• 제목/요약/키워드: Reference resistor

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표준 센서 출력신호를 5V 전압-출력을 변환하는 디지털 계측 증폭기 설계 (A Design of Digital Instrumentation Amplifier converting standard sensor output signals into 5V voltage-output)

  • 차형우
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제48권11호
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    • pp.41-47
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    • 2011
  • 산업용 표준 센서 신호처리를 위해 다양한 입력신호를 5V 전압 출력으로 변환하는 새로운 디지털 계측 증폭기(DIA)를 설계하였다. 이 계측 증폭기는 상용의 계측증폭기, 7개의 아날로그 스위치, 2개의 1.0V와 -10.0V의 기준전압, 그리고 4개의 저항기로 구성된다. 신호 변환원리는 입력신호에 따라 저항기와 기준전압을 디지털적으로 선택하여 5V의 출력전압을 얻도록 회로 구성을 바꾸는 것이다. 시뮬레이션 결과 DIA는 0V~5V, 1V~5V, -10V~+10V, 그리고 4mA~20mA의 입력신호에 대하여 우수한 0~5V 출력전압 특성을 얻을 수 있다는 것을 확인하였다. 4가지 입력 신호에 대하여 비선형오차는 0.1%이하이다.

불꽃 점화시스템에서 복사되는 전자파의 세기에 스파크 플러그가 미치는 영향에 대한 실험적 연구 (An Experimental Study on the Effects of Spark Plug on the Strength of Electromagnetic Waves Radiating at the Spark Ignition System)

  • 최광제;조시기;장성국
    • 한국자동차공학회논문집
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    • 제15권6호
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    • pp.94-101
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    • 2007
  • This paper, we analyzed that the measured data of the radiated power spectrum of electromagnetic waves and the standing wave ratio(SWR) of the spark plug cable and spark plug. The measured data are the power strength of the electromagnetic waves radiated from the spark ignition system, the measured frequency ranges are 110 to 610MHz. The results show that the strength of radiated power spectrum and bandwidth have relation to the SWR of the the spark plug cable and spark plug, and the SWR of them is different because of the characteristics of resistor at the spark plug is different with the manufacturers. From the analyzed results, it can be concluded that the less SWR is little, the less maximum level of power spectrum is weak and bandwidth above the reference level is small.

A Gate-Leakage Insensitive 0.7-V 233-nW ECG Amplifier using Non-Feedback PMOS Pseudo-Resistors in 0.13-μm N-well CMOS

  • Um, Ji-Yong;Sim, Jae-Yoon;Park, Hong-June
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제10권4호
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    • pp.309-315
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    • 2010
  • A fully-differential low-voltage low-power electrocardiogram (ECG) amplifier by using the nonfeedback PMOS pseudo-resistors is proposed. It consists of two operational-transconductance amplifiers (OTA) in series (a preamplifier and a variable-gain amplifier). To make it insensitive to the gate leakage current of the OTA input transistor, the feedback pseudo-resistor of the conventional ECG amplifier is moved to input branch between the OP amp summing node and the DC reference voltage. Also, an OTA circuit with a Gm boosting block without reducing the output resistance (Ro) is proposed to maximize the OTA DC gain. The measurements shows the frequency bandwidth from 7 Hz to 480 Hz, the midband gain programmable from 48.7 dB to 59.5 dB, the total harmonic distortion (THD) less than 1.21% with a full voltage swing, and the power consumption of 233 nW in a 0.13 ${\mu}m$ CMOS process at the supply voltage of 0.7 V.

아날로그메모리를 이용한 플레쉬 ADC (Development of a Flash ADC with an Analog Memory)

  • 채용웅
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제6권4호
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    • pp.545-552
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    • 2011
  • 본 논문에서는 일반적인 플레쉬 ADC에서 저항열을 이용하여 기준전압을 생성한 것과는 달리, 부유게이트를 이용하여 기준전압을 생성한다. 제안된 플레쉬 ADC를 포함하는 파이프라인 ADC에서 행위모델 시뮬레이션을 수행했을 때 생성된 상기 플레쉬 ADC를 포함하는 파이프라인 ADC의 SNR은 약 77 dB, 해상도는 12 bit이고, 90 % 이상이 ${\pm}0.5$ LSB 이내의 INL을 보여주고 있으며, INL과 마찬가지로 90 % 이상이 ${\pm}0.5$ LSB 이내의 DNL 결과를 보였다.

저항-전압변환회로를 이용한 $WO_3$ 박막의 수소검지 특성 측정 (Hydrogen Detecting Characteristics of the $WO_3$ Films Using the R/V Converting Circuit)

  • 이동희;고중혁;김영환;성영권
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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    • pp.767-769
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    • 1998
  • Using the R/V converting circuit, hydrogen detecting characteristics of the $WO_3$ films were investigated. The R/V converting circuit is configured with the equivalently constant current driving method connecting an unknown resistor to be measured in the feedback loop of the or-amr rather than using a separated constant current circuit. The response time of the reference voltage for the R/V converting circuit was simulated by the circuit simulator "SABER", and it was found that the response time in the high resistance range become longer and the error amounts to 10%. From the simulation results. replacing the capacitor in the feedback loop of the second stage or-amp with a 0.001uF capacitor, when measuring in the high resistance range, the response characteristics are remarkably improved. The response time was shortened from about 10 seconds to below 1 second. Using this circuit, the effect of $WO_3$ films deposited by sputtering method on hydrogen was measured.

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휴대용 배터리 구동 시스템을 위한 8V-12V 내장형 CMOS DC-DC 컨버터 (The Embedded 8V-to-12V CMOS DC-DC Converter for a Mobile Battery-Powered System)

  • 오원석;이승은;이성철;박진;최종찬
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 D
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    • pp.2577-2579
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    • 2002
  • In this paper, we describe a CMOS DC-DC converter with a variable output voltage(8-12V @100mA) for a portable battery-operated system applications. The proposed DC-DC converter is used along with a Pulse-Frequency Modulation (PFM) method and consists of a reference circuit, a feedback resistor, a controller, and an internal oscillator. The integrated DC-DC converter with two external passive components(L.C) has been designed and fabricated on a 0.6${\mu}m$ 2-poly, 3-metal CMOS process and could be applied to the Personal Digital Assistants(PDA), Cellular Phone, Laptop Computer, etc.

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휴대용 멀티기기를 위한 PFM방식의 승압형 DC-DC 변환기 (PFM-Mode Boost DC-DC Convertor for Mobile Multimedia Application)

  • 김지만;박용수;송한정
    • 전자공학회논문지 IE
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    • 제47권3호
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    • pp.14-18
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    • 2010
  • 본 논문은 휴대용 배터리 구동시스템을 위한 다양한 출력전압(5-7V,100mA)을 가지는 CMOS DC-DC 변환기를 제안한다. 제안하는 DC-DC 변환기는 Pulse-Frequency Modulation (PFM) 방식을 사용하였고, 기준전압회로, 피드백 저항, 컨트롤러, 내부 파형발생기를 사용하였다. 2개의 외부 수동 소자들 (L,C)을 가진 집적화된 DC-DC 변환기는 0.5um 2-poly 4-metal CMOS 공정에서 설계 되었고 PDA, 휴대폰, 노트북 등에 적용 가능하다.

Interpolation 기법을 이용한 3.3V 8-bit 500MSPS Nyquist CMOS A/D Converter의 설계 (A 3.3V 8-bit 500MSPS Nyquist CMOS A/D Converter Based on an Interpolation Architecture)

  • 김상규;송민규
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권8호
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    • pp.67-74
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    • 2004
  • 이 논문에서는 Interpolation 구조를 이용한 3.3V 8-bit 500MSPS CMOS A/D 변환기를 설계하였다. 고속 동작의 문제를 해결하기 위해서 새로운 프리앰프, 기준 전압 흔들림을 보정하기 위한 회로, 평균화 저항을 제안하였다. 제안된 Interpolation A/D 변환기는 Track & Hold, 256개의 기준전압이 있는 4단 저항열, 128개의 비교기 그리고 디지털 블록으로 구성되어 있다. 제안된 A/D 변환기는 0.35um 2-poly 4-metal N-well CMOS 공정이다. 이 A/D 변환기는 3.3V에서 440mW를 소비하며, 유효 칩 면적은 2250um x 3080um을 갖는다.

Parallel Control of Shunt Active Power Filters in Capacity Proportion Frequency Allocation Mode

  • Zhang, Shuquan;Dai, Ke;Xie, Bin;Kang, Yong
    • Journal of Power Electronics
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    • 제10권4호
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    • pp.419-427
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    • 2010
  • A parallel control strategy in capacity proportion frequency allocation mode for shunt active power filters (APFs) is proposed to overcome some of the difficulties in high power applications. To improve the compensation accuracy and overall system stability, an improved selective harmonic current control based on multiple synchronous rotating reference coordinates is presented in a single APF unit, which approximately implements zero steady-state error compensation. The combined decoupling strategy is proposed and theoretically analyzed to simplify selective harmonic current control. Improved selective harmonic current control forms the basis for multi-APF parallel operation. Therefore, a parallel control strategy is proposed to realize a proper optimization so that the APFs with a larger capacity compensate more harmonic current and the ones with a smaller capacity compensate less harmonic current, which is very practical for accurate harmonic current compensation and stable grid operation in high power applications. This is verified by experimental results. The total harmonic distortion (THD) is reduced from 29% to 2.7% for a typical uncontrolled rectifier load with a resistor and an inductor in a laboratory platform.

PoRAM의 4bit 셀 어레이 구조와 이를 동작시키기 위한 센싱 기법 (The 4bit Cell Array Structure of PoRAM and A Sensing Method for Drive this Structure)

  • 김정하;이상선
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제44권6호
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    • pp.8-18
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    • 2007
  • 본 논문에서는 PoRAM의 4bit 셀 어레이 구조와 이를 동작시키기 위한 센싱 방법에 대해서 연구하였다. PoRAM은 기존의 SRAM이나 DRAM과는 다른 동작을 취한다. PoRAM 소자의 상단전극과 하단전극에 전압을 가했을 때 저항 성분 변화에 따른 셀에 흐르는 전류를 측정하여 상태를 구분한다. 셀 어레이의 새로운 어드레싱 방법으로, 행-디코더는 "High", 열-디코더는 "Low"로 선택하여, 셀에 해당하는 전류가 워드라인에서 비트라인으로 흐르게 하였다. 이때 흐르는 전류를 큰 값으로 증폭시켜 원하는 값을 얻고자 전압 센스 앰플리파이어를 사용한다. 이는 전압 센싱 방법인 전류 미러를 이용한 1단 차동 증폭기를 사용한다. 전압 센스 앰플리파이어에서 증폭을 시켜주기 위해 셀에서 측정된 전류 값을 전압 값으로 변환시켜주는 장치가 필요하다. 1단 차동 증폭기 입력 단에 소자 저항인 diode connection NMOS을 달아주었다. 이를 사용함으로써 전류 값과 저항 값의 곱으로 나타내어진 입력값(Vin)과 기준전압(Vref)을 비교하여 지우기 상태일 경우에는 "Low", 쓰기 상태일 경우에는 "High"로 증폭되는 것을 확인했다.