We propose the modeling methodology of CMOS inverter made of LTPO TFT using a machine learning. LTPO can achieve advantages of LTPS TFT with high electron mobility as a driving TFT and IGZO TFT with low off-current as a switching TFT. However, since the unified model of both LTPS and IGZO TFTs is still lacking, it is necessary to develop a SPICE-compatible compact model to simulate the LTPO current-voltage characteristics. In this work, a generic framework for combining the existing formula of I-V characteristics with artificial neural network is presented. The weight and bias values of ANN for LTPS and IGZO TFTs is obtained and implemented into PSPICE circuit simulator to predict CMOS inverter. This methodology enables efficient modeling for predicting LTPO TFT circuit characteristics.
일반적으로 사용되는 변압기에 비해 공진형 컨버터의 변압기와 유도급전 시스템에 사용되는 비접촉 변압기의 경우 공극이 아주 크다. 이런 경우, 일반적인 측정 방법으로는 정확한 변압기의 변수를 얻을 수 없다. 하지만 coupled 인덕터 측정 방법을 이용하여 공극이 큰 변압기의 변수를 측정하면 일반적인 변압기 측정 방법에 비해 정확한 변압기 변수를 얻을 수 있다. 그러므로 본 논문에서는 공진탱크를 구현하여 PSpice 시뮬레이션과 임피던스 분석기(PSM1735)의 결과를 비교하여 2가지 측정 방법 중 coupled 인덕터 측정 방법이 정확하게 측정 가능함을 검증하였다.
HID 램프는 광원 1개당 방출되는 광속이 많고 광원효율 또한 높은 광원이며 긴 수명에 경제성까지 우수한 특징을 가지고 있어서 높은 밝기가 요구되는 대규모 공장등에 사용되고 있으며 자동차의 전조 등 등에도 많이 사용되고 있다. HID의 전원부에 압전 변압기를 적용하여 경량, 소형이며 고효율의 전원부를 구현하고자 하였다. 기존의 HID 및 압전 변압기는 시뮬레이션에서 일반 저항부하와 변압기를 이용하여 개략적인 동작을 확인하는데 만족하였다. 본 논문은 압전 변압기와 HID의 전기적 등가회로에 의한 정밀한 PSPICE 모델을 제시하였고, 손쉽게 변수값을 수정하여 다양한 모델에 적용할 수 있도록 구성하였다.
A CCFL model for high frequency dimming electronic ballast simulation is presented in this paper. The model can be utilized for an electronic ballast simulation with continuous dimming and transient mode simulation such as step dimming. The piezoelectric transformer Is evaluated using an AC analysis. The electronic ballast composed of piezoelectric transformers and ZVS inverter was implemented. It enables a fluorescent lamp to be fumed on stably. Simulation of a high frequency electronic ballast which operates a fluorescent Imp at high frequency is proposed. Simulation is carried out using PSPICE program to illustrate the performance of the circuit
In this work, current-voltage characteristics with time of NPT(Non-PunchThrough) IGBT is proposed during turn-on and turn-off by using analytical method. From the results, power loss at turn-off dominates the total electrical loss with respect to that at turn-on. The results have been compared with those of PSPICE and show the identical trend of power loss with each other.
Three phase full bridge rectifier has been used to obtain dc voltage from three phase ac voltage source. The rectifier system has drawbacks that power factor is low and power flow is unidirectional. Therefore, when dc voltage increases due to regeneration of power the dynamic resister for dissipation of regeneration power must be installed. But three phase PWM converter can be controlled to operate with unity power factor and bidirectional power flow. Therefore when the PWM converter is used as do supply system, the dissipating resistor is not necessary. On this thesis, in order to design a controller having good performance, the hee phase PWM converter is completely modeled by using circuit DQ-transformation and thus a general and simple instructive equivalent circuit is obtained; the inductor set becomes a second order gyrator-coupled system and three phase inverter becomes a transformer as well. Under given phase angle(${\alpha}$) and modulation index(MI) of the three phase inverter, the dc and ac characteristics are obtained by analysis of the transformed equivalent circuit The validity of the equivalent circuit is confirmed through PSPICE simulation. And based on the dc and ac characteristics a controller with unity power factor is proposed.
This paper describes the 40kV solid state pulsed power supply for environmental applications. The output specifications of the pulsed power supply are 40kV, 300A, 3kHz, and average output power of 13kW. In order to generate a high voltage, a series stacking cell structure is used which is charged in parallel and discharged in series. Due to this structure, there is no dynamic voltage balancing problem as well as static voltage balancing problem for switches used in high voltage pulse power supplies. To verify this pulse power supply design, PSpice modeling was performed. Finally, experimental results with non-inductive resistive load and gas treatment reactor proved the reliability of the solid state pulsed power supply.
The continuous shrinking of transistors in integrated circuits leads to difficulties in improving performance, resulting in the emerging transistors such as nanosheet field-effect transistors. In this paper, we propose a TCAD-machine learning framework of nanosheet FETs to model the current-voltage characteristics. Sentaurus TCAD simulations of nanosheet FETs are performed to obtain a large amount of device data. A machine learning model of I-V characteristics is trained using the multi-layer perceptron from these TCAD data. The weights and biases obtained from multi-layer perceptron are implemented in a PSPICE netlist to verify the accuracy of I-V and the DC transfer characteristics of a CMOS inverter. It is found that the proposed machine learning model is applicable to the prediction of nanosheet field-effect transistors device and circuit performance.
This paper describes the design and implementation of a 2.5kW (500V, 5A) simmer circuit that maintains the ionization of xenon gas inside the lamp. The design is based on a LCC resonant converter in continuous conduction mode (CCM) with above resonant frequency to take advantage of high power density from using parasitic elements such as the leakage inductance in a power transformer. In addition, since the converter has current source output characteristics, it is suitable for maintaining ionization of the lamp having the negative resistance load characteristic. To verify this converter design, PSpice modeling was performed. Finally, the developed simmer circuit is verified by a resistive load of rated performance and the Ionization maintenance operation of the xenon flash lamp.
반도체 소자의 축소로 인한 처리속도의 향상이 더욱 어려워지고 있다. 따라서 반도체 산업의 새로운 도약을 위해서 실리콘을 이용한 광전소자의 출현(Silicon photonics)이 더욱 절실해지고 있다. 제조의 간단성, 반복성, 안정성, 고속성, 일반실리콘 반도체 공정과의 병존성 등의 특성으로 인해 애벌런치 항복에 의한 발광 소자는 실리콘 발광소자의 구현에 유력한 후보 중의 하나이다. 애벌런치 발광현상에 대해 전기적, 광학적 측정을 하고, 간단한 모델링과 시뮬레이션을 통하여 발광부위의 형태, $n^{+}-p$ 접합의 깊이, 불순물의 농도, 에피층의 높이 등의 설계요소가 발광특성에 미치는 영향을 분석하였다. 시뮬레이션의 결과와 실제의 계측 결과를 비교하여, 차이점을 야기하는 이유, 애벌런치 항복의 발광현상을 설명하였고, 개선방안을 제시하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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