production of the ReRAM(resistive random access memory) and process technology for the neuromorphic computing, which ensures high integrated and high reliability. The ReRAM device of the oxide thin-film applied to the plasma module was fabricated, and research to improve the properties of the device was conducted through various experiments through changes in materials and process methods. ReRAM device based on TiO2/TiOx of oxide thin-film using plasma module was completed. Crystallinity measured by XRD rutile, HRS:LRS current value is 2.99 × 103 ratio or higher, driving voltage was measured using a semiconductor parameter, and it was confirmed that it can be driven at low voltage of 0.3 V or less. It was possible to fabricate a neuromorphic ReRAM device using oxygen gas in a previously developed plasma module, and TiOx thin-films were deposited to confirm performance.
This article aims to turn out the authentication of archaeological materials by using the paleodose measurement to fine sand-size quartz grains obtained by micro sampling technique. We firstly revealed the validity of micro sampling technique from the paleodoses of two bricks related to Muryong Royal Tomb of Baekje Kingdom. For the purpose of authentication test, four archaeological materials were selected, because they have been insisted that they were manufactured in Goguryeo Kingdom era. After obtaining very few quartz grains by micro sampling technique, each paleodose was evaluated by using SGR (single grain regenerative dose method). All values were very low below 0.2Gy and the reliability was found from those values by using SAR (single aliquot regenerative dose method). Considering the archaeological situation and the general paleodose, the burial time for 1,000 years generally corresponds to about 3.5Gy in Korea, it is concluded that these archaeological materials are all modern counterfeits.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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