• Title/Summary/Keyword: Raman 분광법

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Controlling the Properties of Graphene using CVD Method: Pristine and N-doped Graphene (화학기상증착법을 이용한 그래핀의 물성 조절: 그래핀과 질소-도핑된 그래핀)

  • Park, Sang Jun;Lee, Imbok;Bae, Dong Jae;Nam, Jungtae;Park, Byung Jun;Han, Young Hee;Kim, Keun Soo
    • KEPCO Journal on Electric Power and Energy
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    • v.1 no.1
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    • pp.169-174
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    • 2015
  • In this research, pristine graphene was synthesized using methane ($CH_4$) gas, and N-doped graphene was synthesized using pyridine ($C_5H_5N$) liquid source by chemical vapor deposition (CVD) method. Basic optical properties of both pristine and N-doped graphene were investigated by Raman spectroscopy and XPS (X-ray photoemission spectroscopy), and electrical transport characteristics were estimated by current-voltage response of graphene channel as a function of gate voltages. Results for CVD grown pristine graphene from methane gas show that G-peak, 2D-peak and C1s-peak in Raman spectra and XPS. Charge neutral point (CNP; Dirac-point) appeared at about +4 V gate bias in electrical characterization. In the case of pyridine based CVD grown N-doped graphene, D-peak, G-peak, weak 2D-peak were observed in Raman spectra and C1s-peak and slight N1s-peak in XPS. CNP appeared at -96 V gate bias in electrical characterization. These result show successful control of the property of graphene artificially synthesized by CVD method.

In-Situ Raman Spectroscopic Investigation of Oxide Films on Structural Materials in Nuclear Power Plants (라만 분광법을 이용한 원전 구조재료 실시간 산화막 분석 연구)

  • Kim, Jong Jin;Kim, Ji Hyun
    • CORROSION AND PROTECTION
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    • v.12 no.1
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    • pp.24-29
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    • 2013
  • 원자력 발전소의 설계 수명이 늘어나고 기존의 가동 원전 또한 장기 운전을 목표로함에 따라, 원자로 압력용기, 가압기, 증기발생기, 배관 등의 주요 구조재료의 장기 열화에 따른 재료 건전성을 유지하는 것이 매우 중요하다. 특히, 응력부식균열 현상은 장기 열화에 의해 일어날수 있는 구조재료에서의 심각한 취화 문제들중의 하나로써, 이 현상을 예방하거나 지연시키기 위해서는 현상의 근본원인과 작동기구를 규명하는 것은 원전의 안전성 유지를 위해 매우 중요하다. 이를 위해서 구조재료 표면의 원전 운전 조건에서의 산화막 특성과 그 형성 거동을 분석하는 것은 매우 중요하게 되는데, 원전 운전 조건은 고온고압의 수화학 환경으로 일반 환경에서 사용가능한 다양한 분석 방법들을 적용하기에 많은 제약을 받게 된다. 그러나, 라만 분광법은 가동 원전의 운전 조건인 고온/고압수 환경 하에서도 실시간으로 산화막 분석이 가능한 기법으로, 본 논문에서는 지금까지의 라만 분광법을 이용하여 고온고압수 환경에서의 주요 구조용 금속 및 합금 표면에 생성된 산화막에 대한 분석 연구 결과에 대하여 소개하고, 앞으로 이를 이용한 구조재료의 열화 현상을 분석 및 열화기구 규명을 위한 연구개발 방향을 제시하고자 한다.

Analysis of DLC Coating on Micro-Blades Using Raman Spectroscopy (라만 분광법을 이용한 마이크로 블레이드 표면의 DLC층 분석)

  • Jang, Jae-Cheol;Kim, Song-Hui;O, Gyeong-Jin
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2015.05a
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    • pp.145-146
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    • 2015
  • 초미세 가공 및 치수안정성 향상을 위한 다이아몬드 마이크로 블레이드의 DLC 코팅이 연삭 과정에서 결합구조가 안정적으로 유지되는지 알아보기 위해 Cu/Sn 금속 결합재에 $MoS_2$ 고체 윤활제를 첨가한 후 PAPVD법으로 DLC 박막을 블레이드의 측면에 증착하였다. 실착 절삭 시험을 위해 마이크로 블레이드 시편을 제조하여 충분한 드레싱 과정 후 절삭 시험을 행하였으며 라만 분광법을 통해 절삭 전후 DLC 코팅에 존재하는 $sp^2$, $sp^3$ 결합의 분율을 조사하고 그 결과를 토대로 DLC 코팅의 특성의 변화를 분석하였다. DLC 코팅에 존재하는 D밴드와 G밴드의 비인 ID/IG는 절삭 후 증가하는 경향을 보였으며 결과적으로 절삭 과정 중 흑연화가 진행되었음을 확인하였다.

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A Study on the Photo-Degradation Properties of the Spiropyran Using THz-TDS (테라헤르츠 시간 영역 분광법을 이용한 스피로파이란의 광 퇴화 특성 연구)

  • Bang, Jin-Hyuk;Park, Myoung-Hwan;Ryu, Han-Cheol
    • Journal of the Korean Chemical Society
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    • v.60 no.1
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    • pp.28-33
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    • 2016
  • The spiropyran is a typical material having photodegradation properties in the process of photochromism. The spiropyran has been utilized in various applications such as optical switch, optical memories, and biosensor because of its remarkable stability, fast responsive time, stronger color change, and photo-induced controllability. However, the spriropyran is photodegraded by the repetitive optical irradiation. The photodegradation of spiropyran have been investigated by using UV-Visible spectroscopy, nuclear magnetic resonance (NMR), and Raman spectroscopy. Herein, the properties of spiropyran were characterized by using terahertz time-domain spectroscopy (THz-TDS) in the terahertz frequency region. In terahertz region, the measured absorbance of spiropyran was increased due to the photodegradation induced by the repetitive UV irradiation. The absorbance tendency of spiropyran in the terahertz frequency region was compared with that in the visible region, and they were completely opposite to each other.

Raman Spectroscopy Study of Carothermal Reactions in Double-layer Graphene on $SiO_2$ Substrates

  • Park, Min-Gyu;Ryu, Sun-Min
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.387-387
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    • 2012
  • 그래핀(graphene)의 가장자리(edge)는 결정구조의 배향성에 따라 지그재그(zigzag)와 안락의자 (armchair) 형태로 구분되는데, 나노미터 크기의 그래핀의 전자적 성질은 이러한 가장자리의 배향성에 의해 크게 영향을 받는다고 알려져 있다. 단일층 그래핀 가장자리 사이에서 일어나는 산화실리콘($SiO_2$)의 carbothermal reduction은 선택적으로 지그재그 형태의 가장자리를 생성한다고 알려져 있다. 본 연구에서는 라만 분광법과 원자 현미경(atomic force microscopy)을 이용하여 기계적 박리법으로 만들어진 이중층 그래핀에서 일어나는 carbothermal reaction을 연구하였다. 고온 산화 방법으로 이중층 그래핀에 원형 식각공(etch pit)을 만들고 Ar 기체 속에서 700도 열처리를 진행한 후, 원형 식각공이 육각형으로 확장된 것을 관찰하였다. 이것은 이중층 그래핀도 산화실리콘의 carbothermal reduction을 유발한다는 사실을 보여준다. 그러나 이중층 그래핀의 반응속도는 단일층보다 느린 것이 확인되었는데, 이는 이중층 그래핀의 탄소 원자와 산화제로 작용하는 산화실리콘 간의 평균 거리가 단일층보다 더 크다는 사실로 설명할 수 있다. 또한 본 연구에서는 반응기 내의 압력이 반응 속도에 미치는 영향과 식각공이 육각형으로 변해가는 과정에 대한 라만 분광 특성을 조사 및 분석하였다.

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Characterization of post-annealed Si QDs in $Si_{1-x}C_x$ thin film by RF co-sputtering (RF Co-sputtering법에 의한 $Si_{1-x}C_x$ 박막 증착 및 후 열처리에 따른 양자점 박막 특성 분석)

  • Moon, Ji-Hyun;Kim, Hyun-Jong;Cho, Jun-Sik;Chang, Bo-Yun;Ko, Chang-Hyun;Park, Sang-Hyun;Yun, Kyoung-Hoon;Song, Jin-Soo;O, Byung-Sung;Lee, Jeong-Chul
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2009.06a
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    • pp.33-36
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    • 2009
  • 고효율 양자점 태양전지를 위하여 $Si_{1-x}C_x$ 박막 내에 Si 양자점을 형성한 박막을 제작하고 그 특성을 분석하였다. $Si_{1-x}C_x$ 박막은 Si과 C target을 co-sputtering하여 증착하였다. C target의 RF power를 변화시켜 $Si_{1-x}C_x$ 박막의 조성비를 조절하였으며, 조성비는 auger electron spectroscopy로 정량적으로 측정하였다. 이 박막들을 질소 분위기에서 후 열처리하여 high resolution transmittance electron microscopy로 확인한 결과 박막 내에 2~10nm 크기의 양자점이 형성된 것을 관측할 수 있었다. 이 양자점은 transmittance electron diffraction과 grazing incident X-ray diffraction을 통해 Si 양자점과 SiC 양자점이 형성되었음을 알 수 있었다. Raman 측정 결과에서는 후 열처리한 $Si_{1-x}C_x$ 박막의 조성비가 증가할 수록 crystal Si peak의 shift가 증가함을 알 수 있었고, 이를 통해 양자점의 크기도 함께 계산할 수 있었다. Fourier transform infrared spectroscopy을 통해 후 열처리한 Si1-xCx 박막의 양자점의 형성 원인을 추정하였다.

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Structural Changes and Dielectric Properties of$Pb(Mg_{1}{3}Nb_{2}{3})O_3$Ceramics Substituted by$Na^+/La^{3+}$Ions ($Na^+/La^{3+}$이온으로 치환된$Pb(Mg_{1}{3}Nb_{2}{3})O_3$의 구조 변화 및 유전 성질)

  • Hong, Young-Sik;Park, Hyu-Bum;Ahn, Tae-Ho;Kim, Si-Joong
    • Journal of the Korean Chemical Society
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    • v.40 no.9
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    • pp.607-614
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    • 1996
  • The structural changes and dielectric properties of Pb1-x(Na1/2La1/2)x(Mg1/3Nb2/3)O3 compounds substituted by 0∼50 mol.% of Na+/La3+ mixed ions were investigated by X-ray diffraction method, IR and Raman spectroscopy, and LCR meter. The amount of perovskite phase increased with the increases of Na+/La3+ substituents and sintering temperatures. Although the superlattice lines due to 1:1 ordering were not detected by X-ray diffraction method, it was found, from the Raman spectroscopy and the increase of diffuseness coefficient, that the ordering behavior was related to the decrease of A site ion size. Dielectric properties in Pb1-x(Na1/2La1/2)x(Mg1/3Nb2/3)O3 were affected by the amount of perovskite phase, grain size, and density. The phase transitions were broadened and phase transition temperatures were lowered by the increase of Na+/La3+ ions.

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Raman Spectroscopy of the Solid Solution Limit in $Li_{1-X}Al_{2X}Ta_{1-X}O_3$ System (Raman 분광법을 이용한 $Li_{1-X}Al_{2X}Ta_{1-X}O_3$ 고용한계 분석)

  • Kim, Chong-Don;Hong, Kug-Sun;Joo, Gi-Tae
    • Analytical Science and Technology
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    • v.5 no.1
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    • pp.115-120
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    • 1992
  • The upper limit of solid solution of $Al_2O_3$ in $LiTaO_3$ was investigated using X-ray diffraction and Raman spectroscopy. By substituting cations in $LiTaO_3$ with $Al^{3+}$, the melting temperature was lowed and the ferroelectric properties can be improved. It is easier at lower temperature to fabricate the single crystal used for SAW filters and IR sensors. From the measured lattice constants and Raman band broadening, the solubility limit was X=0.25mol in $Li_{1-X}Al_{2X}Ta{1-X}O_3$, above which $Al_2O_3$ was obsered as a second phase. The Raman band of sintered $LiTaO_3$ was compared with that of the single crystal to see the effect of grain size on the band broadening.

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Raman Spectroscopy Study of Diffusion of Water into Graphene/$SiO_2$ Interface

  • Lee, Dae-Eung;Ryu, Sun-Min
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.08a
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    • pp.388-388
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    • 2012
  • 친수성 기판과 소수성 그래핀(graphene) 계면에서의 물의 확산 현상은 호기심을 자극할 뿐만 아니라 그래핀 소자의 특성을 좌우하는 전하도핑(charge doping) 현상을 이해하는데 중요한 모델이 된다. 본 연구에서는 라만 분광법을 이용하여 그래핀/$SiO_2$ 계면에서의 물의 확산 현상을 탐구하였다. 열처리된 그래핀은 기판과의 상호작용에 의해 높은 밀도의 정공(electron hole)으로 도핑되어 있기 때문에, 물이 계면을 통해 확산하게 되면 정공의 밀도를 감소시킬 수 있게 된다. 본 실험에서는 이차원 라만 분광법을 통해 물 속에 담겨진 그래핀의 정공 밀도의 공간적인 분포를 확산 시간에 따라 조사하였다. 물의 확산은 시료에 따라 수 시간에서 수 일의 시간대에 걸쳐 그래핀 가장자리에서 중앙으로 이루어진다는 사실을 확인하였다. 또한 물의 계면확산으로 인해서 전하 밀도가 감소한다는 사실은 열처리된 그래핀의 정공 도핑을 유발하는 산소가 그래핀/$SiO_2$ 계면에 존재한다는 것을 증명한다.

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