최근 높은 편의성과 휴대성을 바탕으로 무선 입력 장비들의 사용이 증가하고 있다. 특히 2.4 GHz 주파수 대역을 사용하는 무선 키보드와 무선 마우스가 가장 많이 사용되고 있지만, 무선 장비의 경우 누설되는 전자파를 제3자가 수신하여 개인정보를 획득하기가 용이하기 때문에, 보안에 대한 취약점 또한 꾸준히 보고되고 있다. 본 논문에서는 2.4 GHz 무선 키보드와 무선 마우스의 취약점을 검증하기 위해 USRP 장비와 GNU 라디오(Radio) 패키지를 사용하여 2.4 GHz 무선 키보드와 무선 마우스의 패킷을 분석하고, 이를 조작하는 시스템을 구현하였다. 구축한 시스템을 이용하여 해당 장비의 통신 프로토콜 및 패킷 구조를 분석하여 장비 고유 주소(Address)와 입력 키 정보를 획득하였고, 임의의 키를 송신하여 원거리에서 사용자 PC를 조작할 수 있다는 것을 증명하였다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제10권6호
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pp.203-207
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2009
We have investigated the effect of ambient gases on the structural, electrical, and optical characteristics of ITO thin films intended for use as anode contacts in OLED (organic light emitting diodes) devices. These ITO thin films are deposited by radio frequency (RF) magnetron sputtering under different ambient gases (Ar, Ar+$O_2$, and Ar+$H_2$) at $300{^{\circ}C}$. In order to investigate the influences of the oxygen and hydrogen, the flow rate of oxygen and hydrogen in argon mixing gas has been changed from 0.5 sccm to 5 sccm and from 0.01 sccm to 0.25 sccm, respectively. The intensity of the (400) peak in the ITO thin films increased with increasing $O_2$, flow rate whilst the (400) peak was nearly invisible in an atmosphere of Ar+$H_2$. The electrical resistivity of the ITO thin films increased with increasing $O_2$ flow rate, whereas the electrical resistivity decreased sharply under an Ar+$H_2$ atmosphere and was nearly similar regardless of the $H_2$ flow rate. The change of electrical resistivity with changes in the ambient gas composition was mainly interpreted in terms of the charge carrier mobility rather than the charge carrier concentration. All the films showed an average transmittance of over 80% in the visible range. The OLED device was fabricated with different ITO substrates made with the configuration of ITO/$\alpha$-NPD/DPVB/$Alq_3$/LiF/Al in order to elucidate the performance of the ITO substrate. Current density and luminance of OLED devices with ITO thin films deposited in Ar+$H_2$ ambient gas is the highest among all the ITO thin films.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제40권9호
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pp.818-823
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2016
밀리미터파(Millimeter wave) 통신 시스템은 밀리미터파 주파수 대역의 넓은 가용 주파수 자원을 이용해 높은 전송 용량을 제공할 수 있다. 밀리미터파 기반 시스템의 전송선 왜곡 허용치(link margin)를 확보하기 위해 최근 아날로그/디지털 빔포밍(beamforming)을 결합한 하이브리드(hybrid) 빔포밍 기술이 주목받고 있다. 본 논문에서는 무선 주파수 대역의 하드웨어 복잡도와 전력 소비를 절감하기 위해 이산푸리에변환(discrete Fourier transform) 기반 고정형 아날로그 빔포밍 장치를 포함하는 상향링크 하이브리드 빔포밍 시스템 구조를 소개하고, 사용자간 간섭을 제거하기 위해 기저대역 제로-포싱 (zero-forcing) 다중안테나 수신기 구조를 제시한다. 또한 고려하는 시스템의 전송 용량을 개선하기 위해 각 사용자들의 유효 채널이 서로 직교에 가깝도록 빔을 선택하는 알고리즘을 제안한다. 그리고 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 제안하는 방법의 성능 개선 효과를 확인한다.
본 연구에서는 RF-plasma를 사용하여 카본블랙을 $N_2$ 분위기에서 표면처리 하였을 때 카본블랙의 표면 산도 및 염기도와 이온 흡착 특성, 그리고 표면 자유에너지를 통한 물리-화학적변화를 관찰하였다. 그 결과 카본블랙을 플라즈마 표면처리 하였을 경우 표면 자유에너지의 비극성 요소 (${\gamma}s^L$)가 크게 증가함을 고찰하였다. 또한 표면 산도 및 표면 염기도와 이온 교환특성, 제타 전위, 그리고 이온 이동도의 향상 등에 의한 표면 관능기의 발달로 표면처리 시간이 증가됨에 따라 극성요소 (${\gamma}s^{sp}$)인 전자 받게 (${\gamma}s^+$)와 전자 주게 (${\gamma}s^-$) 인자도 증가하는 것을 볼 수 있었다.
본 논문에서는 뜸의 열적 효과를 구현할 수 있는 심부 열 자극 시스템을 제작하고 뜸 자극에 의한 온도변화와 유사한 자극 프로토콜을 설계하고 평가하였다. 뜸은 질병에 대한 면역력을 높이고 질병을 치유하는데 사용하지만, 체표면에 화상을 입히는 부작용 및 열 자극의 세기를 조절하기 힘든 한계점이 있다. 이런 한계점을 극복하기 위해 자극의 세기 조절이 용이한 고주파 심부 열 자극 시스템을 개발하고, 심부에 뜸과 동일한 열 자극을 전달할 수 있는 프로토콜을 제안하여 뜸의 심부온도와 비교 하였다. 심부의 온도측정은 고주파의 영향을 받지 않는 적외선 열 센서를 사용해 측정하였고, 적외선 열 카메라 및 thermometer를 이용해 온도를 측정하고 비교하였다. 뜸과 심부 열 자극 시스템을 이용하여 심부에 자극을 인가한 후 측정한 온도변화를 비교한 결과, 표피에 가까울수록 유사한 온도 변화 패턴을 보여준 반면 심부로 내려갈수록 심부 열 자극 시스템의 열적효과가 뜸에 비해 더 효과적인 것을 알 수 있었다. 이를 통해 제작한 심부 열 자극 시스템과 열 자극 프로토콜의 유용성을 확인 할 수 있었다.
본 논문에서는 RF 부품 수동소자 중 가장 기본적인 요소가 되는 전송선로를 DAML(Dtelectric-supported Airbridge Microstrip Line) 형태의 새로운 구조로 제안하였으며, DAMS(Micro Electro Mechanical System) 기술 중 표면 마이크로머싱닝(surface micromachining) 기법을 이용하여 구현하였다. 제안된 구조는 마이크로스트립 라인(microstrip line)의 응용 형태로서 기존의 신호선(signal line)과 ground 사이에 유전체 지지대(dielectric post)를 사용하였고, 신호선을 공중으로 띄우면서 넓은 범위의 임피던스에서 유전체 손실(dielectric loss)을 최소화하였다. 본 논문에서 제작된 전송선로는 10 ㎛의 신호선의 높이와 10 ㎛ × 10 ㎛의 지지대(Post) 면적과 9 ㎛의 지지대(post)의 높이와 5 mm의 길이로 제작되었다. 50 GHz에서 일반적인 마이크로스티립(microstrip) 전송선의 손실이 약 7.5 dB/cm 이상 되는 것과 비교하여 본 논문에서 제안한 구조에서는 50 GHz에서 전송선의 손실이 약 1.1 dB/cm가 되는 것을 얻었다.
리튬나이오베이트 기판의 분극 반전 기술을 이용하여 5.5 GHz대역의 SSB(Single Sideband) 광변조기를 설계 및 제작하였다. 분극 반전을 통해 광이 인가받는 유효전계가 마흐젠더 두 도파로에서 $90^{\circ}$ 위상차를 갖도록 할 수 있었다. 제작된 광변조기는 5.8 GHz의 중심주파수로, 1.9 V DC 인가 시 약 33 dB의 USB 억제율을, -10.6 V 인가 시 약 25 dB의 LSB 억제율을 나타내었다. 또한 2.5 GHz의 대역폭에서 15 dB 이하의 Sideband 억제율을 보이고 있다.
산소 유량비 변화에 따른 라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성장된 AlN 박막의 구조, 표면 및 광학적 특성을 조사하였다. AlN 박막은 기판 온도 $300^{\circ}C$에서 성장되었으며, 반응성 가스로 질소와 산소 가스를 사용하였다. 산소 유량비는 공급되는 질소와 산소 혼합 가스양에 대한 산소의 유량비로 선택하여 0%, 10%, 15%, 20%, 25%, 30%로 제어하였다. 성장된 AlN 박막의 구조, 표면과 광학적 특성은 각각 X-선 회절장치, 전자주사현미경과 자외선-가시광 분광기를 사용하여 조사하였다. 산소 유량비 10%로 증착된 AlN 박막은 350~1,100 nm 파장 영역에서 평균 91.3%의 투과율과 4.30 eV의 광학 밴드갭 에너지를 나타내었다. 실험 결과는 산소 유량비를 변화시킴으로써 AlN 박막을 선택적으로 성장시킬 수 있음을 제시한다.
1974. 8. 15 SeoulMetro, beginning with the first electric railway established at six cities, so it is managing mass transportation of traffic. Especially, in case of seoul, It is managing that from one to eight lines, 286.9km, 265 stations have installed and now it is carrying about 5.5million of passengers everyday, and 2,000million passengers a year. So accident is increasing from the station every year. For this measure, SeoulMetro prepares safety fence for passengers crash but, as suicides or people who watch the accident took place, for at the bottom of passengers crash protection, PSD installing is needed. Even though, PSD is managing ATO section but, in controlling SeoulMetro, one to four lines sections are (ATS, ATC)section. Between as ATS, ATC section, ATO section, subway gate and PSD must have opened and crossed always at the time. And the interlock control corrosion protection gate, managing skills with installation, method, using in history, apply to 10rail cars one train sets, and maximum applying 2224% sections of passengers congested that consideration is to be needed. So 2004, SeoulMetro improved technology and basie design of PSD at ATS section. Based on this, from 2005.4 to 2006.6, using subway 2lines per 12stations set the model installation(full type 11stations, half type 1station) After installing in case of success, it is going about to suggest that effective analysis and hereafter subject.
S급 전력 증폭기 응용을 위한 CMOS 대역 통과 델타 시그마 변조기(BPDSM)와 캐스코드 E급 전력 증폭기를 설계 및 제작 하였다. 대역 통과 델타 시그마 변조기는 1 GHz의 샘플링 주파수로 250 MHz의 입력 신호를 펄스폭 변조 방식의 디지털 신호로 변조하며 양자화 잡음을 효과적으로 제거하였다. 대역 통과 델타 시그마 변조기는 25 dB의 SQNR을 가지며 1.2 V 전원 전압에서 24 mW의 전력을 소비한다. 캐스코드 E급 전력 3.3V 전원에서 동작하며 최대 18.1 dBm의 출력 전력을 가지며 25%의 드레인 효율을 보였다. 두 회로 모두 동부 0.11 um RF CMOS 공정으로 제작되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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