Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.11a
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pp.539-542
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2000
ZnO thin films for light emission device have been deposited on sapphire and silicon substrates by pulsed laser deposition technique(PLD). A Nd:YAG laser was used with the wavelength of 355 nm. In order to investigate the emission properties of ZnO thin films, PL measurements with an Ar ion laser as a light source using an excitation wavelength of 351 nm and a power of 100 mW are used. All spectra were taken at room temperature by using a grating spectrometer and a photomultiplier detector. ZnO exhibited PL bands centered around 390, 510 and 640 nm, labeled near ultra-violet (UV), green and orange bands. Structural properties of ZnO thin films are analized with X-ray diffraction (XRD).
Pulse plating is about to deposit material at high current density compared to conventional DC plating. For example pulse plating can get more fine grain can improve adhension and metal distribution and current efficiency can reduce internal stress and crack. therefore we studied pulsed power supply which has high current density and improve deposition quality and increase plating speed in this paper.
A new design of four-pass dye laser amplifier affording a narrow-bandwidth pulsed output is demonstrated to suppress the amplified spontaneous emission(ASE) carried by the amplifier output and reduce the possibility of parasitic oscillation in the amplifier. By the direct pulsed amplification of a cw 100 mW dye laser under a Q-switched doubled Nd:YAG laser pumping with energy of 5.6 mJ/pulse, high-peak-power pulsed output with 1.5-mJ energy in 130-MHz bandwidth is obtained corresponding to a power gain greater than $2{\times}10^6$ and an energy efficiency of 27%. The ASE ratio in the four-pass amplifier output is dramatically reduced by using a diffraction grating in the amplifier. Compared with the results obtained from the normal operation of the amplifier with no frequency-selective device, the ASE ratio is reduced by a factor in excess of 10 to remain under 1.5% of the amplifier output whereas the total output energy is slightly increased by ~4%.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.48
no.11
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pp.730-734
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1999
In this study, it is the purpose to develope a cheap and compact repetitively pulsed $CO_2$ laser with pulse repetition rate range of 180 Hz. We used a SCR switched power supply as a high voltage pulsed supply, which is cheap and simple comparing to others. PIC one-chip microprocessor was used for precise control of a laser power supply on the control part. And the laser cavity was fabricated as an axial and water cooled type. The laser performance characteristics as various parameters, such as pulse repetition rate and gas pressure have been investigated. The experiment was done under the condition of total pressure of $CO_2, N_2$ and He from 4 Torr to 16 Torr and pulse repetition rate from 4 Hz to 180 Hz. As a result, the maximum average output was about 19.6W at the total pressure of 12 Torr and the pulse repetition rate of 180Hz.
The Journal of The Korea Institute of Intelligent Transport Systems
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v.10
no.1
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pp.42-48
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2011
In this paper, a passive load-pull using a GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) bare-chip in X-band is presented. To obtain operation conditions that characteristic change by self-heating was minimized, pulsed drain bias voltage and pulsed-RF signal is employed. An accuracy impedance matching circuits considered parasitic components such as wire-bonding effect at the boundary of the drain is accomplished through the use of a electro-magnetic simulation and a circuit simulation. The microstrip line length-tunable matching circuit is employed to adjust the impedance. The measured maximum output power and drain efficiency of the pulsed load-pull are 42.46 dBm and 58.7%, respectively, across the 8.5-9.2 GHz band.
Eom, Jimi;Oh, Hyungon;Kwon, Sang Jik;Park, Jung Chul;Cho, Eou Sik;Cho, Il Hwan
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.26
no.1
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pp.44-48
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2013
Niobium oxide($Nb_2O_5$) films were deposited on p-type Si wafers at room temperature using in-line pulsed-DC magnetron sputtering system with various frequencies. The different duty ratios were obtained by varying the frequency of pulsed DC power from 100 to 300 kHz at the fixed reverse time of $1.5{\mu}s$. From the thickness of the sputtered $NbO_x$ films, it was possible to obtain much higher deposition rate in case of pulsed-DC sputtering than RF sputtering. However, the similar leakage currents and structural characteristics were obtained from the metal-insulator-semiconductor(MIS) structure fabricated with the $NbO_x$ films and the x-ray photoelectron spectroscopy(XPS) results in spite of the different deposition rates. From the experimental results, the $NbO_x$ films sputtered by pulsed-DC sputtering are expected to be used in the fabrication process instead of RF sputtering.
Until now, many researches on laser-arc hybrid welding processes have been conducted mainly for high power CW laser and high direct current arc to weld the thick steel plates for shipbuilding. Recently, however the usage of thin steel plates, which tend to be deformed easily by thermal energy, is been increasing because of demand of light structure such as car body in the automobile industry. Accordingly, heat sources having relatively low heat input such as pulsed laser, dip-transfer DC GMA and pulsed GMA seem to be applied more increasingly and the study about those heat sources is needed more intensively. Any heat source mentioned above can not stand alone without weld defects at a relatively high welding speed for increasing the welding productivity. This is main reason to apply the hybrid welding process which uses pulsed laser and low-heat-input GMA heat sources simultaneously to weld the thin steel plate. In this study, parameters of pulsed laser and dip-transfer DC GMA welding are studied firstly through preliminary experiments, and then analyzed in the viewpoint of their physical phenomena. Before conducting the hybrid welding, a pulse control technique is developed based on the parallel port communication and Visual C++ 6.0. Owing to development of this technique, interactions of laser and arc pulses can be controlled consistently. Using the pulse control technique, the hybrid welding is conducted and then its interactive welding phenomenon is analyzed.
A tunable pulsed dye laser was operated in a single longitudinal mode by injection locking with a cw ring dye laser. A doubled Nd:YAG laser was used as the pumping source. Phase sensitive detection technique was applied to maintain the required match between the master laser frequency and the slave resonator cavity length. The fluctuation of the center frequency of the pulsed laser was < 10 MHz, and the pulse duration (FWHM) was 6 ns. The linewidth measured by scanning confocal interferometer was 130 MHz. When pumped by 50 mJ of the doubled Nd:YAG laser, the output energy of the pulsed dye laser was 2 mJ and the peak power was 330 kW. 30 kW.
Sin, Gu-Hwan;Nam, Myeong-Yong;Gang, Gyeong-In;Im, Jong-Tae;Cha, Won-Ho
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.34
no.1
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pp.95-102
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2006
The PPT being currently developed for the flight model represents a significant leap in techniques and technology compared to the previous flight ones. The electrical energy to be charged in the pulsed plasma thruster (PPT) is a very important aspect to provide an uniform impulse bit ,, and a specific impulse ,, for satellite attitude control. In this paper, we propose a nonlinear control technique and a stability analysis based on the Lyapunov function for the pulsed plasma thruster. Specifically, the proposed control law guarantees to charge and discharge the electrical energy generated from the power processing unit (PPU) within the specified time.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.9
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pp.541-545
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2000
We propose a pulsed $CO_2$laser below 30W by the AC(60Hz) switching control of leakage transformer primary which has some advantages of cost and size compared to a typical pulsed power supply. Pulse repetition rate is adjusted from 5 Hz to 60 to Hz control laser output. In this laser a low voltage open loop control for high voltage pulse discharge circuit is employed to aviod the Hv sampling or switching and high voltage leakage transformer is used to convert low voltage pulse rectified from AC to high voltage one. A ZCS(Zero Crossing Switch) circuit and a PIC(programble one-chip microprocessor are used to control gate signal of SCR precisely. The pulse repetition rate is limited by 60Hz due to the frequency of AC line and a high leadkage inductance. The maximum laser output was about 23 W at pulse repetition rate of 60Hz total gas mixture of $CO_2$ : $N_2$ : He=1: 9: 15 and total pressure of 18 Torr
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[게시일 2004년 10월 1일]
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