• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1364-1366
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• 1997

Planar type magnetized inductively coupled plasma etcher has been built. The density and temperature of Ar plasma are measured as a function of rf power, external magnetic field, and pressure. The oxide etch rate and selectivity to polysilicon are measured as the above mentioned conditions and self-bias voltage.

• 한국항공우주학회지
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• 제33권4호
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• pp.91-99
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• 2005

ALQ-X ECM 포드를 KF-16D와 RF-4C 항공기에 장착하기 위한 비행적합성 인증을 수행하였다. MIL-HDBK-1763에 부합하는 외부장착 스토어 인증 절차를 계획한 후 유사성 분석, 기존 스토어 질량 및 관성모멘트 분석, 구조해석 및 시험, 지상진동시험 및 플러터해석을 수행하여 비행시험 수행에 대한 안전성을 확인하였다. ALQ-X 장착 형상을 대표하는 비행 형상으로 MIL-HDBK-1763 Test 250 비행시험을 하였다. ALQ-X 장착 전, 후의 비행특성 차이를 분석하여 조종성을 평가 하고 구조건전성과 내구성은 계측데이터를 함께 분석하여 ALQ-X가 KF-16D 및 RF-4C와 적합성이 있음을 확인하였다. 그 결과로서 ALQ-X를 기존에 인증된 ALQ-88 및 ALQ-119와 동일하게 운용할 수 있음을 인증하였다. ALQ-X 비행인증 결과로서 도입 전투기에 대한 TYPE III 비행적합성 인증, 시험데이터를 사용한 플러터 해석 프로그램을 개발, MIL-STD-1553B 데이터버스를 사용한 비행시험 데이터를 획득할 수 있는 기법과 같은 기술적 성과를 거두었다. 본 비행인증 결과는 향후 국내에서 수행할 Type III 형식의 외부장착 스토어 비행인증의 모델케이스가 될 것으로 기대한다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
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• pp.434-444
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• 2002

본 논문에서는 기존의 RF 여파기가 대역 내에서만 정합이 되는 특성을 개선하여 대역 외에서도 50$\Omega$ 정합 특성을 가지는 여파기 설계 기술을 제안하였다. 대역 외에서 정합 시켜 주는 방법으로 결합기와 대역 통과 여파기로 구성된 Balance Type과 결합기와 대역 저지 여파기로 대역 통과 여파기 특성을 가지는 Reflection Type을 제시하여 그 특성을 확인하였다. 각각의 형태는 광대역 90도 3-㏈ 결합기를 사용한 것으로 결합기의 대역폭과 진폭 및 위상 오차에 따라 저지 대역에서의 정합 특성이 좌우되며, 이에 광대역의 3-㏈ 결합기를 설계 및 적용하여 광대역의 반사 손실 개선 효과를 얻을 수 있었다. 제작 결과 Balance type의 경우 1.2 GHz~2.6GHz까지 대역 내에서 -10㏈에서 -15 ㏈의 반사 손실 특성을 가지고 대역 저지 특성이 우수하며, Reflection type은 DC에서 3.3GHz까지 반사손실이 -15 ㏈ 내외로 광대역 정합 특성을 가진다. 특히, 저주파 반사 특성이 우수하여 저주파 발진 가능성이 큰 회로 설계에 유용하다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제9권1호
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• pp.24-27
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• 2008

ZnO has intensively attracted interest for the next generation of short wavelength LEDs and semiconductor lasers. However, for the development and application of the devices based on this material, the fabrication of p-type ZnO thin films is pivotal. Generally, the process of preparation of ZnO is unavoidably accompanied by the natural donor ions such as interstitial Zn ions and oxygen vacancy ions that show n-type electrical property and make fabrication of p-type ZnO to be a hard problem. On this study, to realize stable high-quality p-type ZnO thin films, the undoped ZnO thin films were diffused with P in vapor state. The ZnO:P thin films showed high-quality p-type properties electrically and optically.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2015년도 자성 및 자성재료 국제학술대회
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• pp.179-179
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• 2015

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권1호
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• pp.114-121
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• 2003

본 연구에서는 ISM 밴드의 블루투스 응용을 위한 2단 CMOS E급 전력증폭기를 설계하였다. 제안된 전력증폭기는 2.4GHz의 주파수에서 동작하며 0.35um CMOS기술과 Hspice 툴을 이용하여 설계 및 시뮬레이션 되었고 Mentor 툴을 이용하여 레이아웃되었다. 전력증폭기의 구조는 간단한 2단으로 설계하였다. 첫단에는 입력매칭네트웍과 전압증폭단인 전치증폭기로, 둘째단은 최대효율과 최대전력을 위한 E급 전력증폭단과 출력 매칭네트웍으로 구성하였다 내부단은 가장 간단한 구조의 L구조의 매칭네트웍을 이용하여 제작될 전체칩의 크기를 최소화하였다. 본 연구에서 제안된 전력증폭기는 2.4GHz의 동작주파수와 2.5V의 낮은 공급전압에서 25.4dBm의 출력전력과 약 39%의 전력부가효율을 얻을 수 있었다. 패드를 제외한 칩의 크기는 약 0.9${\times}$0.8(mm2)였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.360-360
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• 2012

Zn-Sn-O (Zinc-Tin-Oxide; ZTO) thin films have been gaining extensive academic and industrial attentions owing to a semiconducting channel materials applicable to large-sized flat-panel displays. Due to the constituent oxides i.e., ZnO and SnO2, the resultant Zn-Sn-O thin films possess artificially controllable bandgaps and transmittances especially effective in the visible regime. The current approach employed RF sputtering in depositing the Zn-Sn-O thin films onto glass substrates at ambient conditions. This work places its main emphases on the electrical/optical features which are closely related to the combinations of processing variables. The electrical characterizations are performed using dc-based current-voltage characteristics and ac-based impedance spectroscopy. The optical constants, i.e., refractive index and extinction coefficient, are calculated through spectroscopic ellipsometry along with the estimation of bandgaps. The charge transport of the deposited ZTO thin films is based on electrons characteristic of n-type conduction. In addition to the basic electrical/optical information, the delicate manipulation of n-type conduction is indispensible in diversifying the industrial applications of the ZTO thin films as active devices in information and energy products. Ultimately, the electrical properties are correlated to the processing variables along with the underlying mechanism which largely determines the electrical and optical properties.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2011년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.126.2-126.2
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• 2011

ZnS thin films were deposited with the radio frequency magnetron sputtering technique at various temperatures and sputtering powers. With the increase in the deposition temperature and the decrease in the radio frequency sputtering power, the crystallinity was increased and the surface roughness was decreased, which lead to the decrease in the electrical resistivity of the film. It is also clearly observed that, the intensity of the (111) XRD peak increases with increasing the substrate temperature. On the other hand, as seen in the FWHM decreased with increasing the substrate temperature. Since the FWHM of the (111) diffraction peak is inversely properties to the grain size of the film, then grain size of ZnS thin film increases with increasing the substrate temperature. The electrical resistivity and optical transmittance of the ZnS film as a function of the post-annealing temperature. It can be seen that with the annealing temperature set at $400^{\circ}C$, the resistivity decreases to a minimum value of $2.1{\times}10^{-3}\;{\Omega}cm$ and the transmittance increases to a maximum value of 80% of the ZnS film.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제24권3호
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• pp.72-76
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• 2015

Nickel oxide (NiO) thin films were grown on soda-lime glass substrates by RF magnetron sputtering method at room temperature (RT), and they were post-annealed at the temperatures of $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$ for 30 minutes in vacuum. The electronic structure, optical and electrical properties of NiO thin films were investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), reflection electron energy spectroscopy (REELS), UV-spectrometer and Hall Effect measurements, respectively. XPS results showed that the NiO thin films grown at RT and post annealed at temperatures below $300^{\circ}C$ had the NiO phase, but, at $400^{\circ}C$, the nickel metal phase became dominant. The band gaps of NiO thin films post annealed at temperatures below $300^{\circ}C$ were about 3.7 eV, but that at $400^{\circ}C$ should not be measured clearly because of the dominance of Ni metal phase. The NiO thin films post-annealed at temperatures below $300^{\circ}C$ showed p-type conductivity with low electrical resistivity and high optical transmittance of 80% in the visible light region, but that post-annealed at $400^{\circ}C$ showed n-type semiconductor properties, and the average transmittance in the visible light region was less than 42%. Our results demonstrate that the post-annealing plays a crucial role in enhancing the electrical and optical properties of NiO thin films.

• 한국진공학회지
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• 제12권2호
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• pp.136-143
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• 2003

본 논문은 비질량분리형 이온빔증착법에 이용하기 위한 고순도의 고주파 스퍼터타입 이온소스에 대한 특성을 평가했다. 고주파 구리 코일과 고순도 (99.9999 %)의 구리 타겟으로 이루어진 이온소스에 대한 기본적인 특성과 ULSI금속배선용 구리 박막으로의 응용가능성에 대해서 고찰하였다. 구리 타겟에 걸어주는 전압에 따른 구리 타겟에 흐르는 전류 특성을 고주파 전원 또는 아르곤 가스 압력을 변화시키면서 특성을 평가한 후 구리박막제작을 위한 조건에 대해서 고찰하였다. 박막 증착을 위한 기본적인 조건으로써, 타겟의 전압 -300 V와 고주파 전원 240 W, 그리고 아르곤 압력 9 Pa이 정해졌으며, 이 같은 조건에서 기판 바이어스 -50 V에서 증착된 구리 박막의 비저항값은 1.8 $\pm$ 0.1 $mu\Omega$cm로 이는 구리 벌크의 저항값(1.67 $\pm$ 0.1 $\mu\Omega$cm)에 근접한 값임을 알 수 있었다.