• 제목/요약/키워드: RF-DC 변환기

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직렬 연결 RF-DC 변환기의 변환효율에 관한 연구 (Study on conversion efficiency of RF-DC converter with series diode)

  • 최기주;황희용
    • 산업기술연구
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    • 제30권A호
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    • pp.69-73
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    • 2010
  • In this paper, we designed the RF-DC converter used in wireless power transmission system and studied how to design the RF-DC converter of high conversion efficiency. The RF-DC converter operate at 2.45GHz and the diode is connected with series. The RF-DC converter uses shorted stub for DC loop and matching. We can divide the RF-DC converter circuit into four blocks. The reflection coefficients between the blocks were optimized for the maximum conversion efficiency at 0 dBm input power and $1300{\Omega}$ load impedance. The final design of the RF-DC converter has a 52 percent conversion efficiency.

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Buck-Boost DC-DC Converter를 이용한 다중 대역 RF 에너지 수집 시스템 (Multi-Band RF Energy Harvesting System Using Buck-Boost DC-DC Converter)

  • 조춘식
    • 한국위성정보통신학회논문지
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    • 제12권2호
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    • pp.89-93
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    • 2017
  • 본 논문은 Buck-Boost DC-DC 변환기를 이용하여 다중 대역으로 존재하는 RF 신호를 수집하여 에너지를 생성하는 에너지 수집 시스템에 대하여 소개한다. 수집된 전기에너지를 사용하는 부하의 저항이 지속적으로 변하는 환경에서는 부하 저항이 변하여도 DC-DC 변환기의 입력저항이 변하지 않는 Buck-Boost DC-DC 변환기를 사용하였다. 입력으로 들어오는 RF 신호의 주파수 대역이 다양하므로 다중대역을 다 처리 할 수 있도록 정류기를 대역별로 설계하고 정류기 앞에 각 대역별로 매칭 회로를 추가하였다. 크기가 매우 작은 RF 신호를 효과적으로 수집하기 위한 정류기를 위하여 각 대역에서 수집하여 발생시킨 전압을 계속 누적하여 축적하는 방법을 고안하여 매우 작은 크기의 입력 신호에도 일정한 전압이 출력되게끔 회로를 설계하였다. 입력이 -20 dBm의 크기를 가진 RF 신호에도 출력 효율이 20% 정도까지 낼 수 있음을 확인하였다.

RF 노이즈 내성을 가진 OLED 디스플레이용 2-채널 DC-DC 변환기 (2-Channel DC-DC Converter for OLED Display with RF Noise Immunity)

  • 김태운;김학윤;최호용
    • 전기전자학회논문지
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    • 제24권3호
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    • pp.853-858
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    • 2020
  • 본 논문은 통신기기에서 유입 되는 RF 노이즈에 대해 내성을 가진 OLED용 2-채널 DC-DC 변환기를 제안한다. RF 신호 내성을 위해, 입력전압 변동만큼 감쇠시키는 입력전압 변동감쇠 회로가 내장된다. 양의 전압 VPOS를 출력하는 부스트 변환기는 SPWM-PWM 듀얼모드로 동작하고, 데드 타임을 제어함으로써 전력 효율을 제고한다. VNEG를 출력하는 인버팅 차지펌프는 2-상 출력 구조로 VCO를 이용한 PFM으로 동작해 작은 리플을 갖도록 설계된다. 0.18 ㎛ BCDMOS 공정으로 시뮬레이션 한 결과, 부스트 변환기 출력전압의 오버슈트와 언더슈트는 10 mV에서 각각 2 mV, 5 mV로 감소하였다. 또한, 2-채널 DC-DC 변환기의 전력효율은 39%~93%을 가졌고, 데드 타임 제어기를 적용한 부스트 변환기의 효율은 종전보다 최대 3% 증가하였다.

무선전력전송을 위한 RF-DC 변환기 회로의 성능비교 (Performance comparison of the RF-DC converter circuit for wireless power transmission)

  • 최기주;황희용
    • 산업기술연구
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    • 제29권B호
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    • pp.145-149
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    • 2009
  • A RF-DC converter is one of the most important components for a wireless power transmission. It has been developed for many applications such as space solar power system, and Radio Frequency Identification(RFID). In this paper, we designed three types of RF-DC converter and compare the performance of each. All types RF-DC convertoer have a maximum conversion efficiency at input power level of 0 dBm~5 dBm and RF-DC converter of third type was the best performance that has a 21.9% of conversion efficiency.

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전력과 임피던스표준을 이용한 RF전압의 정밀 자동측정 (The Automatic Precision Measurement of RF Voltage using Power and Impedance Standards)

  • 신진국
    • 한국통신학회논문지
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    • 제32권3A호
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    • pp.319-323
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    • 2007
  • 본 논문에서는 50-1000 MHz의 주파수 범위에서 전력과 임피던스의 표준을 이용하여 RF전압을 자동으로 정밀 측정을 하였다. RF-DC차를 결정하기 위하여 동축형 미소열량계와 자동 회로망 분석기가 이용되었으며, 총불확도는 약 1 % 이다. 써미스터 마운트의 실효효율과 열전압 변환기의 RF-DC차를 측정하기 위하여 HP 컴퓨터와 Commodore 컴퓨터, 그리고 IEEE-488 인터페이스 버스를 이용하고, 측정하는 전체과정이 자체 개발한 프로그램에 의해 자동으로 수행되었다.

2.45 GHz 대역 소전력 무선 전송 (Low-Power Wireless Transmission at 2.45 GHz Band)

  • 최기주;황희용
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제20권8호
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    • pp.777-783
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    • 2009
  • 본 논문에서는 ISM 대역의 2.45 GHz 마이크로파를 이용하여 무선 전력 전송 시스템을 구현하였다. 이 주파수는 주파수 규제에 의해 송신 전력이 20 dBm으로 제한을 받는다. 이러한 규제에 부합하는 mW급의 소전력을 전송하여 벽시계를 구동시킬 수 있는 무선 전력 전송 시스템을 구현하였다. 이러한 시스템을 구현하기 위하여 정류회로의 최적화를 하였으며, RF-DC 변환기에는 제로 바이어스 쇼트키 다이오드를 사용하였다. 수신측을 단일 안테나와 RF-DC 변환기로 구성하여 80 cm의 거리에서 시계를 동작시켰고, 기존 문헌에 비해 부품의 수와 비용을 줄일 수 있었다.

5.8 GHz 마이크로파 무선전력전송을 위한 RF-DC 변환기의 설계 및 구현 (Design and Fabrication of RF-DC Converters for 5.8 GHz Microwave Wireless Power Transmission)

  • 이성훈;손명식
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제14권4호
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    • pp.84-87
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    • 2015
  • We have designed and fabricated two different RF-DC Converters called doubler for 5.8GHz Microwave Wireless Power Transmission. The doubler as RF-DC Converter makes the rectified voltage be doubled. We measured and compared voltages of the doublers with those of the previous full-wave rectifying RF-DC Converter. The doublers show rectified double voltages. However, the full-wave rectifying converter has a high efficiency due to the suppression of reflecting harmonics. The other fabricated doublers causes so many harmonics that they can't convert the low-power RF to the full DC. In this paper, we show that the different doublers doesn't double the rectifying voltages compared with those of the full-wave rectifying converter and give a reason about that.

위성 통신용 주파수 하향 변환기의 설계 및 제작 (Design and Implementation of Frequency Down Converter for Satellite Communication)

  • 이승대;나상엽
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제13권2호
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    • pp.801-807
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    • 2012
  • 본 논문에서는 LC 필터 기술을 기반으로 하는 주파수 단일 하향 변환기를 설계 및 제작하였다. 설계한 단일 하향 변환기는 저잡음 증폭기, 혼합기 IF 증폭기, LC 필터로 구성하였으며 DC block 커패시터와 RF bypass 커패시터로 구성된다. 설계한 변환기는 IC를 LC 필터로 대치하여 전력을 감소시키고 제작비용을 낮추어주는 효과를 보인다. 본 논문에서 설계, 제작한 단일 하향 변환기는 이득이 약 10dBm이고 70MHz에서 18MHz의 대역폭을 실현하였다.

MMIC를 위한 위성통신 수신 전단부의 기초 연구 (A Fundamental Study on the Receiver Front-End of Satellite Communication)

  • 진연강;윤현보;강희창;박일;조광래
    • 한국통신학회논문지
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    • 제13권4호
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    • pp.277-284
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    • 1988
  • X-band 위성통신 전단부의 MMIC's 기초자료 수집을 위하여 주파수 변환기를 12GHz GaAs MESFET저잡음 증폭기와 단일 게이트 GaAs MESET믹서에 칩 캐패시터와 DC 블록을 포함시켜 MIC로 각기 설계하였다. 믹서의 입력회로와 저역통과 여파기는 각기 대칭구조 결합기와 Semi-Lumped 구조로 설계하였다. 실험결과 칩 캐패시터의 경우 RF입력이 11.581-11.981 GHz일때 중간 주파수 581-981MHz에서 변환이득이 20-23dB였으며 DC블럭의 경우 RF입력이 12.1GHz일때 중간 주파수 1GHz에서 변환이득이 25dB였다.

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GaN-SBD를 이용한 RF-DC 변환기 회로 분석 (An Analysis of RF-DC Converter Circuits with GaN Schottky Barrier Diodes)

  • 손명식
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제20권4호
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    • pp.68-71
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    • 2021
  • In this paper, GaN-SBD devices with excellent breakdown voltage and frequency characteristics for use in high-power microwave wireless power transmission has been modeled for PSpice circuit simulation. The RF-DC conversion circuits were simulated and compared with a commercial Si-SBD device. Although the modeled GaN-SBD devices had lower RF-DC conversion efficiency compared to Si-SBD at 2.4 and 5.8 GHz, it was confirmed through PSpice circuit simulations that they can be used sufficiently according to the required application circuit in a high power situation.