Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제7권1호
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pp.1-6
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2006
Hot carrier degradation and roll off characteristics of threshold voltage ($V_{t1}$) on NMOSFETs as I/O transistor are studied as a function of Lightly Doped Drain (LDD) structures. Pocket dose and the combination of Phosphorus (P) and Arsenic (As) dose are applied to control $V_{t1}$ roll off down to the $10\%$ gate length margin. It was seen that the relationship between $V_{t1}$ roll off characteristic and substrate current depends on P dopant dose. For the first time, we found that the n-p-n transistor triggering voltage ($V_{t1}$) depends on drain current, and both $I_{t2}$ and snapback holding voltage ($V_{sp}$) depend on the substrate current by characterization with a transmission line pulse generator. Also it was found that the improved lifetime for hot carrier stress could be obtained by controlling the P dose as loosing the $V_{t1}$ roll off margin. This study suggests that the trade-off characteristic between gate length margin and channel hot carrier (CHC) lifetime in NMOSFETs should be determined by considering Electrostatic Discharge (ESD) characteristic.
초음파검사는 초음파 펄스가 한 방향으로 진행한다고 하는 지향성을 이용하고 있다. 초음파의 지향성은 전파 방향과 음압 분포의 관계를 나타내고 있으며 탐촉자의 배치, 탐상 감도 및 주사 간격, 결함의 위치 및 특성의 결정에 밀접한 관계가 있다. 본 논문은 초음파가시화법을 이용하여 pyrex glass로 만든 가상 맞대기 용접부내의 용접 금속부에 위치한 인공 결함으로부터 산란한 반사 횡파의 지향성을 측정하였다. 2 MHz와 4 MHz의 사각탐촉자가 인공 결함에서의 반사파의 지향성 조사에 사용되었다. 인공 결함으로부터 반사된 횡파의 지향성은 사각탐촉자의 위치 및 가상 용접부의 형상에 따라 달랐으며 2 MHz와 4 MHz의 사각 탐촉자에 따라 반사파의 지향성은 큰 차이를 나타내고 있었다. 또한 가상 용접부의 높이가 커짐에 따라 반사각과 입사각은 비슷하게 되었다.
Light-triggered thyristors (LTTs) are essential components in high-power applications, such as HVDC transmission and several pulsed-power applications. Generally, LTT fabrication includes a deep diffusion of aluminum as a p-type dopant to form a uniform p-base region, which needs careful concern for contamination and additional facilities in silicon semiconductor manufacturing factories. We fabricated 4-inch 5,000 V LTTs with boron implantation and diffusion process as a p-type dopant. The LTT contains a main cathode region, edge termination designed with a variation of lateral doping, breakover diode, integrated resistor, photosensitive area, and dV/dt protection region. The doping concentration of each region was adjusted with different doses of boron ion implantation. The fabricated LTTs showed good light triggering characteristics for a light pulse of 905 nm and a blocking voltage (VDRM) of 6,500 V. They drove an average on-state current (ITAVM) of 2,270 A, peak nonrepetitive surge current (ITSM) of 61 kA, critical rate of rise of on-state current (di/dt) of 1,010 A/㎲, and limiting load integral (I2T) of 17 MA2s without damage to the device.
Bacillus megaterium ATCC 14945의 penicillin G acylase 유전자의 염기배열을 결정하였다. 이 유전자에는 2,406 염기쌍으로 이루어진 하나의 open reading frame이 존재하는데, 개시코돈의 5' 위쪽에서 Shine-Dalgarno 배열과 promoter로 여겨지는 부분을 발견하였으며, 종결코돈의 3' Synechocystis sp. PCC 6803으로부터 광활성종속영양으로 생장할 수 없는 돌연변이체 PRM1을 분리하였다. PRM1을 혼합영양으로 배양하였을 경우에는 생장속도가 Synechocystis 6803과 거의 같았다. 그러나 PRM1을 하루에 5 분만 빛을 조사하면서 광활성종속영양으로 배양하였을 경우에는 전혀 생장하지 못하였다. 이러한 결과는 PRM1이 종속영양으로 생장하는데 필요한 대사능력에 이상이 있는 것이 아니라 생장에 필요한 광신호 전이 체계에 이상이 있음을 시사한다. PRM1의 plasmid 양상, 균체의 absorption spectra, 세포 내부와 외부의 형태 등은 Synechocystis 6803과 유사하였으나 여러 세포들을 함께 얽어매는 부정형 점액성 물질을 형성하지 않는 점이 달랐다.
잉크젯 헤드의 발열체에 적용하기 위해 $poly-Si/SiO_2/Si$ 다층기판 위에 결정화된 안정한 코발트실리사이드$(CoSi_2)$ 박막을 형성하여 오메가 형태의 발열체를 제작하고 발열체의 구조적 형상과 온도저항계수 등 전기적 특성을 조사, 연구하였다 $(CoSi_2)$ 박막의 형성은 금속 Co 박막을 급속 열처리장치를 이용하여 $800^{\circ}C$에서 20초 동안 질소 분위기에서 열처리하여 실리사이드 박막을 형성하였다. 발열체의 온도 저항계수 값은 약 $0.0014/^{\circ}C$ 값을 얻을 수 있었다. 인가전압 10 V, 주파수 10KHz 및 펄스간격 $1{\mu}s$ 인가시 발열체의 순간전력은 최대 2W를 나타내었다. 반복된 전압인가에 따른 발열체의 피로특성을 조사한 결과 15 V 이하의 전압인가시 $10^8$ 펄스 cycle 까지 저항변화가 거의 없었으나 17 V 인가전압에서는 $10^6$ cycle에서 발열체의 저항이 급격히 증가하였다.
고온$(500^{\circ}C)$ 환경에서 접촉식 탐상이 가능한 초음파 탐촉자를 개발하고 평가하였다. 고온용 탐촉자는 Curie 온도가 $600^{\circ}C$ 이상인 bismuth titanate 계열의 압전세라믹 소자, 텅스텐 분말과 inorganic binder를 혼합한 후면재, 알루미나 튜브, 전면재, 하우징 등으로 구성되었다. 기본 공진주파수가 각각 1.04 및 2.08 MHz의 2 종류 탐촉자를 제작하였으며 각종 고온용 커플런트의 온도특성을 시험하였다. 개발된 고온용 탐촉자를 이용하여 강재 시편을 대상으로 시편에서의 초음파 반사신호를 측정한 결과 시편의 온도가 증가함에 따라 반사신호의 크기는 감소하였다. 고온에서 반복측정 실험결과 $500^{\circ}C$에서 연속적인 접촉식 초음파 탐상이 가능한 것으로 나타났다.
Song Jae Seok;Jeon Jeong Ho;Lee Jung Hun;Jeong Seok Hoon;Jeong Byeong Chul;Kim Sang Jin;Lee Jung Hyun;Lee Sang Hee
Journal of Microbiology
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제43권2호
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pp.172-178
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2005
To determine the prevalence and genotypes of $\beta$-lactamases among clones of a metagenomic library from the cold-seep sediments of Edison seamount (10,000 years old), we performed pulse-field gel electrophoresis, antibiotic susceptibility testing, pI determination, and DNA sequencing analysis. Among the 8,823 clones of the library, thirty clones produced $\beta$-lactamases and had high levels of genetic diversity. Consistent with minimum inhibitory concentration patterns, we found that five ($167\%$) of thirty clones produced an extended-spectrum $\beta$-lactamase. 837- and 259-bp fragments specific to bla$_{TEM}$ genes were amplified, as determined by banding patterns of PCR amplification with designed primers. TEM1 was the most prevalent $\beta$-lactamase and conferred resistance to ampicillin, piperacillin, and cephalothin. TEM-116 had a spectrum that was extended to ceftazidime, cefotaxime, and aztreonam. The resistance levels conferred by the pre-antibiotic era alleles of TEM-type $\beta$-lactamases were essentially the same as the resistance levels conferred by the TEM-type alleles which had been isolated from clinically resistant strains of bacteria of the antibiotic era. Our first report on TEM-type $\beta$-lactamases of the pre-antibiotic era indicates that TEM-type $\beta$-lactamases paint a picture in which most of the diversity of the enzymes may not be the result of recent evolution, but that of ancient evolution.
초음파 비파괴검사와 관련하여 많은 측정 방법들이 사용되고 있으며, 전형적인 예로서 재료성질 결정, 미시구조 특성 평가, 결함의 탐상 등을 들 수 있다. 이러한 응용에서 속도와 감쇠계수는 가장 흔히 요구되는 초음파 측정 파라미터이다. 본 연구에서는 수침식 펄스 에코방법으로 속도 및 감쇠 측정을 위한 5가지 해석 알고리즘 (펄스 겹침법, 상호 상관법, Fourier 변환, Hilbert 변환, Wavelet 변환)을 소개하였다. 먼저 연속한 두 저면 반사파 사이의 시간지연 측정을 위하여 펄스 겹침법, 상호 상관법, Fourier 변환에 의한 위상 기울기법 및 Hilbert 변환법을 사용하였다. 주파수 의존위상/군속도와 감쇠계수는 Fourier 변환에 의한 위상 및 진폭 스펙트럼이 사용되었으며, 이와 더불어 시간-주파수 해석법인 wavelet 변환이 이용되었다. 사용된 시편은 분산을 무시할 수 있는 강판과 약한 분산성을 지닌 기공을 함유한 복합판재이다. 각 측정 알고리즘의 특성에 대해 논의하였으며 측정된 결과들을 서로 비교하였다.
We discovered the formation of C60 aggregates in solution by means of photoluminescence spectroscopic study on C60 in solutions. From the in-depth investigation of temperature dependence of the luminescence of C60 in toluene, benzene and CS2 solutions, we reported that the C60 aggregates are formed during cooling at the freezing temperature of these solvents. Furthermore, the C60 aggregates can be changed to stable structures by irradiating with UV pulse-laser (Nd:YAG laser, 355nm). As a consequence, we could obtain nano-scale photo-polymerized C60 clusters, which appear as round-shaped nano- scale particles in high resolution transmission electron-microscopy (HRTEM) images. However, the yield of the nano-scale C60 clusters obtained by this method is too small. So we designed and developed a system to obtain C60 cluster of macroscopic quantity by using ultrasonic nebulizer. In this system, C60 solution was vaporized to several micro-sized droplets in vacuum, resulting in the formation of C60 aggregates by evaporating solvent (toluene). The system was invented to produce nano-scale carbon clusters by the irradiation of UV light upon C60 aggregates in vacuum. We have characterized the products, C60 cluster, obtained from the system by using UV absorption spectra and HPLC spectra. Although the products have a possibility of inclusion various forms of C60 cluster, results support that the product formed from the system by using vaporizer method establishes a new method to obtain C60 cluster in macroscopic quantity. In the presentation, the details of the system and the results of characterization are reported.
Buffer layers play an important role in the development of high critical current density coated conductor. $LaMnO_3$, $SrTiO_3$ and $BaZrO_3$ buffer layers were compatible with MgO surfaces and also provide a good template for growing high current density REBCO(RE=Rare earth) films. Systematic studies on the influences of pulsed laser deposition parameters (deposition temperature, deposition pressure, processing gas, laser energy density, etc.) on microstructure and texture properties of $LaMnO_3$, $SrTiO_3$ and $BaZrO_3$ films as buffer layer deposited on ion-beam assisted deposition MgO (IBAD_MgO) template by pulse laser deposition method, were carried out. These results will be presented together with the discussion on the possible use of this material in HTS coated conductor as buffer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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