• 한국전자파학회지:전자파기술
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• 제14권3호
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• pp.15-19
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• 2003

본 연구에서는 RF magnetron sputtering으로 상온에서 증착된 ZnO압전박막을 이용하여, 1.96 GHz 대역의 air gap type의 FBAR BPF를 개발하였다. FBAR BPF는 Si wafer에 절연막으로 열 산화막층(SiO$_2$)을 형성한 후, 형성된 산화막 위에 바닥전극(Al), ZnO압전층 그리고 상부전극(Mo)를 차례로 RF magnetron sputter장비를 사용하여 증착시키고, Si wafer를 dry etching하여 air hole을 구현함으로써 device를 제조하였다. 제조된 FBAR BPF의 ZnO압전층의 XRD분석 결과 (002)면 방향으로 우선 배향되었으며, XRC의 $\sigma$값은 1.018이었다. 삽입손실 1 dB 내외로 우수한 특성을 나타내었다.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
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• 한국추진공학회 2010년도 제34회 춘계학술대회논문집
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• pp.417-420
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• 2010

전북대학교 고온 플라즈마 응용연구센터 구축사업은 교육과학기술부의 기초연구사업으로 진행되고 있다. 사업기간은 2009년 7월1일부터 2014년 6월 30일까지 총 5년에 걸쳐 이루어 지고 있으며, 총 사업비는 393억원이다. 플라즈마 응용연구센터에서 구축하고자 하는 장비는 0.4MW급 Enhanced Huels 형 플라즈마 장비 1 set, 2.4MW 급 Enhanced Huels 형 플라즈마 장비 1 set, 그리고 RF 플라즈마 장비 60KW 및 200 KW 각각 1 Set 이다.

• 대한의용생체공학회:학술대회논문집
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• 대한의용생체공학회 1997년도 추계학술대회
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• pp.291-293
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• 1997

A new quadrature RF coil is designed for Breast MR Imaging. Quadrature RF coils for MRI have been useful to improve the signal-to-noise ratio (SNR) by "$\sqrt{2}$" using two orthogonal RF coils in combination. A modified Breast Quadrature coil is designed. It is a modified type of the high-pass birdcage coil. To reduce the field distortion, by using current feeding, the field pattern is optimized to achieve a quadrature circularly-polarized field pattern. The coil has been implemented for receive-only mode, and tested by phantom imaging. The experimental results show the utility of the proposed RF coil.

• 한국컴퓨터정보학회:학술대회논문집
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• 한국컴퓨터정보학회 2023년도 제67차 동계학술대회논문집 31권1호
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• pp.167-168
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• 2023

본 논문에서는 저전력 433MHz 주파수 RF 신호가 여러 종류의 벽을 투과할 시 신호에 일어나는 감쇠를 비교한다. 국내에서 기존의 와이파이, 블루투스 같은 고주파수 대역의 RF 신호에 관한 연구 및 실험은 많이 행해지었지만, 한국의 전파 관리법에 의해 성능이 제한된 비면허 주파수인 433MHz 대역의 RF 신호에 관한 연구는 매우 적게 이루어져 있다. 이러한 저주파수 대역 신호의 가장 큰 장점은 장거리 통신에 능하고 벽 투과특성이 뛰어나다는 것이다. 본 논문에서는 실험을 통해 433MHz 대역 RF 신호가 여러 종류의 장애물을 통과 시 신호 세기가 어떻게 변하는지 각각 비교하고 이를 통해 비가시 영역에서 저전력 주파수 통신의 사용 가능성을 확인한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권4호
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• pp.293-297
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• 2010

We have studied the optical and electrical properties of a-IGZO thin films on the n-type semiconductor fabricated by RF magnetron sputtering method. The ceramic target was used in which $In_2O_3$, $Ga_2O_3$ and ZnO powder were mixed with 1:1:2 mol% ratio and furnished. The RF power was set at 25 W, 50 W, 75 W and 100 W as a variable process condition. The transmittance of the films in the visible range was above 80%, and it was 92% in the case of 25 W power. AFM analysis showed that the roughness increased as increasing RF power, and XRD showed amorphous structure of the films without any peak. The films are electrically characterized by high mobility above 10 $cm^2/V{\cdot}s$ at low RF power, high carrier concentration and low resistivity. It is required to study further finding the optimal process condition such as lowering the RF power, prolonging the deposition ratio and qualification analysis.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권3호
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• pp.177-181
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• 2011

We have studied structural, optical, and electrical properties of the Al-doped ZnO (AZO) thin films being usable in transparent conducting oxides. The AZO thin films were deposited on the corning 1737 glass plate by the RF magnetron sputtering system. To find optimal properties of AZO for transparent conducting oxides, the RF power in sputtering process was varied as 40 W, 60 W, and 80 W, respectively. As RF power increased, the crystallinity of AZO thin film was decreased, the optical bandgap of AZO thin film increased. The transmittance of the film was over 80% in the visible light range regardless of the changes in RF power. The measurement of Hall effect characterizes the whole thin film as n-type, and the electrical property was improved with increasing RF power. The structural, optical, and electrical properties of the AZO thin films were affected by Al dopant content in AZO thin film.

• ETRI Journal
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• 제37권1호
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• pp.128-137
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• 2015

In this work, a fishbone-type transmission line employing a comb-type ground plane (FTLCGP) was fabricated on polyethersulfone (PES) substrate, and its RF characteristics were thoroughly investigated. According to the results, it was found that the FTLCGP on PES showed periodic capacitance values much higher than other types of transmission lines due to a coupling capacitance between the signal line and ground, which resulted in a reduction of wavelength and line width. Using the theoretical analysis, we also extracted the bandwidth characteristic of the FTLCGP on PES. According to the result, the FTLCGP structure showed a cut-off frequency of 280 GHz.

• 전기전자학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.145-151
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• 2007

본 논문에서는 저손실 ${Al_2}{O_3}$ 코아 물질을 이용한 초소형 고성능 솔레노이드 형태 RF 칩 인덕터에 대하여 연구하였다. 본 논문에서 제작된 칩 인덕터의 크기는 $0.86{\times}0.46{\times}0.45m^3$, $1.5{\times}1.0{\times}0.7m^3$, $2.1{\times}1.5{\times}1.0m^3$와 $2.4{\times}2.0{\times}1.4m^3$으로 하였고, 코일은 $27{\sim}40{\mu}m$의 구리선을 사용하였다. 개발된 인덕터의 인덕턴스, 품질계수, 임피던스의 고주파수 특성은 HP16193A test fixture가 장착된 RF Impedance/Material Analyzer(HP4291B)를 이용하여 측정되었다. 7회 권선된 인덕터들은 13${\sim}$100nH의 인덕턴스와 6.4${\sim}$1.1GHz의 자기공진주파수를 가진다. 인덕터들의 자기공진주파수는 인덕턴스가 증가함에 따라 감소하고, 인덕터들의 직접쓰기는 300MHz${\sim}$1.3GHz의 주파수 범위에서 50${\sim}$80을 가진다. 본 연구에서는 높은 인덕턴스와 높은 직접쓰기를 갖는 초소형 솔레노이드 형태 RF 칩 인덕터가 성공적으로 제작되었다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2003년도 춘계전력전자학술대회 논문집(1)
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• pp.260-263
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• 2003

When ICP(Inductive Coupled Plasma type etching and wafer manufacturing is being processed in semiconductor process, a noxious gas in PFC and CFC system is generated. Gas cleaning dry scrubber is to remove this noxious gas. This paper describes a power source device, 2MHz switching frequency class 2kW RF Generator, used as a main power source of the gas cleaning dry scrubber. The power stage of DC/DC converter is consist of full bridge type converter with 100kHz switching frequency Power amplifier is push pull type inverter with 2MHz switching frequency, and transmission line transformer. The adequacy of the circuit type and the reliability of generating plasma in various load conditions are verified through 50$\Omega$ dummy load and chamber experiments result.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.202-206
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• 2007

ZnO is a promising material to make high efficient ultraviolet(UV) or blue light emitting diodes(LEDs) because of its large binding energy and energy bandgap. In this study, we prepared ZnO thin films with p-type conductivity on silicon(100) substrates by RF magnetron sputtering in the mixture of $N_2$ and $O_2$. The process was accompanied by low pressure in-situ annealing in $O_2$ at $600^{\circ}C$ and $800^{\circ}C$ respectively. Hall effect in Van der Pauw configuration showed that the N-doped ZnO film annealed at $800^{\circ}C$ has p-type conductivity. Photoluminescence(PL) spectrum of the film annealed at $800^{\circ}C$ showed UV emission related to exciton and bound to donor-acceptor pair(DAP) as well as visible emission related to many intrinsic defects.