• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제51권4호
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• pp.147-151
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• 2002

The resistances of metal2 contact to metall and poly Si are checked by various RF etch conditions in terms of pre-cleaning. The changes of resistance are evaluated by statistical analysis method(SAS) for the AC bias power, coil power and RF target. The contact area on poly Si is shown by TEM image and the distributions of contact resistance according to ar etch target and RTP are investigated. The RTP groups have larger variations than normal RF etch targets. When the RF etch target becomes lower and coil power becomes higher, the resistances of metal2 contact to metals and poly Si have lower contact resistance. But the condition of AC bias power did not satisfied low meta12 contacts resistance for metall and poly Si simultaneously. The R-square of ststistical analysis was 0.98 for resistances of meta12 contact to poly Si and 0.87 for resistances of meta12 contact to metall.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 학술회의 논문집 정보 및 제어부문 B
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• pp.540-543
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• 2003

This paper presents design and manufacture of RF type non-contact radiological dosage measuring device. It also concerns on the broad out-line and the ways of improvement about RF type non-contact radiation measuring device. Measuring radiological dosage with non-contact RF, the stability and efficiency of the measure have been improved by reforming constant current circuit. Furthermore, applying communication protocol in process makes it possible to achieve faster and more accurate communication than old circuit. On the base of those, RF type non-contact radiological dosage measuring device which consists of radiological dosage measuring module and Reader module has been designed and manufactured. While testing communication against embodied device, the possibility of the field application could be confirmed.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제15권6호
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• pp.231-238
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• 2015

본 연구는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 ITO glass 위에 N-Type과 P-Type 박막을 증착하여 증착조건에 따른 면저항 특성을 확인하였다. N-Type의 I-V특성은 RF Power가 150 W 일 때 전류의 값이 가장 높은 것으로 나타났고, 15분을 증착하였을 때 기울기가 일정하게 나타나면서 Ohmic contact이 잘 이루어지는 것을 확인 할 수 있었다. 기판온도와 RF Power 및 증착시간이 증가함에 따라 면저항이 증가하는 것으로 나타났고, 면저항이 작은 값일수록 I-V 특성이 잘 나타났다. P-Type 에서도 N-Type과 비슷한 양상을 보이는데, RF Power가 150 W일때 전류가 가장 높은 것으로 나타났고, 20분을 증착하였을 때 Ohmic contact이 잘 이루어지는 것을 확인 할 수 있었다. 면 저항 또한 N-Type과 비슷하게 RF Power와 증착시간이 증가함에 따라 면저항이 증가하는 것을 확인 할 수 있었다.

• 한국항공우주학회지
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• 제33권4호
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• pp.41-46
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• 2005

본 연구에서는 고 전력의 RF 신호용 직접 접촉식 스위치에서 문제가 되고 있는 접촉부위에서의 미소용접에 의한 점착 현상을 감소시키기 위해, 고 융점 금속인 텅스텐(W)과 몰리브덴(Mo)을 스위치 접촉 부위에 코팅하여 스위치의 성능을 분석하였다. 스위치의 삽입손실과 신호격리도, 전력 손실 등의 변화를 네트워크 분석기, 전력 측정기 등을 통하여 측정하였다. 측정결과로부터 RF 신호 전송에 있어서 낮은 입력 전력에서는 고융점 금속이 금(Au)보다 접촉저항이 더 크지만 입력 전력이 커지면 비교적 낮은 비저항의 고융점 금속을 사용하는 것이 고전력 전송 및 수명 연장에 있어서 유리함을 밝혀냈다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권1호
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• pp.6-9
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• 2010

Surface properties of polytetrafluoroethylene(PTFE) films fabricated by rf-magnetron sputtering system with UV surface treatment were investigated to increase water contact angle for their hydrophobic property. We found that the surface morphology and water contact angles of PTFE film modified as a function of the UV treatment times using UV-irradiation were influenced. The water contact angle of PTFE film with optimized UV treatment time for 15 minute showed a high hydrophobicity compared with the film without any surface treatment. We thought that it was due to the energy change of PTFE surface with an adhesion improvement to the glass surface as a smoothing a rough surface with needle-shape and/or the enhancement of an interface property as a removing some defects on the surface like a cleaning effect.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.282-283
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• 2007

본 논문에서는 저전압에서 구동 할 수 있는 압전구동 방식의 RF MEMS 스위치를 설계하였다. 설계는 유한요소기법(FEM)을 지원하는 시뮬레이터 (ConventorWare)를 사용하여 수행하였고, 이를 바탕으로 deflection, contact force, stress 등 기계적인 해석을 함으로써 최적화된 설계를 할 수 있었다. 이번 설계에서는 적절한 contact force를 유지하면서 hinge에서 받는 stress를 최소화하기 위하여 구동기를 2개 사용한 듀얼형식의 모델을 제안하였고, hinge의 모양은 'ㄷ'로 하여 deflection을 향상시켰다. 이 듀얼형식의 최적화된 모델은 signal line과 contact pad 간의 gap이 3.4${\mu}m$일 때, 최초 2.8V에서 contact이 이루어졌으며, 5V에서 12.4${\mu}N$의 contact force와 116MPa의 stress를 얻었고, 차후, SP4T나 SP6T 등의 설계시 공간 효율이 높은 다양한 형태의 구조를 설계할 수 있다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제38권1호
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• pp.70-77
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• 2014

본 논문에서는 실리콘 RFIC(radio frequency integrated circuit) 상에서 초소형 수동소자에의 응용을 위하여 다양한 형태의 주기적 스트립 구조(PSS, periodic strip structure)를 이용한 전송선로의 기본 특성을 연구하였다. 그 결과에 의하면, 본 논문에서 제안한 다양한 형태의 PSS 구조를 가지는 전송선로는 종래의 코프레너 선로(CPW, coplanar wave guide)에 비해 강한 slow-wave 특성에 의해 단파장 특성을 보여주었으며, 특히, PSS와 접지면 사이에 contact가 존재하고 PSS에 slot이 존재하지 않는 with-contact 구조가 RF 소자의 소형화에 가장 효과적임을 알 수 있었다. 구체적으로 with-contact 형태의 전송선로에 대한 실리콘 박막상의 점유면적은 종래의 코프레너 선로에 비해 4.39%로 점유면적이 대폭 축소되었다. 대역폭 계산결과에 의하면 모든 형태의 PSS 구조는 적어도 차단주파수가 384 GHz이상의 광대역 특성을 보여주었다. 상기 결과들로부터 본 논문에서 제안한 다양한 형태의 PSS 구조를 가지는 전송선로는 광대역 및 초소형 RF 수동소자로써 유용하게 사용될 수 있음을 알 수 있으며, 특히, with-contact 구조가 RF 소자의 소형화에 가장 효과적임을 알 수 있었다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.772-777
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• 2018

본 논문은 RF 마크네트론 스퍼터링 장비를 이용하여 ITO 유리에 N-type 및 P-type을 증착하였다. N-Type의 오믹접촉은 모든 조건에서 잘 되었다. 면저항은 RF Power가 증가할수록 면 저항이 증가되는 현상을 나타내었다. 증착한 박막의 표면을 분석해 본 결과, RF Power가 250W이고, 기판온도가 $250^{\circ}C$의 조건에서 입자가 균일하고 크기가 일정한 박막이 증착 된 것으로 측정되었다. P-Type은 모든 조건에서 오믹접촉이 잘 이루어졌으며 면저항은 RF Power가 증가할수록 증가되는 것으로 나타내었다. RF Power가 증가할수록 두께가 증가하고 안정화 된 것을 알 수가 있었다. PN junction 박막과 NP junction 박막은 스퍼터링 시간이 증가할수록 박막의 두께가 증가하고 안정화 된 것을 알 수가 있었다. PN junction 박막을 제작한 결과, 변환효율은 스퍼터링 시간이 10분일 때 0.2로 가장 우수하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.292-292
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• 2014

Wide band gap semiconductors, such as III-nitrides (GaN, AlN, InN, and their alloys), SiC, and diamond are expected to play an important role in the next-generation electronic devices. Specifically, GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) have been targeted for high power, high frequency, and high temperature operation electronic devices for mobile communication systems, radars, and power electronics because of their high critical breakdown fields, high saturation velocities, and high thermal conductivities. For the stable operation, high power, high frequency and high breakdown voltage and high current density, the fabrication methods have to be optimized with considerable attention. In this study, low ohmic contact resistance and smooth surface morphology to AlGaN/GaN on 2 inch c-plane sapphire substrate has been obtained with stepwise annealing at three different temperatures. The metallization was performed under deposition of a composite metal layer of Ti/Al/Ni/Au with thickness. After multi-layer metal stacking, rapid thermal annealing (RTA) process was applied with stepwise annealing temperature program profile. As results, we obtained a minimum specific contact resistance of $1.6{\times}10^{-7}{\Omega}cm2$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1509_1510
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• 2009

This paper presents the design and simulation results of ohmic contact RF MEMS silicon switch with a high isolation at high frequencies along with the position of a contact part, initial off-state and intermediate off-state including the state where a contact part is placed right over a signal line of coplanar waveguide (CPW). The ohmic contact part is connected with comb drives made of high resistivity single crystalline silicon. The released contact part is $30{\mu}m$ apart from the edge of signal line on the glass substrate along the lateral direction (x-direction) at initial off-state. The electrostatic force of the comb electrode creates the x-directional movement thus initial state is converted to the intermediate off-state. The initial off-state of the switch results in isolations of -31 dB, -24 dB and reflections of -0.45 dB, -0.67 dB at 50 GHz and 110 GHz, respectively. It shows the isolation degradation when the contact part moves right over the signal line of CPW like an initial off-state of a conventional MEMS switch. The isolations and reflections are -31 dB, -24 dB and -0.50 dB, -1.31 dB at 50 GHz and 110 GHz, respectively at the intermediate off-state.