Nowadays, the need of multi-mode/multi-band transceiver is rapidly increasing, so we design a direct conversion RF front-end for multi-mode/multi-band receiver that support WCDMA/CDMA2000/WIBRO standard. It consists of variable gain reconfigurable LNA and single input double balanced Mixer and complementary differential LC Oscillator. The circuit is implemented in 0.18 um RF CMOS technology and is suitable for low-cost mode/multi-band.
This paper presents the experimental results of a low-power low-cost RF transceiver for the 915 MHz band IEEE 802.15.4b standard. Low power and low cost are achieved by optimizing the transceiver architecture and circuit design techniques. The proposed transceiver shares the analog baseband section for both receive and transmit modes to reduce the silicon area. The RF transceiver consumes 11.2 mA in receive mode and 22.5 mA in transmit mode under a supply voltage of 1.8 V, in which 5 mA of quadrature voltage controlled oscillator is included. The proposed transceiver is implemented in a 0.18 ${\mu}m$ CMOS process and occupies 10 $mm^2$ of silicon area.
The MMIC (Microwave Monolithic Integrated Circuit) self oscillating double conversion mixer was designed and fabricated for the V-band transmitter applications. The MMIC self oscillating double conversion mixer which dose not need external local oscillator was designed using GaAs PHEMT technology. The first self oscillating mixer use PHEMT technology. The first self oscillating mixer use PHEMT for $f_{LO}$ signal generation and $f_{IF}$ signal is applied at gate port and $f_{RF1}$ signal is generated at a drain port of first stage. The second gate mixer use PHEMT for $f_{LO}$ signal and $f_{RF1}$ signal is applied at gate port and $f_{RF2}$ signal is output at a drain port of second stage.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제15권3호
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pp.381-389
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2015
A fully integrated multistandard multiband CMOS mobile TV tuner with small silicon area and low power consumption is proposed for receiving multiple mobile digital TV signals and FM signal. In order to reduce the silicon area of the multistandard multiband receiver, other RF front-end circuits except LNAs are shared and a local oscillator (LO) signal generation architecture with a single VCO for a frequency synthesizer is proposed. To reduce the low frequency noise and the power consumption, a vertical NPN BJT is used in an analog baseband circuits. The RF tuner IC is implemented in a $0.18-{\mu}m$ CMOS technology. The RF tuner IC satisfies all specifications for DVB-H/T, T-DMB, and ISDB-T with a sufficient margin and a successful demonstration has been carried out for DVB-H/T, T-DMB, and ISDB-T with a digital demodulator.
In this paper, the authors present the simulation results and the experimental considerations on the effects of the effects of the VCO oscillation characteristics caused by varying the length of the MSL and the composition capacitance of LC resonation circuity. Simulation was accomplished by nonlinear RF circuit simulator for designing and analyzing the RF characteristis of VCO. The samples with 3 different MSL lengths of which the length is 140mil, 280mil and 560mil respectively were fabricated by screen printing process. The oscillation frequency of each sample(VCO) was tuned to UHF band (750MHz~900MHz) by varying the capacitance of LC resonator circuit. The experimental results showed that the values of phase noise were -82, -93, -97[dBc/Hz] at 50[kHz] offset frequency, the pushing figures were 114, 94, 318[kHz] at applied voltage of $3\pm0.15$[V] and the harmonics were -21, -16, -13[dBc] for MSL lengths of 140mil 280mil, 560mil respectively. The frequency and output variation width were 779~898[MHz], -36~-33[dBm] for MSL with 140mil length; 818~836[MHz], -27.19~27.06[dBm] for 280mil; 751.54~751.198[MHz], -33.44~-33.31[dBm] for 560mil.
본 논문에서는 $0.5{\mu}m$ p-HEMT 공정을 이용한 MMIC 주파수 혼합기를 설계하였다. 본 주파수 혼합기는 Local 신호전력이 -4 ~ 4 dBm에서 유사한 성능을 갖도록 설계하여 local 신호의 변화에 따른 변환 성능이나 선형 성능이 일정하게 유지 되도록 하였다. 이와 같은 특성을 갖도록 하기 위해 새로운 형태의 FET를 이용한 피드백 회로를 구성하여, LO신호전력의 변화에 따른 성능 변화를 최소화 하였으며 넓은 주파수 대역에서 사용 할 수 있는 MMIC 주파수 혼합기 성능을 얻었다. 설계결과 LO신호전력이 -4 ~ 4dBm일 때, 0.5 ~ 2.6GHz의 주파수 범위에서 변환손실이 6 dB에 IIP3가 30 dBm 이상의 우수한 성능을 갖는 설계 결과를 얻었다.
위상 잡음 특성이 마이크로파 발진기에서 중요한 설계 요소가 되면서 위상잡음을 줄이기 위한 여러 방법의 연구 결과가 제안되었다. 이러한 방법들은 위상잡음을 줄이기 위해 공진기의 Q 값을 증대시키는데 초점을 맞추었다. 유전체 공진기는 높은 Q 값을 갖기 때문에 그동안 낮은 위상잡음을 갖는 마이크로파 발진기에 널리 사용되어 왔다. 그러나 이것은 입체적 구조로 되어 있기 때문에 초고주파 집적회로(MMIC)에 적용할 수가 어려웠다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 평면형 구조이면서 위상잡음 특성을 개선할 수 있는 새로운 구조의 개방 링형 DGS 공진기를 제안하고, 이것을 이용하여 위상잡음 특성이 개선된 5.8GHz 대역의 발진기를 설계하였다. 개방 링형 DGS 공진기는 $50{\Omega}$ 전송선로 밑면에 링 모양으로 식각된 접지면을 갖는 구조로 되어있다. 발진기의 특성은 5.8GHz의 기본 주파수에서 6.1dBm의 출력레벨과 -82.7 dBc@100kHz의 위상잡음 특성을 나타내었다. 이것은 ${\lambda}/4$ 마이크로스트립 공진기를 이용한 것보다 위상잡음 특성이 96.5dB 정도 개선되었다.
본 연구는 1V 미만의 전원 전압에서 저 위상잡음 동작에 적합한 혼성 평형 전압제어 발진기 회로를 제안한다. 제안한 회로의 개별 반 회로에서는 바렉터 통합형 궤환 커패시터를 사용한다. 바렉터 통합형 궤환 커패시터의 사용으로 인해 발진기 탱크회로내의 부성저항이 더욱 증가되며 이는 1V 미만 전원전압에서도 발진기의 안정된 발진시동을 보장한다. 또한, 본 연구에서는 이러한 부성저항의 증가 현상을 이론적으로 해석한다. $0.18{\mu}m$ RF CMOS 기술을 사용한 시뮬레이션 결과는 발진 주파수 4.87GHz의 1MHz 오프셋에서 0.6 V에서 0.9 V 사이의 전원 전압에 걸쳐 -122.4 dBc/Hz에서 -125,5 dBc/Hz까지의 위상잡음을 나타냄을 보여준다.
SAW 가스센서의 기판으로 $112^{\circ}$ rot. x-cut $LiTaO_{3}$ 기판을 사용하였고, 사진식각법으로 reference delay line과 sensing delay line으로 구성된 dual delay line SAW소자를 제작하였다. 각각의 IDT는 전극의 폭이 $10{\mu}m$이고, 10 개의 전극쌍을 갖는다. 각각 두개의 delay line 중에서 reference delay line은 감지막을 증착시키지 않고, sensing delay line은 유기물 반도체의 일종인 Pb-프탈로시아닌을 shadow mask로써 $10^{-5}$torr의 진공하에서 선택적으로 증착시켰다. 제작된 SAW소자로 rf amp.와 AGC(Auto Gain Control)를 사용하여 dual delay line oscillator를 만들었다. 이때 발진주파수는 $87{\sim}$89 MHz였다. 온도와 $NO_{2}$ 가스농도의 변화에 따른 발진주파수의 변화를 조사하였다.
본 논문에서는 K-band 위성방송다점분배서비스(SMDS)용 하향변환기를 설계하였다. SMDS용 하향변환기는 입력신호 주파수 19.2GHz~20.2GHz에 대한 3단 저잡음 증폭기, 대역통과필터와 고 안정국부발진기 및 드레인 믹서, IF단으로 구성하였다. 저 잡음 증폭단은 28㏈의 이득과 1.5㏈의 잡음지수 특성을 보였으며, 국부 발진기는 고 안정 유전체 공진 발진기로 구성하여 주파수 18.25㎓에서 0.5㏈m의 출력전력과 -84.67㏈c/Hz@10KHz의 위상잡음을 나타내었다. 드레인믹서는 19.2㎓~20.2㎓의 RF신호를 인가하였을 때 950MHz~1950MHz 범위에서 변환이득은 5㏈를 나타내었다. 본 연구에서 설계된 K-대역하향변환기는 SMDS 및 국내 K-band 위성인터넷 규격을 만족시킬 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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