In wireless sensor networks (WSNs) duty cycling has been an imperative choice to reduce idle listening but it introduces sleep delay. Thus, the conventional WSN medium access control protocols are bound by the energy-latency tradeoff. To break through the tradeoff, we propose a radio wave sensor called radio frequency (RF) wakeup sensor that is dedicated to sense the presence of a RF signal. The distinctive feature of our design is that the RF wakeup sensor can provide the same sensitivity but with two orders of magnitude less energy than the underlying RF module. With RF wakeup sensor a sensor node no longer requires duty cycling. Instead, it can maintain a sleep state until its RF wakeup sensor detects a communication signal. According to our analysis, the response time of the RF wakeup sensor is much shorter than the minimum transmission time of a typical communication module. Therefore, we apply duty cycling to the RF wakeup sensor to further reduce the energy consumption without performance degradation. We evaluate the circuital characteristics of our RF wakeup sensor design by using Advanced Design System 2009 simulator. The results show that RF wakeup sensor allows a sensor node to completely turn off their communication module by performing the around-the-clock carrier sensing while it consumes only 0.07% energy of an idle communication module.
To investigate the effect of RF power on the structural, optical and electrical properties of amorphous InGaZnO (a-IGZO), its thin films and TFTs were prepared by RF magnetron sputtering method with different RF power conditions of 40, 80 and 120 W at room temperature. In this study, as RF power during the deposition process increases, the RMS roughness of a-IGZO films increased from 0.26 nm to 1.09 nm, while the optical band-gap decreased from 3.28 eV to 3.04 eV. In the case of the electrical characteristics of a-IGZO TFTs, the saturation mobility increased from $7.3cm^2/Vs$ to $17.0cm^2/Vs$, but the threshold voltage decreased from 5.9 V to 3.9 V with increasing RF power. It is regarded that the increment of RF power increases the carrier concentration of the a-IGZO semiconductor layer due to the higher generation of oxygen vacancies.
변장 14 cm 재장 2.4 m인 대단면재의 전도가열, 고주파가열 및 복합가열에 의한 진공건조특성을 조사하였다. 건조속도는 복합가열에서 가장 컸고, 고주파가열에서 가장 적었다. 비에너지는 고주파가열에서 가장 컸고, 전도가열에서 가장 적었다. 진공건조목재의 횡단방향 함수율분포는 전도가열과 복합가열의 경우 불록한 형태를 나타냈으나, 고주파가열의 경우는 한쪽 표층에서 반대쪽 표층으로 향해 증가하는 경향을 나타내었다. 건조목재의 재장방향 함수율은 전도가열과 복합가열의 경우 횡단면이 중심부위보다 낮았고 고주파가열의 경우 횡단면이 중심보다 높았다. 표면할렬과 횡단면할렬은 전도가열진공건조에서 가장 심하였다. 내부할렬은 어떠한 가열방법에 의한 건조에서도 발생하지 않았다. 복합가열 진공건조 특성은 전도가열과 고주파가열간의 절충된 중간적 경향을 나타냈다.
본 논문에서는 2.4GHz 대역에서의 응용을 위한 광대역 RF 모들을 설계하고 제작하였다. 무선 주파 신호를 중간 주파수로 변환하기 위한 RF 모듈은 3단 증폭기로 이루어진 저잡음 증폭기(LNA), 단종단 게이트 믹서, 정합 회로, 헤어핀 라인 대역 통과 필터, 쳬비셰프 저역 통과 필터로 구성하였다. 저잡음 증폭기는 높은 이득과 안정도를 갖도록 설계하였으며, 단종단 게이트 믹서는 높은 변환이득과 넓은 동작 영역을 갖도록 설계하였다. 광대역 RF모듈의 해석에서는 복합화된 하모닉 밸런스드 기법을 사용하여 RF모듈의 동작 특성을 해석하였다. 설계된 RF 모듈은 55.2dB의 변환이득, 1.54dB의 낮은 잡음 특성, $-120{\sim}-60dBm$의 넓은 RF전력 동작 영역, -60dBm의 낮은 고조파 성분 그리고 RF, IF, LO포트 간에 우수한 분리 특성을 갖는다.
본 논문에서는 CRLH(Composite Righ/Left Handed) 전송선과 PIN 다이오드를 이용한 이중대역 RF 스위치를 제안하였다. 일반적인 RF 스위치가 RH(Right Handed) 전송선 및 PIN 다이오드로 구성되는 것과는 달리, 제안된 RF 스위치는 CRLH 전송선을 이용함으로써 이중대역 특성을 만족하였다. 설계된 CRLH전송선은 Open-Stub를 이용하여 PIN 다이오드 패키지 인덕턴스로 인한 격리도 감소를 해결하였다. RF 스위치는 GSM 주파수 대역인 900MHz와 DCS 주파수 대역인 1.8GHz의 이중 대역에서 설계 및 제작하였다.
본 논문은 3 GPP 규격을 바탕으로 한 W-CDMA UE 시스템의 RF 성능관련 내용을 다루고 있으며 송수신 파라미터를 RF 성능관점에서 유출하였다. 최적의 UE성능을 얻기 위해 송신기에 대해서는 ACLR, EVM, 피크코드영역 에러, 스펙트럼 방사 마스크, 주파수 오차 안정도, 송신전력제어 범위와 같은 성능 요구사항을 고찰하였고 수신기에 대해서는 수신 감도, 블록킹 특성, 잡음지수, 인접채널 선택도, 수신 ACC 범위 등이 고려되었다. 요구된 파라미터들을 근거로 UE RF 트랜시버를 구현하였고 실제 측정 시나리오에 따라서 RF 성능평가를 수행하였다.
본 논문에서는 비동기식 이동통신망의 동일 주파수 대역에서 신형 원격 기지국(RRH)과 중계기간에 RF 신호가 상호 정합이 가능하도록 하는 정합 모듈 시스템 설계에 관한 것이다. 이 정합 시스템은 통신 중에 있는 모듈의 RF Gain을 제어하고 품질상태를 모니터링 한다. 또한 Network의 RF 환경변화에 따라 RF Gain을 적절히 조절하여 중계기의 수신 특성에 맞게 정합 할 수 있는 기능을 부여하였다. 본 연구의 결과로 신형 기지국과 기존 중계기간에 상호 인터페이스 품질문제를 개선하였다.
Gallium nitride (GaN) can be used in high-voltage, high-power-density/-power, and high-speed devices owing to its characteristics of wide bandgap, high carrier concentration, and high electron mobility/saturation velocity. In this study, we investigate the technology trends for X-/Ku-band GaN RF power devices and MMIC power amplifiers, focusing on gate-length scaling, channel structure, and power density for GaN RF power devices and output power level and output power density for GaN MMIC power amplifiers. Additionally, we review the technology trends in gallium arsenide (GaAs) RF power devices and MMIC power amplifiers and analyze the technology trends in RF power devices and MMIC power amplifiers based on both GaAs and GaN. Furthermore, we discuss the current direction of national research by examining the national and international technology trends with respect to X-/Ku-band power devices and MMIC power amplifiers.
철도역사는 최근 들어 환승 등으로 더욱 복잡해지면서 철도역사 내부에서 이동자는 본인의 가고자 하는 목적지를 찾는데 어려움을 호소하고 있으며, 특히 교통약자들의 경우는 더욱 많은 어려움을 호소하고 있다. 특히 교통약자들은 철도역사 바닥에 설치된 점자 블록을 기반으로 역사 내에서 위치를 찾고 있으나 현실적으로는 어려움이 많아 역사이용 만족도가 매우 낮게 나오고 있다. 이에 따라 본 논문에서는 철도역사에서의 다양한 스마트모빌리티 서비스 지원을 위해서는 역사 이용자의 실시간 위치확인을 위한 스마트 점자 블록을 제안하고, 이 스마트 점자 블록의 재질별 RF 특성해석을 통해 철도역사 적합한 스마트 점자 블록의 재질, 그리고 스마트 점자 블록 내부의 RF 센서 간 이격거리 가이드라인을 제시하고자 한다. 특성해석을 통해 분석한 결과 결국 스마트 점자 블록의 적용 시 소재 변화에 공사 현장에 맞는 소재를 선정한 뒤 적용 예정인 RF 시스템 특히 RF 성능을 크게 좌우하는 안테나에 대한 성능변화를 반드시 사전 검토 과정을 통해 확인한 후 적용해야 할 것으로 보인다.
본 논문에서는 비정질 $Al_2O_3$ 코아 재료를 응용한 단순 solenoid 형태의 소형 고성능 RF 칩 인덕터를 연구하였다. 인덕터 크기는 $0.86{\times}0.46{\times}0.45mm^3$이고, $27{\mu}m$ 직경의 Cu를 코일로 사용하였다. RF 칩 인덕터의 인덕턴스(L), 양호 인자(Q), 임피던스(Z), 커패시턴스(C)와 등가회로 파라미터 등의 주파수 특성은 RF impedance/Material Analyzer (HP16193A test fixture가 장착된 HP4291B)로 측정되었다. $9{\sim}12$회의 권선수를 가진 RF 칩 인덕터들의 인덕턴스 값은 $21{\sim}34nH$ 범위를 가진다. 이들의 자기공진주파수(SRF)는 $5.7{\sim}3.7GHz$ 영역을 나타낸다. 또한 자기공진주파수가 증가함에 따라 인덕턴스 값이 감소하는 경향을 보이고 있다. 인덕터의 SRF는 인덕턴스가 증가함에 따라 감소하며, Q의 값은 $900MHz{\sim}1.7GHz$ 주파수 범위에서 최대 $38{\sim}49$까지 얻어졌다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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