This study was performed to investigate the effect of gold electrodepositoin on porcelain color of palladium-silver alloy. The specimens were made by firing porcelain on the metal plates cast respectively in Au-Pt alloy, and Pd-Ag alloy. In the case of Pd-Ag alloy specimens, porcelain were fired under three different conditions of the metal plate: 1) without gold coating, 2) firing opaque beforehand on one side, gold coating on the other side, 3) gold coating on both sides of the metal plate. Color change was measured with fiber-optic colorimeter(Model TC-6FX, Tokyo Denshoku Co., Japan). The obtained results were as follows: 1. In the group of firing opaque beforehand on one side and gold coating on the other side, there was no significant differences in their color in comparison to the color of the control group of the Au-Pt alloys. 2. In the group of gold coating on both sides on metal plate, there were no significant differences except their value to the group of firing poaque beforehand on one side and gold coating on the other side.
Interest and demand for hydrogen sensors are increasing in the field of H2 leakage detection during storage/transport/use and detection of H2 dissolved in transformer oil for safety issues as well as in the field of breath analysis for non-invasively diagnosing a number of disease states for a healthy life. In this study, various ZnO-based sensors were synthesized by controlling the reduction in crystallite size, decoration of Pt nanoparticles, doping of electron donating atoms, and doping of various atoms with different ionic radii. The sensing response of the various prepared ZnO-based nanoparticles and quantum dots (QDs) for 10 ppm H2 was investigated. Among the samples, the smallest-sized (3.5 nm) In3+-doped ZnO QDs showed the best sensing response, which is superior to those in previously reported hydrogen sensors based on semiconducting metal oxides. The higher sensing response of In-doped ZnO QDs is attributed to the synergic effects of the increased number of oxygen vacancies, higher optical band gap, and larger specific surface area.
Ferroelectric Ce-doped $Bi_4Ti_3O_{12}$ (BCT) thin films were deposited by liquid delivery metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) onto a $Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(100)$ substrate. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were used to identify the crystal structure, the surface, and the cross-section morphology of the deposited ferroelectric flims. After annealing above $640^{\circ}C$, the BCT films exhibited a polycrystalline structure with preferred (001) and (117) orientations. The BCT lam capacitor with a top Pt electrode showed a large remnant polarization ($2P_r$) of $44.56{\mu}C/cm^2$ at an applied voltage of 5 V and exhibited fatigue-free behavior up to $1.0{\times}10^{11}$ switching cycles at a frequency of 1 MHz. This study clearly reveals that BCT thin film has potential for application in non-volatile ferroelectric random access memories and dynamic random access memories.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.13
no.9
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pp.745-750
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2000
The (S $r_{0.85}$C $a_{0.15}$) Ti $O_3$(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode (Pt/TiN/ $SiO_2$/Si) using RF sputtering method at various deposition temperature. The crystallinity of SCT thin films were increased with increase of deposition temperature in the temperature range of 200~500[$^{\circ}C$]. Also, the composition of SCT thin films were closed to stoichiometry (1.080~1.111 in A/B ratio). V-I characteristics of SCT thin films show the increasing leakage current with the increases of deposition temperature. The conduction mechanism of the SCT thin films observed in the temperature range of 25~100[$^{\circ}C$] can be divided into four regions with different mechanism by the increasing current. The region I below 0.8[MV/cm]shows the ohmic conduction. The region II between 0.9~2[MV/cm] is in proportion to J∝ $E^{1.5}$ , the region III between 2~4[MV/cm] can be explained by the Child’s law, and the region IV above 4[MV/cm]is dominated by the tunneling effect.ect.
The ferroelectric YMnO3 thin films were prepared by MOD(metal-organic decomposition) method with Y- and Mn-acetylacetonate as starting materials. Thin films were grown on various substrates by spin-coating technique. The crystalline phases of the thin films were identified by X-ray diffractometer as a function of heat-treatment temperature, pH of coating solution and substrate. In addition, the effect of Mn/Y molar ratio(0.8~1.2) on the formation of hexagonal-YMnO3 phase was investigated. In forming highly c-axisoriented hexagonal-YMnO3 single phase, the Pt coated Si substrate was more effective than the bare Si substrate, and the optimum heat-treatment condition was at 82$0^{\circ}C$ for 30 min. Higher Mn/Y molar ratio within 0.8~1.2 and pH of YMnO3 precursor solution within 0.5~2.5 favored formation of ferroelectric hexagonal phase rather than orthorhombic phase. Leakage current density of the hexagonal-YMnO3 thin film formed on Pt(111)/TiO2/SiO2/Si substrate was low enough as 0.4~4.0$\times$10-8(A/$\textrm{cm}^2$) at 5 V and its remanent polarization(Pr), calculated from the P-E hysteresis loop, was 3 nC/$\textrm{cm}^2$.
Park, Jun-Sik;Jang, Yeon-Tae;Park, Hyo-Deok;Choe, Seung-Cheol;Gang, Seong-Gun
Korean Journal of Materials Research
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v.12
no.3
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pp.211-214
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2002
Properties of 52/48 PZT films with various thicknesses for piezoelectric micro-electro mechanical systems (MEMS) devices fabricated by multi-coating method on $Pt(3500{\AA})/Ti(400{\AA})/SiO_2(3000{\AA})/Si$(525$\mu\textrm{m}$) substrates were investigated. PZT films were deposited by spin-coating process at 3500 rpm for 30 sec, followed by pyrolysis at 45$0^{\circ}C$ for 10 min producing the thickness of about 120nm. These processes were repeated 4, 8, 12, 16 and 20 times in order to have various thicknesses, respectively. Finally, they were crystallized at $650^{\circ}C$ for 30 min. All thick PZT films showed dense and homogeneous surface microstructures. Thick PZT films showed crystalline structures of random orientations with increasing thickness. Dielectric constants of thick PZT films were increased with increasing film thickness and reached 800 at 100kHz for 2.3$\mu\textrm{m}$ thick PZT film. $P_r\; and\; E_c$ of 2.3$\mu\textrm{m}$ thick PZT films were about 20$\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and 63kV/cm. Depth profile analysis by Auger Electron Spectroscopy (AES) of 4800 $\AA$ thick PZT film showed the formation of the perovskite phase on Pt layer by Pb diffusion behavior. It was considered that Pb-Pt intermediate layer promoted PZT (111) columnar structures.
Shin, Weon Ho;Jeong, Hyung Mo;Choi, Yoon Jeong;Kang, Jeung Ku
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2010.11a
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pp.111.2-111.2
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2010
One-dimensional nanostructures such as carbon nanotubes could be ideal templates for formation of metallic nanoparticles. Furthermore, bimetallic component nanoparticles have recently been interesting issues for having high catalytic activity. This work provides both a facile method to synthesize bimetallic catalysts via N atoms of carbon nanotubes and also a picture about how to design the optimal bimetallic catalyst for hydrogen generation from the hydrogen storage material. In principle, the ratio of one component to another component could be generically extended to fabricate the high-performance bimetallic catalysts on host nanostructures. Indeed, we demonstrate that the bimetallic catalyst composed of the optimum composition results in the excellent hydrogen generation property from an aqueous borane ammonia solution, thus being capable of satisfying the Depart of Energy in USA target required for many advanced applications even with the small amount of our bimetallic catalysts attached onto the N-doped carbon nanotubes. This high hydrogen generation rate is found to be attributed to the optimal distance between active Pt and cheap Ni atoms for effective hydrogen generation.
The fouling of Nanofiltration membrane (NF) was examined using wastewater containing reactive black dye RB5 of 1500 Pt/Co color concentrations with 16890 mg/l TDS collected from El-alamia Company for Dying and Weaving in Egypt. The NF-unit was operated at constant pressure of 10 bars, temperature of 25℃, and flowrate of 420 L/min. SEM, EDX, and FTIR were used for fouling characterization. Using the ROIFA-4 program, the total inorganic fouling load was 1.07 mM/kg present as 49.3% Carbonates, 10.1% Sulfates, 37.2% Silicates, 37.2% Phosphates, and 0.93% Iron oxides. The permeate flux, recovery, salt rejection and mass transfer coefficients of the dye molecules were reduced significantly after fouling. The results clearly demonstrate that the fouling had detrimental effect on membrane performance in dye removal, as indicated by a sharp decrease in permeate flux and dye recovery 68%. The dye mass transfer coefficient was dropped dramatically by 34%, and the salt permeability increased by 14%. In this study, all the properties of the membrane used and the fouling that caused its poor condition are identified. Another study was conducted to regeneration fouled membrane again by chemical methods in another article (Abdel-Fatah et al. 2017).
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07a
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pp.395-397
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2002
Dielectric thin films of Pb$\_$0.72/La$\_$0.28/Ti$\_$0.93/O$_3$(PLT(28)) have been deposited on Pt(111)/Ti/SiO$_2$/Si(100) substrates in-situ by pulsed laser deposition using different annealing and deposition processes. We have investigated the effect of hydrogen annealing on the ferroelectric properties of PLT thin films and found that the annealing process causes the diffusion of hydrogen into the ferroelectric film resulting in the destruction of polarization. Two-step process to grow PLT films was adopted and verified to be useful to enlarge the grain size of the film. Structural properties including dielectric constant, and ferroelectric characteristics of PLT thin films were shown to be strongly influenced by grain size. The film deposited by using two-step process including pre-annealing treatment has a strong (111) orientation. However, the films deposited by using single-step process with hydrogen annealing process shows the smallest grain size.
Mustaqima, Millaty;Lee, Min Young;Kim, Deok Hyeon;Lee, Bo Wha;Liu, Chunli
Journal of Magnetics
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v.19
no.3
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pp.227-231
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2014
We fabricated textured polycrystalline $CoFe_2O_4$ thin films on $Pt(111)/TiO_2/SiO_2/Si$ substrate through a sol-gel method. We varied the thickness of the films, by using precursor solutions with different concentrations of 0.1, 0.2, and 0.3 M, and by depositing 5, 8, or 10 layers on the substrate by spin-coating. X-ray diffraction spectra indicated that when the precursor concentration of the solution was higher than 0.1 M, the spin-coated films were preferentially oriented in the <111> direction. Inspection of the surface morphology by scanning electron microscopy revealed that $CoFe_2O_4$ thin films prepared with 0.2 M solution and 5-time spin-coatings had smoother surface, as compared to the other conditions. Each coating had an average thickness of about 50 nm. The magnetic properties measured by vibrating sample magnetometer showed magnetic anisotropy, as evidenced from the difference in the in-plane and out-of-plane hysteresis loops, which we attributed to the textured orientation of the $CoFe_2O_4$ thin films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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