• 한국산학기술학회논문지
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• 제18권7호
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• pp.325-330
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• 2017

블루투스 4.0은 다양한 기기간의 통신에 활용되어 사물 인터넷에 적합한 기술이다. 자동차와 접목하여 서비스를 창출에 적합하다. 본 논문에서는 사물 인터넷 서비스의 구현 사례로, 블루투스 4.0 기술과 차량용 시스템을 연계하여 보안인증 체계를 설계한다. 보안 인증을 위한 절차를 설계하고, 데이터 서버를 활용한 인증 방법을 제안한다. 보안 인증 기능을 제공시, 위험 알림, 사용자 행동 이력에 대한 정보 수집 기능을 활용하여 다양한 부가 서비스를 창출할 수 있다. 또한 블루투스 기술과 기술의 표준화 및 발전 과정에서 소비전력을 낮춘 저전력 상에서 통신이 가능하고 접근성을 높인 무선통신 기술인 BLE(Bluetooth Low Energy) 기술을 접목하여 RFID 또는 NFC 방식을 활용하여 배터리 수명을 개선하고 인식 가능한 범위를 확장하였다. 비접촉식으로 인증 가능한 범위를 확장되어 보안 서비스를 확대할 수 있다. 본 논문에서 제안한 시스템을 활용하면 기존 무선 주파수(Radio Frequency) 기반 시스템의 문제점과 휴대성 및 배터리 사용 문제를 극복하면서, 맞춤형 서비스를 제공할 수 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.166-172
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• 2001

본 논문에서는 INMARSAT-B형 위성통신용 광대역 수신단을 저잡음증폭기와 고이득증폭기로 구성하였다. 저잡음증폭기의 입력단 정합회로는 저항 결합회로의 형태로 설계하였으며, 전원회로는 저잡음 특성이 우수한 자기 바이어스 회로를 사용하였다. 수신단 이득을 향상시키기 위해서 고이득증폭기는 양단 정합된 단일 증폭기 형태로 제작하였으며, 바이어스 안정화 저항을 사용하여 회로의 전압강하 및 전력손실을 가능한 줄이고 온도 안정성을 고려하여 능동 바이어스 회로를 사용하였으며, 스퓨리어스를 감쇠시키기 위해서 저잡음증폭기와 고이득증폭기사이에 대역통과 필터를 사용하였다. 1525~1575 MHz 대역에서 60 dB 이상의 이득, 1.8:1 이하의 입.출력 정재파비를 나타내었으며, 특히 1537.5 MHz에서 입력신호의 크기가 -126.7 dBm일 때1.02 kHz 떨어진 점에서의 C/N비가 45.23 dB/hz의 측정결과를 나타냄으로써 설계시 목표로 했던 사양을 모두 만족시켰다.

• 한국재료학회지
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• 제13권7호
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• pp.465-472
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• 2003

Pd/Ge/Ti/Pt and Pd/Ge/Pd/Ti/Au ohmic contacts to n-type InGaAs were investigated for applications to AlGaAs/GaAs HBT emitter ohmic contacts. In the Pd/Ge/Ti/Pt ohmic contact minimum specific contact resistivity of $3.7${\times}$10^{-6}$ $\Omega$$\textrm{cm}^2$ was achieved by rapid thermal annealing at $^400{\circ}C$/10 sec. In the Pd/Ge/Ti/Au ohmic contact, minimum specific contact resistivity of $1.1${\times}$10^{-6}$ $\Omega$$\textrm{cm}^2$ was achieved by annealing at 40$0^{\circ}C$/10 sec but the ohmic performance was degraded with increasing annealing temperature due to the reaction between the ohmic contact materials and the InGaAs substrate. However, non-spiking planar interface and relatively good ohmic contact (high-$10^{-6}$ /$\Omega$$\textrm{cm}^2$) were maintained after annealing at $450^{\circ}C$/10 sec. Therefore, these thermally stable ohmic contact systems are promising candidates for compound semiconductor devices. RF performance of the AlGaAs/GaAs HBT was also examined by employing the Pd/Ge/Ti/Pt and Pd/Ge/Pd/Ti/Au systems as emitter ohmic contacts. Cutoff frequencies were 63.5 ㎓ and 65.0 ㎓, respectively, and maximum oscillation frequencies were 50.5 ㎓ and 51.3 ㎓, respectively, indicating very successful high frequency operations.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권7호
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• pp.83-89
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• 1989

강유전성 $PbTiO_3$ 박막을 rf스터링으로 기판온도 $100{\sim}150^{\circ}C$에서 형성시켰다. 이 박막의 구조는 X선 회절결과 비정질 형태로 파이로클로어 구조를 갖고 있었다. 이 박막을 열에 의해 어닐링한 경우는 $550^{\circ}C$에서, 레이저의 주사로 어닐링한 경우는 레이저 출력이 50watts일때 가장 우수한 결정 구조를 구할 수 있었다. 집합에서의 계면 특성을 구하기 위하여 MFS(metal-ferroelectric-semiconductor)및 MFOS(metal-ferroelectric-oxide-semiconductor) 구조를 형성하여 C-V특성을 조사하였다. 이때 MFS보다 MFOS의 경우가 Si표면에 sputter에 의한 결함이 작음을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제13권4호
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• pp.629-635
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• 2009

본 논문에서는 하나의 국부 발진기를 갖는 FSK 이중통신 방식의 원격제어 무선 전송부를 설계 제작한다. 전 이중 방식의 FSK 양방향 동시통신 회로에서는 양방향 동시 통신을 위한 송수신 주파수를 설정하고, 반 이중방식에서는 송수신 신호를 발생하는 절체형 발진기 회로를 설계한다. 양 FSK 이중통신 방식의 원격제어 무선 전송부는 채널주파수간 간섭을 배제하기 위한 채널 사용 검지 및 자동 채널 설정 회로를 설계 구현하였으며, 400MHz 대역에서 50kHz 채널 간격을 갖는 위상동기 회로 구성의 Colpitz 형 국부발진주파수 회로와 10mW 이내의 소형 소출력 특성을 갖는다. 전 이중 방식의 송수신 주파수는 21.4MHz IF주파수의 2배 주파수인 42.8MHz주파수 간격으로 설계 구현하였다.

• 전력전자학회논문지
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• 제14권6호
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• pp.440-448
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• 2009

설비용 전원선 EMI 필터(Facility power-line EMI filter)는 컴퓨터 센터와 같이 전자기적인 노이즈에 민감한 장비를 가진 배전 설비로 유입되는 EMI를 차단하기 위해 사용된다. 따라서 전류용량이 크며 특정한 응용분야에서는 MIL-STD 220 기준으로 14kHz~10GHz의 광대역에서 최고 100dB 이상의 삽입 손실(Insertion loss)이 요구된다. 이러한 요구조건을 만족하기 위해서는 광대역의 주파수에서 커패시터, 인덕터 등의 특성 분석과 고차 LC 필터 (High order LC filter) 설계기술이 필요하다. 본 논문에서는 이러한 광대역 설비용 전원선 EMI 필터의 설계에 대하여 기술하였다. 먼저, EMI 필터 설계를 위한 필터의 특징과 구조, 필터의 설계 과정, 필터 설계 방법 등에 대한 연구를 수행하였다. 그리고 필터 구성의 기본 소자인 커패시터와 인덕터의 특성에 대해 분석하였다. 최종적으로 광대역 설비용 전원선 EMI 필터를 설계 및 제작하여 실험을 수행하였으며, 실험 결과의 비교 분석을 통해 연구 결과를 검증하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.300-300
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• 2008

In this study, the advanced DuoPIGatron-type ion beam (IB) system was applied to inorganic thin film for aligning liquid crystal (LC). LC alignment on $Ta_2O_5$ via IB irradiation was embodied. As a result of IB irradiation, the homogeneously aligned liquid crystal display (LCD) on $Ta_2O_5$ was observed with low pretilt angles. The $Ta_2O_5$ were deposited on indium-tin-oxide coated Coming 1737 glass substrates by rf magnetron sputtering at $200^{\circ}C$. The deposition process resulted in forming very uniform thin film on glass substrates without any defects. To confirm the application of the inorganic alignment on modem display optical devices, we fabricated twisted nematic LCD and measured optical property and response time. As a result of the experiment, the electro optical characteristics of the LCD fabricated by using IB irradiation on $Ta_2O_5$ alignment layer were similar with the other LCD fabricated by using rubbing process.

• International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
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• 제10권1호
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• pp.71-76
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• 2018

The technology convergence of television, communication, and computing devices enables the rich social and entertaining experience through Smart TV in personal living space. The powerful smart TV computing platform allows to provide various user interaction interfaces like IR remote control, web based control, body gesture based control, etc. The presently used smart TV interaction user control methods are not efficient and user-friendly to access different type of media content and services and strongly required advanced way to control and access to the smart TV with easy user interface. This paper propose the optical wireless communication (OWC) based remote controller design for Smart TV using smart device Flashlights. In this approach, the user smart device act as a remote controller with touch based interactive smart device application and transfer the user control interface data to smart TV trough Flashlight using visible light communication method. The smart TV built-in camera follows the optical camera communication (OCC) principle to decode data and control smart TV user access functions according. This proposed method is not harmful as radio frequency (RF) radiation does it on human health and very simple to use as well user does need to any gesture moves to control the smart TV.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제9권1호
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• pp.41-47
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• 2010

The effects of thermal treatment on CNTs, which were coated with a-$CN_x$ thin film, were investigated and related to variations of chemical bonding and morphologies of CNTs and also properties of field emission induced by thermal treatment. CNTs were directly grown on nano-sized conical-type tungsten tips via the inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD) system, and a-$CN_x$ films were coated on the CNTs using an RF magnetron sputtering system. Thermal treatment on a-$CN_x$ coated CNT-emitters was performed using a rapid thermal annealing (RTA) system by varying temperature ($300-700^{\circ}C$). Morphologies and microstructures of a-$CN_x$/CNTs hetero-structured emitters were analyzed by FESEM and HRTEM. Chemical composition and atomic bonding structures were analyzed by EDX, Raman spectroscopy, and XPS. The field emission properties of the a-$CN_x$/CNTs hetero-structured emitters were measured using a high vacuum (below $10^{-7}$ Torr) field-emission measurement system. For characterization of emission stability, the fluctuation and degradation of the emission current were monitored in terms of operation time. The results were compared with a-$CN_x$ coated CNT-emitters that were not thermally heated as well as with the conventional non-coated CNT-emitters.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.168-168
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• 1999

Recently, Fe/Si multilayered films (MLF) have been a focus of interest due to the strong antiferromagnetic (AF) coupling observed in such kind of MLF originates from the same nature as in the metal/metal MLF. In particular, a question of whether the spacer layer in the Fe/Si MLF is metallic or semiconducting is of interest. In spite of various experimental techniques envolved in the study, the chemical composition and the properties of the interfacial regions in the MLF exhibiting the AF coupling is still questionable. The nature of the AF coupling and the interfacial properties of Fe/Si MLF are investigated in this study. A series of Fe/Si MLF with a fixed nominal thickness of Fe(3nm) and a variable thickness of Sk(1.0-2.2nm) were deposited by RF-sputtering onto glass substrates at room temperature. The atomic structures and the actual sublayer thicknesses of the Fe/Si MLF are investigated by using x-ray diffraction. The magnetic-field dependence of the equatorial Kerr effect clearly shows an appearance of the AF coupling between Fe sublayers at tsi = 1.5 - 1.8 nm. the drastic discrepancies between the experimental magnetooptical (MO) and optical properties, and based on the assumption of sharp interfaces between Fe and Si sublayers leads to a conclusion that pure si is absent in the AF-coupled Fe/Si MLF. Introducing in the model nonmagnetic semiconducting FeSi alloy layers between Fe and Si sublayers or as spacer between pure Fe sublayers only slightly improves the agreement between model and experiment. A reasonable agreement between experimental and simulated MO spectra was reached with using the fitted optical properties for the spacer with a typical metallic type of behavior. The results of the magnetic properties measured by vibrating sample magnetometer and magnetic circular dichroism are also analyzed in connection with the MO and optical properties.