1 |
S. Peng, F. Zhuge, X. Chen, X. Zhu, and B. Hu, Appl. Phys. Lett., 100, 072101 (2012).
DOI
|
2 |
M. Kund., G. Beitel, C. U. Pinnow, T. Rohr, J. Schumann, R. Symanczyk, K. D. Ufert, and G. Muller, IEDM Tech. Dig., 773 (2005).
|
3 |
U. Russo, D. Kamalanathan, D. Ielmini, A. L. Lacaita, and M. N. Kozicki, IEEE Trans. Electron Dev. Lett., 56, 1040 (2009).
DOI
ScienceOn
|
4 |
C. Schindler, S.C.P. Thermandam, R. Waser, and M. N. Kozicki, IEEE Trans. Electron Dev. Lett., 54, 2762 (2007).
DOI
ScienceOn
|
5 |
S. Z. Rahaman, S. Maikap, W. S. Chen, H. Y. Lee, F. T. Chen, M. J. Kao, and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett., 101, 092100 (2012).
|
6 |
T. Nagata, M. Haemori, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Iwashita, K. Kobayashi, and T. Chikyow, Appl. Phys. Lett., 99, 223517 (2011).
DOI
|
7 |
K. Terabe, T. Hasegawa, T. Nakayama, and M. Aono, Nature, 433, 47 (2005).
DOI
ScienceOn
|
8 |
J. R. Jameson, N. Gilbert, F. Koushan, J. Saenz, J. Wang, S. Hollmer, and M. N. Kozicki, Appl. Phys. Lett., 99, 063506 (2011).
DOI
|
9 |
J. H. Kim, K. H. Nam, and H. B. Chung, J. KIEEME, 25, 182 (2012).
|
10 |
S. Z. Rahaman, S. Maikap, T. C. Tien, H. Y. Lee, W. S. Chen, F. Chen, M. J. Kao, and M. J. Tsai, Nanoscale Res. Lett., 7, 345 (2012).
DOI
|
11 |
C. Park, S. H. Jeon, S. C. Chae, S. Han, B. H. Park, S. Seo, and D. W. Kim, Appl. Phys. Lett., 93, 042102 (2008).
DOI
ScienceOn
|
12 |
J. W. Park, K. Jung, M. H. Yang, and J. K. Lee, J. Vac. Sci. Techno. B, 24, 220 (2006).
|
13 |
J. Yoon, H. Choi, D. Lee, J. B. Park, J. Lee, D. J. Seong, Y. Ju, M. Chang, S. Jung, and H. Hwang, IEEE Trans. Electron Dev. Lett., 30, 457 (2009).
DOI
ScienceOn
|
14 |
P. T. Liu, L. W. Chu, L. F. Teng, Y. S. Fan, and C. S. Fuh, ECS Transactions, 50, 257 (2012).
|
15 |
Q. Liu, S. Long, H. Lv, W. Wang, J. Niu, Z. Huo, J. Chen, and M. Liu, ACS Nano., 4, 6162 (2010).
DOI
|
16 |
Y. Wang, Q. Liu, S. Long, W. Wang, Q. Wang, M. Zhang, S. Zhang, Y. Li, Q. Zuo, J. Yang, and M. Liu, Nanotechnology, 21, 045202 (2010).
DOI
|