하천에 설치된 보의 상류는 유사의 퇴적이 발생하며 하류 하도는 보에 의한 유사 차단 효과로 하상하강이 기대된다. 보 상류 퇴적이 진행되면 저수량이 감소하며 심할 경우 보 자체의 안전도 위협할 수 있다. 또한, 하류 하도에 세굴 및 하강현상이 지속되면 흐름 및 하도의 불안정과 하천 시설물의 안전을 위협하게 된다. 따라서 보 건설에 따른 하도의 퇴적 및 침식 현상을 예측하여 장차 발생할 수 있는 문제를 사전에 예측하는 것은 공학적으로 매우 중요하다. 본 연구에서는 수심적분 2차원 모형에 기초하여 유동 및 하상변동을 모의하는 RAM6 모형을 이용하여 금강 세종보에 적용하였다. RAM6는 흐름특성 변화에 따라 하상이 평형상태로 변화되는 과정을 시간에 따라 모의하고, 하상변화에 따른 흐름특성의 변화를 연계하여 모의하는 2차원 유한요소 모형이다. 세종보를 기준으로 상 하류 2 km, 총 4 km 구간에 대해 수치모의를 실시하였다. 세종보 상하류의 2차원 모의를 위하여 보 주위의 지형정보와 흐름정보를 입력하였다. 보의 제원은 높이 4 m이며, 가동보 223 m, 고정보 125 m로 총연장은 348 m 이다. 보 주위의 흐름과 퇴적 및 침식에 대해 모의하고 이 결과에 대하여 고찰하였다.
The objective of this study is to provide a simple methodology to find optimum processing conditions to fabricate sub-micron structured DVD-RAM substrates with superb optical and geometrical properties. It was fecund that the birefringence, which is regarded as one of the most important optical properties for an optical disk, was very sensitive to the mold wall temperature history. Also, the integrity of the replication, represented by the land-groove structure and the radial tilt were influenced by the mold temperature and the compression pressure. A set of optimum conditions were obtained by applying Design of Experiment and the objective functions composed of three different objectives.
본 논문에서는 PoRAM의 4bit 셀 어레이 구조와 이를 동작시키기 위한 센싱 방법에 대해서 연구하였다. PoRAM은 기존의 SRAM이나 DRAM과는 다른 동작을 취한다. PoRAM 소자의 상단전극과 하단전극에 전압을 가했을 때 저항 성분 변화에 따른 셀에 흐르는 전류를 측정하여 상태를 구분한다. 셀 어레이의 새로운 어드레싱 방법으로, 행-디코더는 "High", 열-디코더는 "Low"로 선택하여, 셀에 해당하는 전류가 워드라인에서 비트라인으로 흐르게 하였다. 이때 흐르는 전류를 큰 값으로 증폭시켜 원하는 값을 얻고자 전압 센스 앰플리파이어를 사용한다. 이는 전압 센싱 방법인 전류 미러를 이용한 1단 차동 증폭기를 사용한다. 전압 센스 앰플리파이어에서 증폭을 시켜주기 위해 셀에서 측정된 전류 값을 전압 값으로 변환시켜주는 장치가 필요하다. 1단 차동 증폭기 입력 단에 소자 저항인 diode connection NMOS을 달아주었다. 이를 사용함으로써 전류 값과 저항 값의 곱으로 나타내어진 입력값(Vin)과 기준전압(Vref)을 비교하여 지우기 상태일 경우에는 "Low", 쓰기 상태일 경우에는 "High"로 증폭되는 것을 확인했다.
The bipolar resistive switching characteristics of resistive random access memory (ReRAM) based on $HfO_2$ thin films have been demonstrated by using Ag/$HfO_2$/Pt structured ReRAM device. MIcrowave irradiation (MWI) treatment at low temperature was employed in device fabrication with $HfO_2$ thin films as a transition layer. Compared to the as-deposited Ag/$HfO_2$/Pt device, highly improved uniformity characteristics of resistance values and operating voltages were obtained from the MWI treatment Ag/$HfO_2$/Pt ReRAM device. In addition, a stable DC endurance (> 100 cycles) and a high data retention (> $10^4$ sec) were achieved.
The resistive switching characteristics of resistive random access memory (ReRAM) based on amorphous $Ge_{0.5}Se_{0.5}$ thin films have been demonstrated by using Ti/Ag nanocrystals/$Ge_{0.5}Se_{0.5}$/Pt structure. Ag nanocrystals (Ag NCs) were spread on the amorphous $Ge_{0.5}Se_{0.5}$ thin film and they played the role of metal ions source. As a result, comparing the conventional Ag/$Ge_{0.5}Se_{0.5}$/Pt structure, this Ti/Ag NCs/$Ge_{0.5}Se_{0.5}$/Pt ReRAM device exhibits the highly uniform bipolar resistive switching (BRS) characteristics, such as the operating voltages, and the resistance values. At the same time, a stable DC endurance(> 100 cycles), and the excellent data retention (> $10^4$ sec) properties were found from the Ti/Ag NCs/$Ge_{0.5}Se_{0.5}$/Pt structured ReRAM device.
An numerical study was conducted on superdetonative mode ram accelerator with length extended combustor. The computation condition was based on ISL's RAMAC30 II S225 experiment. For 50% length increased combustor, flame is not sustained. For the case of 60% and 70% increase, flame is successfully sustaind. But detonation wave is oscillating and acceleration is fluctuating. Extention of combustor is helpful for sustaing detonation wave but it may cause unstart.
Purpose: The rectus abdominis musculocutaneous (RAM) flap has contributed to the efficient reconstruction of soft tissue defects. The flap has the advantage of easy dissection, minimal donor site morbidity, and the constant vascular anatomy with long pedicle. Authors used the free RAM flap to reconstruct multi-located soft tissue defects while still considering functionality and aesthetics. We present the long-term outcomes and versatility of free RAM flaps. Materials and Methods: From 1994 to 2004, all patients who underwent soft tissue reconstruction with free RAM flap were reviewed retrospectively. The site of the reconstruction, vessels of anastomosis, type of RAM flap, and outcomes, including flap success rate, hospital stay after flap transfer, conduction of secondary procedure, flap complications, and donor-site complications were analyzed. Results: Twenty-one patients underwent 24 free RAM flaps in site of breast, face, upper extremity and lower extremity. Mean follow-up period was 36.1 months (range, 3~156 months). The overall success rate was 92% with only a loss of 2 flaps. Minor complications related to transferred flaps were necrosis of 2 partial flaps, hematoma formation in 3 cases, and a wound infection in 1 case. Donor site morbidity was not observed. Debulking surgery was performed in 4 patients, and scar revision was performed in 3 patients. Conclusion: Free RAM flap is a workhorse flap for general soft-tissue reconstruction with minimal donor site morbidity with aesthetically good results. Thus, the free RAM flaps are versatile, and sturdy for any sites of soft-tissue where reconstruction could be performed.
잠수함과 같은 대형 복합무기체계는 일반적인 무기체계의 램(RAM: Reliability, Availability, Maintainability) 목표 값 설정 방법을 적용 및 검증하는 것은 제한적이다. 잠수함은 소나체계, 무장체계 등 다수의 무기체계로 구성되어 있어 운용형태종합 및 임무(OMS: Operational Mode Summary/MP: Mission Profile)의 다양성, 장비의 복잡성 등의 특성을 갖는 복합무기체계이기 때문이다. 따라서 기존 무기체계의 개발사례 즉, 램 목표 값 설정 사례를 분석하고, 사례에 대한 문제점 및 제한사항을 도출하여 잠수함의 램 목표 값 설정 및 검증을 위한 개선방안을 제시하였다. 또한 잠수함은 다른 무기체계와는 달리 전 세계지역을 운용환경으로 하며, 서로 다른 운용조건 및 정비조건을 가진다. 이런 이유로, 잠수함의 램 목표 값은 구성하는 모든 구성품이 아닌, 임무 필수장비와 임무 중요장비를 중심으로 설정하고 검증해야 한다. 이에 본 연구는 잠수함건조 국방획득사업 추진시 잠수함의 체계 및 장비의 물리적인 성능요구와 더불어, 요구되는 성능 램 목표 값 설정에 대하여 검증하는 방법을 잠수함의 특성을 고려한 현실성 있는 방안을 제시하였다.
본 연구에서는 다중게이트 구조인 n-채널 무접합(junctionless) MuGFET 의 기판 전압이 zero capacitor RAM(Z-RAM) 특성에 미치는 영향에 대하여 실험적으로 분석하였다. 핀 폭이 50nm 이고, 핀 수가 1인 무접합 트랜지스터의 드레인에 3.5V, 기판에 0V 가 인가된 경우, 메모리 윈도우는 0.34V 이며 센싱 마진 은 $1.8{\times}10^4$ 의 특성을 보였다. 양의 기판 전압이 인가되면 충격 이온화가 증가하여 메모리 윈도우와 센싱 마진 특성이 개선되었다. 기판 전압이 0V에서 10V로 증가함에 따라, 메모리 윈도우 값은 0.34V 에서 0.96V 로 증가하였고, 센싱 마진 또한 소폭 증가하였다. 기판 전압에 따른 무접합 트랜지스터의 메모리 윈도우 민감도가 반전 모드 트랜지스터 보다 큰 것을 알 수 있었다. Gate Induced Drain Leakage(GIDL) 전류가 작은 무접합 소자의 경우 반전모드 소자에 비해서 보유시간 특성이 좋을 것으로 사료된다. Z-RAM의 동작 신뢰도 평가를 위해서 셋/리셋 전압 및 전류의 변화를 측정하였다.
In this study, water quality prediction that is necessary to water quality forecasting system is performed using 2-D river analysis models RMA-2 and RAM4. RAM4 is suitable to water quality forecasting system cause it is possible to put in the pollutants as a mass type boundary condition. Instant injections of pollutants at Yongdamdaegyo Bridge in Namhangang River are simulated and the behavior of pollutant cloud is observed. The effects of water quality accident to Paldang 2 water intake plants in Paldangho Lake is analyzed with time variation. And extra flow simulation is performed for mitigation of pollution. Several cases of water quality forecasting system at home and abroad are investigated and the direction of water quality forecasting system is presented.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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