• 한국정보전자통신기술학회논문지
• /
• 제11권6호
• /
• pp.772-777
• /
• 2018

본 논문은 RF 마크네트론 스퍼터링 장비를 이용하여 ITO 유리에 N-type 및 P-type을 증착하였다. N-Type의 오믹접촉은 모든 조건에서 잘 되었다. 면저항은 RF Power가 증가할수록 면 저항이 증가되는 현상을 나타내었다. 증착한 박막의 표면을 분석해 본 결과, RF Power가 250W이고, 기판온도가 $250^{\circ}C$의 조건에서 입자가 균일하고 크기가 일정한 박막이 증착 된 것으로 측정되었다. P-Type은 모든 조건에서 오믹접촉이 잘 이루어졌으며 면저항은 RF Power가 증가할수록 증가되는 것으로 나타내었다. RF Power가 증가할수록 두께가 증가하고 안정화 된 것을 알 수가 있었다. PN junction 박막과 NP junction 박막은 스퍼터링 시간이 증가할수록 박막의 두께가 증가하고 안정화 된 것을 알 수가 있었다. PN junction 박막을 제작한 결과, 변환효율은 스퍼터링 시간이 10분일 때 0.2로 가장 우수하였다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제11권6호
• /
• pp.976-983
• /
• 2000

본 논문은 MRI용 RF 코일로 널리 사용되고 있는 Birdcage type의 RF 코일을 FDTD 방법을 이용해서 해석, 설계하였다. 기존의 저자장(1T, 1.5T) MRI용 RF 코일의 해석 방법은 코일의 공진 주파수를 얻기 위해서 LC 등가 회로를 사용하였으며 코일 내부의 필드 분포를 얻기 위하여 Biot-Savart 법칙을 이용한 방법이 널리 사용되어 왔다. 그러나 3T이상의 고주파에서 동작하는 RF 코일의 해석에는 위의 방법이 커다란 오차를 일으킬 수 있다. 따라서 본 논문에서는 고주파 해석이 가능한 전파 (Full Wave) 해석 방법인 FDTD 방법을 이용하여 3T MRI용 RF 코일을 해석하고 설계하였다. 또한 FDTD 방법을 이용하여 본 논문에서 실제 제작된 Birdcage type과 Spiral type RF 코일에 적용하여 이 방법의 타당성을 실험적으로 검증하였으며 Spiral type의 RF 코일이 B1 field 균일도면에서 Highpass Birdcage type보다 우수함을 수치 해석적으로 검증하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제42권5호
• /
• pp.9-14
• /
• 2005

본 논문은 순수한 고주파 (radio-frequency: rf) 모드의 반사형과 투과형 고주파 단일전자 트랜지스터 (RF-SET) 동작의 새로운 시뮬레이션 기법을 소개한다. 이 기법은 RF-SET 회로를 주파수 영역에서 self-consistent 방법으로 키리히호프 법칙에 기반한 미분 방정식의 해를 구한다. 또한, 이 기법은 정상상태와 시변 단일전자 트랜지스터 전류 모델들 두 가지를 포함한다. 순수한 rf 모드 반사형 RF-SET의 반사파와 순수한 rf 모드 투과형 RF-SET의 투과파를 계산한다. 정상상태 단일전자 트랜지스터 전류 모델을 포함한 RF-SET 계산의 정확성은 [참고문헌 2]에서 소개된 방법으로 확인한다. GHz 이상의 고주파에서 시변 단일전자 트랜지스터 전류 모델을 포함한 RF-SET 계산 결과는 정상상태 단일전자 트랜지스터 전류 모델을 포함해서 RF-SET를 계산한 결과들과 상당한 차이가 있음을 확인했다. GHz 이상 고주파에서 RF-SET 동작 분석은 정확한 시변 단일전자 트랜지스터의 전류 모델이 요구된다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
• /
• 제15권6호
• /
• pp.231-238
• /
• 2015

본 연구는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 ITO glass 위에 N-Type과 P-Type 박막을 증착하여 증착조건에 따른 면저항 특성을 확인하였다. N-Type의 I-V특성은 RF Power가 150 W 일 때 전류의 값이 가장 높은 것으로 나타났고, 15분을 증착하였을 때 기울기가 일정하게 나타나면서 Ohmic contact이 잘 이루어지는 것을 확인 할 수 있었다. 기판온도와 RF Power 및 증착시간이 증가함에 따라 면저항이 증가하는 것으로 나타났고, 면저항이 작은 값일수록 I-V 특성이 잘 나타났다. P-Type 에서도 N-Type과 비슷한 양상을 보이는데, RF Power가 150 W일때 전류가 가장 높은 것으로 나타났고, 20분을 증착하였을 때 Ohmic contact이 잘 이루어지는 것을 확인 할 수 있었다. 면 저항 또한 N-Type과 비슷하게 RF Power와 증착시간이 증가함에 따라 면저항이 증가하는 것을 확인 할 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2002년도 춘계종합학술대회
• /
• pp.288-292
• /
• 2002

RF 회로에 적합한 새로운 형태의 on-chip ESD protection 방법을 제시하였다. RF 회로의 특성을 이용하여 DC blocking capacitor 앞에 short-circuited stub를 달아서 ESD 소자로 활용하였다. 특히 short-circuited stub를 매칭 회로의 일부로 사용하여 stub의 길이를 줄일 수 있다. 또한 short-circuited stub의 width와 metal의 성분으로 ESD threshold voltage를 쉽게 예측 가능하다. 기존의 ESD 방지 회로와 달리 RF 회로를 위한 ESD 방지 회로에서 문제시되던 기생 capacitance 성분에 대한 문제점을 해결 할 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2003년도 학술회의 논문집 정보 및 제어부문 B
• /
• pp.540-543
• /
• 2003

This paper presents design and manufacture of RF type non-contact radiological dosage measuring device. It also concerns on the broad out-line and the ways of improvement about RF type non-contact radiation measuring device. Measuring radiological dosage with non-contact RF, the stability and efficiency of the measure have been improved by reforming constant current circuit. Furthermore, applying communication protocol in process makes it possible to achieve faster and more accurate communication than old circuit. On the base of those, RF type non-contact radiological dosage measuring device which consists of radiological dosage measuring module and Reader module has been designed and manufactured. While testing communication against embodied device, the possibility of the field application could be confirmed.

• 전기학회논문지P
• /
• 제64권4호
• /
• pp.277-280
• /
• 2015

In this paper, we have studied the surface property and transmittance of n- and p-type thin film deposited on ITO substrate. In n-type samples, the average particle size was large and uniform as RF power was increased, and the best results were shown at the condition of the temperature of $300^{\circ}C$ and 200 W of RF power. The transmittance of the sample deposited for 20 minutes was 74.82% and the light wave was increased to 800 nm. In p-type samples, the results were 71.21% and 789 nm at the deposition condition of the RF power of 250 W and the temperature of $250^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제13권10호
• /
• pp.840-846
• /
• 2000

In this work, small-size, high-performance solenoid-type RF chip inductors utilizing a low-loss Al$_2$O$_3$core material were investigated. The size of the chip inductors fabricated in this work were 15$\times$10$\times$0.7㎣, 2.1$\times$1.5$\times$10㎣, and 2.4$\times$2.0$\times$1.4㎣ and copper (Cu) wire with 40 ㎛ diameter was used as the coils. High frequency characteristics of the inductance, quality factor, and impedance of developed inductors were measured suing an RF Impedance/Material Analyzer (HP4291B with HP16193A test fixture). It was observed that the developed inductors with the number of turns of 7 have the inductance of 33 to 100nH and exhibit the self-resonant frequency (SRF) of .26 to 1.1 GHz. The SRF of inductors decreases with increasing the inductance and the inductors have the quality factor of 60 to 80 in the frequency range of 300 MHz to 1.1 GHz. In this study, small-size solenoid-type RF chip inductors with high inductance and high quality factor were fabricated successfully. It is suggested that the thin film-type inductor is necessary to fabricate the smaller size inductors at the expence of inductance and quality factor values.

• 한국초지조사료학회지
• /
• 제14권2호
• /
• pp.82-87
• /
• 1994

이탈리안 라이그라스 37개 품종을 대상으로 ADH와 Esterase 의 Isozyme을 Starch gel 전기영동법을 이용하여 분리한 후 염색하여 품종간 band 의 차이점을 비교하였다. 1. ADH isozyme은 Rf 0.60과 0.63 두 개의 band zone으로 나타났으며 Rf0.60이 main band이었다. 2. ADH isozyme의 banding pattern은 5개의 type으로 구별이 되었는데 type I은 7개품종, type II는 2개 품종, type III는 6개 품종, type IV은 18개 품종, type V는 4개 품종이었다. 3. Esterase isozyme은 Rf 1.00으로 한 개의 band만 나타났다. 4. Esterase isozyme의 banding pattern은 3개 type으로 구별되었는데 type I은 22품종, type II는 8품종, type III는 7개 품종이었다. 5. ADH와 Esterase isozyme의 banding pattern 으로 본 이탈리안 라이그라스의 품종별 차이는 없으나 염색 강도에 따라 일부 품종의 변이를 구분할 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제40권10호
• /
• pp.17-23
• /
• 2003

본 논문에서는 고성능의 극소형, 솔레노이드 형태의 RF 칩 인덕터를 연구하였다. 제작된 RF 칩 인덕터의 크기는 1.0×0.5×0.5㎣ 이었다. 코아의 재료 (96% Al₂O₃)와 모양 (I-type)은 인덕터의 성능을 극대화시키도록 Maxwell three-dimensional field simulator를 이용하여 결정되었다. 40㎛의 직경을 가진 가는 구리(Cu)도선을 코일로 사용하였다. 개발된 인덕터의 인덕턴스 (L), 품질계수 (Q), 그리고 커패시턴스 (C) 들에 대한 고주파 특성은 RF 임피던스/재료 분석기 (HP16193A 시험 fixture가 장착된 HP4291B)를 사용하여 측정되었다. 개발된 인덕터들은 230MHz - 1 GHz의 주파수 영역에서 11 - 39 nH 범위의 인덕턴스 값과 28 - 50 범위의 품질계수 값을 가지는데 이는 전 세계적으로 가장 좋은 칩 인덕터 업체 중의 하나인 CoilCraft/sup Tm/에 의해 생산된 인덕터들의 특성과 유사한 결과를 나타내고 있다. 시뮬레이션 데이터는 개발된 인덕터의 L, Q, C 등의 고주파 특성을 잘 예측하고 있다.