• 제목/요약/키워드: RC Circuit Model

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노화 및 동특성 임피던스 모델을 포함한 배터리 시뮬레이터에 관한 연구 (A Study on Battery Simulator Including Aging and Dynamic Impedance Model)

  • 이종학;김수빈;오상근;송승호
    • 전력전자학회논문지
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    • 제25권3호
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    • pp.171-180
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    • 2020
  • This paper presents the implementation and control methods of a battery simulator. The proposed battery simulator can emulate the dynamic characteristics of any actual battery using the second RC ladder model of the equivalent circuit. Moreover, it can emulate the variation of impedance, which is the result of the change of battery characteristics due to the aging effect. The parameters of the battery simulator can be derived from the sequence of tests of the actual battery or only from the data supplied by the battery manufacturer. Proposed methods for the battery simulator are tested by extensive experiments. Test results show that the proposed battery simulator can emulate not only the dynamic characteristics but also the aging effects of the actual battery in real time.

대화면/고화질 TFT-LCD 개발을 위하여 ELA 및 SMC로 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 화소 특성 비교 (Comparative Pixel Characteristics of ELA and SMC poly-Si TETs for the Development of Wide-Area/High-Quality TFT-LCD)

    • 한국진공학회지
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    • 제10권1호
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    • pp.72-80
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    • 2001
  • 본 논문에서는 ELA(excimer laser annealing) 및 SMC(silicide mediated crystallization) 공정으로 제작된 다결정 실리콘 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) 화소의 전기적 특성을 Spice회로 시뮬레이션을 통해 비교 분석하였다. 복잡한 TFT-LCD 어레이 (array) 회로의 전기적 특성 분석을 위하여 GUI(Graphic User Interface) 방식으로 손쉽게 복잡한 회로를 구성할 수 있는 PSpice에 AIM-Spice의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자 모델을 이식하고, AIM-Spice의 변수 추출법을 개선 체계화하였으며 ELA 및 SMC공정으로 각기 제작된 다결정 실리콘 박막트랜지스터에 적용하여 단위 화소 및 라인 RC 지연을 고려한 화소 특성을 비교 분석하였다. 비교 결과 ELA 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자가 SMC에 비해 TFT-LCD의 화소 충전 시간 및 킥백(kickback) 전압 특성이 모두 우수하게 나타남을 확인하였다.

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LiPB Battery SOC Estimation Using Extended Kalman Filter Improved with Variation of Single Dominant Parameter

  • Windarko, Novie Ayub;Choi, Jae-Ho
    • Journal of Power Electronics
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    • 제12권1호
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    • pp.40-48
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    • 2012
  • This paper proposes the State-of-charge (SOC) estimator of a LiPB Battery using the Extended Kalman Filter (EKF). EKF can work properly only with an accurate model. Therefore, the high accuracy electrical battery model for EKF state is discussed in this paper, which is focused on high-capacity LiPB batteries. The battery model is extracted from a single cell of LiPB 40Ah, 3.7V. The dynamic behavior of single cell battery is modeled using a bulk capacitance, two series RC networks, and a series resistance. The bulk capacitance voltage represents the Open Circuit Voltage (OCV) of battery and other components represent the transient response of battery voltage. The experimental results show the strong relationship between OCV and SOC without any dependency on the current rates. Therefore, EKF is proposed to work by estimating OCV, and then is converted it to SOC. EKF is tested with the experimental data. To increase the estimation accuracy, EKF is improved with a single dominant varying parameter of bulk capacitance which follows the SOC value. Full region of SOC test is done to verify the effectiveness of EKF algorithm. The test results show the error of estimation can be reduced up to max 5%SOC.

Impedance spectroscopy for lifetime analysis of OLED

  • Yoon, Chul-Oh;Kim, Hyun-Chul;Yi, Seok-Kyung;Kong, Ung-Gul;Lee, Nam-Heon;Lee, Chang-Hee
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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    • pp.137-140
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    • 2002
  • The frequency response analysis of complex impedance spectra using small perturbation ac impedance spectroscopy is an informative method of OLED performance characterization and lifetime analysis. Using simple RC equivalent circuit mode,l macroscopic nonliniear transport properties of semiconductive emission/transport layers can be analyzed and parameterized. We present the bias voltage dependence and aging effect in impedance spectra measured from an ITO/CuPC/TPD/$Alq_3$/LiF/Al OLED device, and discuss possible failure mechanism based on impedance model parameters.

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실리콘 기판 효과를 고려한 VLSI 인터컨넥트의 전송선 파라미터 추출 및 시그널 인테그러티 검증 (Transmission Line Parameter Extraction and Signal Integrity Verification of VLSI Interconnects Under Silicon Substrate Effect)

  • 유한종;어영선
    • 전자공학회논문지C
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    • 제36C권3호
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    • pp.26-34
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    • 1999
  • 실리콘 집적회로 인터컨넥트에서 전송선 파라미터를 추출하는 새로운 방법을 제시하고 이를 실험적으로 고찰 한다. 실리콘 기판 위에 있는 전송선에서의 신호는 PCB (printed circuit board)혹은 MCM (multi-chip module)의 인터컨넥트와 같은 마이크로 스트립 구조에서 가정하는 quasi-TEM 모드가 아니라 slow wave mode (SWM)로 대부분의 에너지가 전송되기 때문에 기판의 효과를 고려하여 전송선 파라미터를 추출한다. 실리콘 기판에서 전계 및 자계의 특성을 고려하여 커패시턴스 파라미터의 계산을 실리콘 표면을 그라운드로 설정하고 계산하고 인덕턴스는 단일 전송선 모델로부터 추출한 실효 유전상수를 도입하여 계산한다. 제안한 전송선 파라미터 추출 방법의 타당성을 검증하기 위하여 테스트 패턴을 제작하여 실험적 파리미터 추출 값이 제시한 방법의 결과와 약 10% 이내에서 일치한다는 것을 보여 계산 방법의 타당성을 입증한다. 또한 고속 샘플링 오실로스코프(TDR/TDT 메터) 측정을 통하여 제시한 방법이 크로스톡 노이즈를 정확히 예측 할 수 있는 반면 흔히 사용하고 있는 기판의 효과를 고려하지 않는 RC 모델 혹은 ? 모델은 약 20∼25% 정도 과소 오차(underestimation error)를 보인다는 것을 보인다.

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전도 냉각 파워 커패시터의 주파수 응답 곡선 분석 (Analysis of Frequency Response Curve for Conduction-Cooled Power Capacitors)

  • 안경문;김희식
    • 전자공학회논문지
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    • 제53권10호
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    • pp.123-130
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    • 2016
  • 고주파 유도가열장치는 LC 공진회로에 고주파 전원을 인가하여 금속을 가열 할 수 있다. 공진회로는 워크 코일과 전도 냉각 커패시터로 구성되며, 커패시터의 특성에 따라 열처리 설비의 성능을 좌우한다. 그러나 전도 냉각 커패시터는 국내 원천기술의 연구개발 부족으로 해외 수입 의존도가 높다. LC 공진 시 커패시터 내부의 발열을 최소화하고, 무효 전력손실을 줄이며, 내 전압특성이 우수한 커패시터가 요구된다. 국산화를 위하여, 선진 제조사의 완성품 커패시터의 주파수 응답 특성 분석에 대한 선행 연구가 필요하다. 주어진 로그-로그 특성 곡선의 임의 점에서 값을 읽기 위한 보간법을 연구하여 매틀랩 코딩으로 커패시터의 분석 도구로 적용하였다. 커패시터를 간단 화 된 RC 직렬 등가 회로로 가정하고, 등가 직렬 저항 ESL 값을 구하여 주파수 응답 특성 곡선을 재현하는 시뮬레이션을 시도하였다. 실제 무효전력의 피크 치에 대한 특성과 시뮬레이션 특성을 비교할 때 재현율이 83% 이상 결과 값으로 나타나는 것을 확인할 수 있었고, 이 알고리즘은 간단화 된 모델의 커패시터 특성곡선을 분석하여 예측 할 때 적용이 가능하다.

Design of a 2.4-GHz Fully Differential Zero-IF CMOS Receiver Employing a Novel Hybrid Balun for Wireless Sensor Network

  • Chang, Shin-Il;Park, Ju-Bong;Won, Kwang-Ho;Shin, Hyun-Chol
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제8권2호
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    • pp.143-149
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    • 2008
  • A novel compact model for a five-port transformer balun is proposed for the efficient circuit design of hybrid balun. Compared to the conventional model, the proposed model provides much faster computation time and more reasonable values for the extracted parameters. The hybrid balun, realized in $0.18\;{\mu}m$ CMOS, achieves 2.8 dB higher gain and 1.9 dB lower noise figure than its passive counterpart only at a current consumption of 0.67 mA from 1.2 V supply. By employing the hybrid balun, a differential zero-IF receiver is designed in $0.18\;{\mu}m$ CMOS for IEEE 802.15.4 ZigBee applications. It is composed of a differential cascode LNA, passive mixers, and active RC filters. Comparative investigations on the three receiver designs, each employing the hybrid balun, a simple transformer balun, and an ideal balun, clearly demonstrate the advantages of the hybrid balun in fully differential CMOS RF receivers. The simulated results of the receiver with the hybrid balun show 33 dB of conversion gain, 4.2 dB of noise figure with 20 kHz of 1/f noise corner frequency, and -17.5 dBm of IIP3 at a current consumption of 5 mA from 1.8 V supply.

Comparative Analysis of SOC Estimation using EECM and NST in Rechargeable LiCoO2/LiFePO4/LiNiMnCoO2 Cells

  • Lee, Hyun-jun;Park, Joung-hu;Kim, Jonghoon
    • Journal of Electrical Engineering and Technology
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    • 제11권6호
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    • pp.1664-1673
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    • 2016
  • Lithium rechargeable cells are used in many industrial applications, because they have high energy density and high power density. For an effective use of these lithium cells, it is essential to build a reliable battery management system (BMS). Therefore, the state of charge (SOC) estimation is one of the most important techniques used in the BMS. An appropriate modeling of the battery characteristics and an accurate algorithm to correct the modeling errors in accordance with the simplified model are required for practical SOC estimation. In order to implement these issues, this approach presents the comparative analysis of the SOC estimation performance using equivalent electrical circuit modeling (EECM) and noise suppression technique (NST) in three representative $LiCoO_2/LiFePO_4/LiNiMnCoO_2$ cells extensively applied in electric vehicles (EVs), hybrid electric vehicles (HEVs) and energy storage system (ESS) applications. Depending on the difference between some EECMs according to the number of RC-ladders and NST, the SOC estimation performances based on the extended Kalman filter (EKF) algorithm are compared. Additionally, in order to increase the accuracy of the EECM of the $LiFePO_4$ cell, a minor loop trajectory for proper OCV parameterization is applied to the SOC estimation for the comparison of the performances among the compared to SOC estimation performance.

넓은 충전 범위를 갖는 전기 자동차용 급속 충전기의 고효율 운전을 위한 손실 분석 (Power Loss Analysis of EV Fast Charger with Wide Charging Voltage Range for High Efficiency Operation)

  • 김대중;박진혁;이교범
    • 전기학회논문지
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    • 제63권8호
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    • pp.1055-1063
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    • 2014
  • Power losses of a 1-stage DC-DC converter and 2-stage DC-DC converter are compared in this paper. A phase-shift full-bridge DC-DC converter is considered as 1-stage topology. This topology has disadvantages in the stress of rectifier diodes because of the resonance between the leakage inductor of the transformer and the junction capacitor of the rectifier diode. 2-stage topology is composed of an LLC resonant full-bridge DC-DC converter and buck converter. The LLC resonant full-bridge DC-DC converter does not need an RC snubber circuit of the rectifier diode. However, there is the drawback that the switching loss of the buck converter is large due to the hard switching operation. To reduce the switching loss of the buck converter, SiC MOSFET is used. This paper analyzes and compares power losses of two topologies considering temperature condition. The validity of the power loss analysis and calculation is verified by a PSIM simulation model.

GaN/Si 기반 60nm 공정을 이용한 고출력 W대역 전력증폭기 (High Power W-band Power Amplifier using GaN/Si-based 60nm process)

  • 황지혜;김기진;김완식;한재섭;김민기;강봉모;김기철;최증원;박주만
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제22권4호
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    • pp.67-72
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    • 2022
  • 본 논문에서는 60 nm GaN/Si HEMT 공정을 사용하여 전력증폭기(Power Amplifier)의 설계를 제시하였다. 고주파 설계를 위하여 맞춤형 트랜지스터 모델을 구성하였다. Output stage는 저손실 설계를 위해 마이크로스트립 라인을 사용하여 회로를 구성하였다. 또한 RC 네트워크로 구성된 Bias Feeding Line과 Input bypass 회로의 AC Ground(ACGND) 회로를 각각 적용하여 DC 소스에 연결된 노드의 최소임피던스가 RF회로에 영향을 미치지 않도록 하였다. 이득과 출력을 고려하여 3단의 구조로 설계되었다. 설계된 전력증폭기의 최종 사이즈는 3900 ㎛ × 2300 ㎛ 이다. 중심 주파수에서 설계된 결과는 12 V의 공급 전압에서 15.9 dB의 소 신호 이득, 29.9 dBm의 포화 출력(Psat), 24.2 %의 PAE를 달성하였다.