• 인터넷정보학회논문지
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• 제9권6호
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• pp.117-125
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• 2008

유비쿼터스 응용 시스템에 대한 관심의 증대와 함께 소형화된 임베디드 컴퓨팅 시스템의 필요성은 커지고 있다. 이러한 가운데 ARM 임베디드 프로세서는 기능의 우수성과 높은 활용도로 인해 임베디드 시스템 시장에서 높은 점유율을 보여주고 있다. 본 논문에서는 ARM 마이크로컨트롤러를 이용해 RTD-1000 컨트롤러 구성과 개발을 위한 최적의 방법을 제안하였다. 기존 RTD-1000은 케이블의 단선, 단락, 파손 등의 진단이 가능한 TDR를 탑재하여 구리선을 삽입한 감지관의 누수 및 누유, 파괴 등을 원격으로 감지할 수 있는 기기이다. 실제로 시공되어 현장에서 운영되고 있는 RTD-1000은 시스템 운영에 필요한 범위에 비해 리소스 낭비가 크고 그에 따라 구축비용이 높다는 단점을 가지고 있다. 또한, 발열이 심해 별도의 냉각장치가 요구되며, 하드 디스크와 같은 보조저장장치의 사용으로 고장 발생율과 전류의 소비가 커지는 등의 문제점을 야기하였다. 본 논문에서는 도출된 문제점의 해결 방법으로 ARM 마이크로컨트롤러 기반의 RTD-1000A 임베디드 시스템을 제안하고 시뮬레이션 하였다.

• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제14권8호
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• pp.1041-1049
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• 2011

사회의 발전과 함께 사회 기반을 구성하는 시설물들의 관리에 대한 연구가 지속되고 있으며, 사회 각 분야에서는 다양한 아이디어를 바탕으로 새로운 시스템을 구축하여 왔다. 그 중 상수도 관망 관리를 위해서 현재 시공되어 운영되고 있는 RTD-1000은 누수 및 파손 등을 원격으로 감지하는 기기로써, PC 기반의 시스템 형태를 가지고 있다. 하지만 PC 기반에서 오는 리소스 소비, 발열, 소비전력이 크다는 취약점이었다. 본 논문에서는 RTD-1000의 취약점을 보완한 개량된 시스템인 RTD-2000을 제안한다. 이 시스템은 WinCE 기반의 ARM9 개발 킷과 LCD가 제거된 TDR만으로 설계 및 구현되었다. RTD-1000에 탑재되었던 윈도우 기반의 각종 감지 프로그램들은 ARM9 기반의 전용 임베디드 S/W로 대체하였고, 성능 비교를 위하여 시뮬레이션 및 평가를 수행하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1806-1808
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• 1999

The electrical and physical characteristics of MgO and Pt thin-films on Si substrate, deposited by r.f magnetron sputtering. It were analyzed with annealing condition($1000^{\circ}C$ for 120 min) by four point probe, a-step, SEM and XRD. Until $1000^{\circ}C$ of annealing temperature, MgO medium layer had the properties of improving Pt adhesion to $SiO_2$ and insulation without chemical reaction to Pt thin-films and the resistivity of Pt thin-films was improved. In the analysis of properties of Pt-RTD, TCR value had $3927ppm/^{\circ}C$ and liner in the temperature range of room temperature ${\sim}400^{\circ}C$.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권9호
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• pp.1409-1418
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• 1990

Characteristics of NMOS transistors with phosphorus source/drain junctions formed by two-step rapid thermal diffusion (RTD) process using a solid diffusion source have been investigated. Phosphorus profiles after RTD were measured by SIMS analysis. In the case of 1100\ulcorner, 10sec RTD of, P, the specific contact resistance of n+ Si-Al was 2.4x10**-7 \ulcorner-cm\ulcorner which is 1/5 of the As junction The comparison fo P junction devices formed by RTD and conventional As junction devices shows that both short channel effect and hot carrier effect of P junction devices are smaller than those of As junction devices when the devices have same junction depths. P junction device had maximum of 0.4 times lower Isub/Id than As junction device. Characteristics of P junction formed by several different RTD conditions have been compared and 1000\ulcorner RTD sample had the smaller hot carrier generation. Also, it has been shown that the hot carrier generation can be futher reduced by forming the P junctions by 3-step RTD which has RTO-driven-in process additionally.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.431-434
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• 1998

Platinum-Cobalt alloy thin films were deposited on Al$_2$O$_3$ substrate by r.f. cosputtering for RTD temperature sensors. We made Pt-Co alloy resistance patterns on the Al$_2$O$_3$ substrate by lift-off method and investigated the physical and electrical characteristics of these films under various conditions (the input power, working vacuum, annealing temperature, thickness of thin films) and also after annealing these films. At input power of Pt : 4.4 W/$\textrm{cm}^2$, Co : 6.91 W/$\textrm{cm}^2$, working vacuum on and annealing conditions of 1000 $^{\circ}C$ and 60 min, the resistivity and the sheet resistive thin films were 15 ${\mu}$$\Omega$$.$cm and 0.5 $\Omega$/$\square$, respectively. The TCR value of Pt-Co a films was measured with various thickness of thin films and annealing temperature. T TCR value is gained under condition 3000${\AA}$ of thin films thickness and 1000$^{\circ}C$ of temperature. These results indicate that Pt-Co alloy thin films have potentiality for the wide temperature ranges.

• 한국표면공학회지
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• 제32권1호
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• pp.3-9
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• 1999

Pt thin film of about 7000$\AA$ thickness was deposited on the alumina substrate using DC Magnetron Sputter and the characteristics of the film for temperature sensor were investigated. When film of about 7000$\AA$ thickness was deposited at working gas pressure of $2.0{\times}10^{-3}$torr, sputtering power of 50W, substrate temperature of $350^{\circ}C$(Ts), sheet resistance(Rs), resistivity($\rho$) and temperature coefficient of resistivity(TCR) of the film were respectively 0.39$\Omega$/$\square$, 27.60$\mu\Omega$-cm and $3350 ppm/^{\circ}C$. When the film was annealed at $1000^{\circ}C$ for 240min in hydrogen ambient, Rs, $\rho$ and TCR were respectively 0.236$\Omega$/$\square$, 15.18$\mu\Omega$-cm and 3716 ppm/$3716 ppm/^{\circ}C$. When working gas of 15sccm oxygen and 100sccm Argon were used, Rs, $\rho$ and TCR were respectively 0.335$\Omega$/$\square$, 22.45$\mu\Omega$-cm and $3427 ppm/^{\circ}C$. When the film was annealed at $1000^{\circ}C$ for 240min, Rs, $\rho$and TCR were respectively 0.224/$\Omega$$\square$, 14$\mu\Omega$-cm and $3760 ppm/^{\circ}C$ and the characteristics of the film were much improved.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 G
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• pp.2544-2546
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• 1998

The electrical and physical charateristics of Pt-Co alloy thin films on $Al_2O_3$ substrate, deposited by r.f cosputtering respectively, were analyzed with thickness of thin films ($1700{\sim}10000{\AA}$) and increasing annealing temperature ($800{\sim}1000^{\circ}C$). At input power of Pt : 4.4 W/$cm^2$, Co : 6.91 W/$cm^2$, working vacuum of 10 mTorr and annealing conditions of $1000^{\circ}C$) and 60 min, the resistivity and sheet resistivity of Pt-Co thin films with thickness of $3000{\AA}$ was $15{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ and 0.5 ${\Omega}/{\square}$, respectively. The TCR value of Pt-Co alloy thin films was measured with various thickness of thin films and annealing conditions. The optimum TCR value of 3850 ppm/$^{\circ}C$ in temperature range($200{\sim}400^{\circ}C$) is gained under conditions $3000{\AA}$ of thin films thickness and $1000^{\circ}C$ of annealing temperature. The thermal charateristics of Pt-Co micro heaters were analysed with Pt-Co RTD integrated on the same substrate. In the analysis of characteristics of Pt-Co micro heaters, the Pt-Co micro heaters with thickness of $3000{\AA}$ and annealing temperature of $1000^{\circ}C$ had a good linearity and temperature is up to $468.2^{\circ}C$ with 2.1 watts of the heating power.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2014년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.239-240
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• 2014

본 논문에서는 국제 핵융합실험로용 VS 컨버터 제어기 해석 및 실험에 대하여 서술하였다. VS 컨버터는 플라즈마의 수직 안정성을 제어하기 위해서 ${\pm}1000V$의 정격전압과 최대 ${\pm}25kA$의 전류를 공급해야 하며, 영 전류구간이 없이 4상한 운전을 수행할 수 있어야 한다. 이를 위해서 부하전류의 크기에 따른 동작모드 구분과 순환전류제어기, 차전류 제어기가 요구되며 싸이리스터의 소자 특성에 의하여 발생하는 중복각 보상과 싸이리스터의 전류실패를 방지하는 감마제어가 포함이 된 점호각이 보장 되어야 한다. 본 논문에서는 국제 열핵융합실험로용 VS 컨버터 제어기를 해석하고, 실제 제어기와 RTDS를 연동하여 9ms의 순환전류 제어기 응답성과 계통에 50% 새그가 발생하였을 때 전류실패를 방지하는 감마제어의 타당성을 실험으로 확인하였다.

• 인터넷정보학회논문지
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• 제9권4호
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• pp.157-166
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• 2008

지하 시설물인 상수도관망의 관리에 관한 몇몇 연구에서와 같이 최근 지하 시설물 관리에 대한 흥미가 대두되고 있다. 본 논문에서는 유비쿼터스 환경을 구현하기 위한 스마트태그를 적용한다. 또한 제안한 프로그램의 구현을 위하여 사용된 GPS 기술은 GPS와 RFID 혼합 비즈니스 모델을 사용하며 효과적으로 RFID 시스템으로 지하 매설물들의 데이터를 관리하고 GIS상에서 네트워크 통신과 GPS 수신모듈을 통하여 전체 시스템의 고품질의 실용적이고 효율적인 시스템을 제공한다. 본 논문에서 지역혼합 데이터베이스를 사용하는 관리 시스템을 제안하였고 제안한 데이터베이스와 인터페이스 기술은 시뮬레이션을 통하여 테스트 및 평가하였다.