• 제목/요약/키워드: Probe Pin

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Wafer Pin Array Frame을 이용한 Probe Head Module (Make Probe Head Module use of Wafer Pin Array Frame)

  • 이재하
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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    • pp.71-71
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    • 2012
  • Memory 반도체 Test공정에서 사용되는 Probe Card의 Probing Area가 넓어지면서 종래에 사용되던 Cantilever제품의 사용이 불가능하게 되고, MEMS공정을 사용한 새로운 형태의 Advanced제품이 시장에 출현을 하였다. MEMS형의 제품은 다수의 Micro Spring을 MLC(Multi Layer Ceramic)위에 MEMS 공정을 사용하여 생성하는 방식으로서 MLC는 좁은 지역에 다수의 Pin을 생성 할 수 있는 공간을 만들어 주며, 또 다른 이유는 전기적 특성인 임피던스를 맞추고 다수의 Pin의 압력에 의하여 생기는 하중을 Ceramic기판으로 지탱하기 위한 목적도 있다. 이에 MLC와 같은 전기적 특성을 임피던스를 맞춘 RF-CPCB를 사용하여 작은 면적에 다수의 Pin접합이 가능한 방법을 마련한 후, 이 RF-PCB를 부착하여 Pin의 하중을 받는 Wafer와 유사한 열팽창을 갖는 Substrate를 사용하여 MLC를 대체하여 다양한 온도 조건에서 사용이 가능하며, 복잡하고 공정비가 많이 드는 MEMS 공정에 의한 일괄 Micro Spring 생성 공정을 전주 도금 또는 2D방식의 도금 Pin으로 대체하였으며, Probe Card의 중요한 물리적 특성인 Pin들의 정렬도를 마련하기 위해 Photo Process를 사용한 Wafer로 만든 Wafer Pin Array Frame을 사용하여 2D 제작 Pin을 일괄 또는 부분 접합이 가능한 방법으로 Probe Array Head를 제작하여 이들을 부착하여 Probe Array Head를 이전의 MEMS공정 방법에 비해 쉽고 빠르게 만들어 probe Card를 제작 할 수 있게 되었다.

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프로브 핀의 전기적 성능 분석 (Analysis of Electrical Performance on Probe Pin)

  • 김문정
    • 한국소프트웨어감정평가학회 논문지
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    • 제15권1호
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    • pp.109-114
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    • 2019
  • 본 논문은 프로브 핀에 대한 S-파라미터 시뮬레이션과 특성 임피던스 시뮬레이션을 수행하였고 이를 통해 프로브 핀의 고주파 성능을 분석하였다. 프로브 핀은 중앙의 한 개의 신호 핀과 상하좌우의 네 개의 접지 핀으로 배치하였다. 프로브 핀 사이의 간격을 0.35 mm, 0.40 mm, 0.50 mm으로 증가시키면서 프로브 핀의 삽입손실과 반사손실을 계산하였다. 반사손실의 주기적인 공진 현상으로 인해 프로브 핀은 서로 다른 삽입손실 특성을 가진다. 또한 프로브 핀의 배치와 피치 변화에 따른 특성 임피던스 분석을 수행하였다. 동일한 피치에서 특성 임피던스가 50 Ω에 근접하는 접지 핀 개수가 있음을 확인하였다.

Vertical probe pin의 Barrel방식 Au도금기술 Au Plating of Vertical probe pin by Barrel Type

  • 김유상;윤희탁
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.120.1-120.1
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    • 2017
  • 최근 첨단 기능화 되고 있는 반도체의 회로는 증가하고 칩의 브릿지도 점점 증가하고 있다. 반면에 제품은 소형화되고 회로폭은 미세화 하고, 피치는 감소하고 있다. 이에 회로의 정확한 검사를 위해서는 Probe Pin의 신뢰성을 중요시하게 되면서 도금기술의 고품질화가 요구되는 실정이다. 본연구에서는 Probe Pin과 내구성과 금도금 피막의 두께를 확보하여 국산 반도체 검사장비 시장을 선도 할 수 있도록 금도금피막의 두께와 밀착성 확보와 함께 굽힘시험시 박리와 크랙방지를 위한 기초연구를 수행하고자 하였다.

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LED 검사장비용 탐침의 특성 규명 (Characterization of Probe Pin for LED Inspection System)

  • 심희수;김선경
    • 한국생산제조학회지
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    • 제24권6호
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    • pp.647-652
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    • 2015
  • A probe pin is a key component of LED inspection equipment. The probe pin makes contact with the LED electrodes and supplies an electric current. Because the mechanical and electrical homogeneity of the probe surface affects the service life and reliability, its characterization is essential. For this study, the hardness was measured using a micro-Vickers hardness test. Moreover, the thicknesses of the plating at different locations and the elemental compositions were examined using an FE-SEM. The uniformity of the plating was found to be acceptable because palladium was detected consistently throughout the tested domain. In addition, the hardness of the surface was determined to be higher than that of the typical palladium range, which is attributed to the use of undercoated nickel.

무연솔더 범프 접촉 탐침 핀의 Sn 산화막 형성 기제 (Formation Mechanisms of Sn Oxide Films on Probe Pins Contacted with Pb-Free Solder Bumps)

  • 배규식
    • 한국재료학회지
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    • 제22권10호
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    • pp.545-551
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    • 2012
  • In semiconductor manufacturing, the circuit integrity of packaged BGA devices is tested by measuring electrical resistance using test sockets. Test sockets have been reported to often fail earlier than the expected life-time due to high contact resistance. This has been attributed to the formation of Sn oxide films on the Au coating layer of the probe pins loaded on the socket. Similar to contact failure, and known as "fretting", this process widely occurs between two conductive surfaces due to the continual rupture and accumulation of oxide films. However, the failure mechanism at the probe pin differs from fretting. In this study, the microstructural processes and formation mechanisms of Sn oxide films developed on the probe pin surface were investigated. Failure analysis was conducted mainly by FIB-FESEM observations, along with EDX, AES, and XRD analyses. Soft and fresh Sn was found to be transferred repeatedly from the solder bump to the Au surface of the probe pins; it was then instantly oxidized to SnO. The $SnO_2$ phase is a more stable natural oxide, but SnO has been proved to grow on Sn thin film at low temperature (< $150^{\circ}C$). Further oxidation to $SnO_2$ is thought to be limited to 30%. The SnO film grew layer by layer up to 571 nm after testing of 50,500 cycles (1 nm/100 cycle). This resulted in the increase of contact resistance and thus of signal delay between the probe pin and the solder bump.

Single-configuration FPP method에 의한 실리콘 웨이퍼의 비저항 정밀측정 (Precision Measurement of Silicon Wafer Resistivity Using Single-Configuration Four-Point Probe Method)

  • 강전홍;유광민;구경완;한상옥
    • 전기학회논문지
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    • 제60권7호
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    • pp.1434-1437
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    • 2011
  • Precision measurement of silicon wafer resistivity has been using single-configuration Four-Point Probe(FPP) method. This FPP method have to applying sample size, shape and thickness correction factor for a probe pin spacing to precision measurement of silicon wafer. The deference for resistivity measurement values applied correction factor and not applied correction factor was about 1.0 % deviation. The sample size, shape and thickness correction factor for a probe pin spacing have an effects on precision measurement for resistivity of silicon wafer.

Probe pin의 외관 vision 검사장치 개발 (Development of Vision Inspection System of Probe Pin)

  • 봉원우;김동현;이지연;고국원
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2015년도 추계학술발표대회
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    • pp.1071-1072
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    • 2015
  • MFC를 사용하여 기본 GUI를 제작하고 X축과 Y축, Z축에 모터를 장착하여 X축과 Y축으로 이동해 원하는 곳에 CCD카메라를 이동시켜 자동으로 영상을 확보 할 수 있도록 제작하며 Z축의 모터를 사용하여 CCD카메라와 광학 조명을 조절해 깨끗한 영상을 획득하여 Probe Pin의 Top과 Side를 검사한다.

새로운 구조의 동축 테스트 소켓을 이용한 미세 피치 프로브 핀의 신호 전달 특성 개선 (Improvement of Signal Transfer Characteristics of Fine Pitch Probe Pin Using Coaxial Test Socket with New Structure)

  • 서정준;김문정
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제23권1호
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    • pp.97-103
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    • 2024
  • In this paper, the difference between the S-parameter and the characteristic impedance according to the structural change of the fine pitch coaxial socket was analyzed. A pitch of the probe pin was applied to 0.20mm, and ground pins of different conditions were placed on each of the five signal pins. Insertion loss and reflection loss were analyzed for the coaxial socket of normal structure and the two sockets of the proposed structure. In addition, the difference in characteristic impedance was analyzed using time domain reflectometry. Through the analysis, it was confirmed that the characteristic impedance was improved applying the new structures of the socket at the same pitch

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누화 특성 감소를 위한 MEMS 프로브 커넥터 시스템의 설계 (Design and Crosstalk Analysis of MEMS Probe Connector System)

  • 배현주;김종현;이준상;;이재중;나완수
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제23권2호
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    • pp.177-186
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    • 2012
  • 본 논문에서는 프로브 커넥터 핀의 누화 특성이 -30 dB 이하를 만족시키는 핀의 피치 및 길이 파라미터에 대한 설계 기준을 제시하였다. 프로브 커넥터 핀의 누화 특성을 분석하기 위하여 격자 구조로 배열된 프로브커넥터 핀의 인덕턴스 성분과 커패시턴스 성분을 추출하였으며, 접지 핀의 개수가 증가해도 이미 계산된 파라미터들을 이용해서 새로운 커패시턴스 및 인덕턴스 성분들을 쉽게 계산할 수 있음을 보였다. 또한, 신호(signal)핀 주변에 위치한 접지(ground) 핀 개수를 증가시키면서 누화 특성을 향상시키는 알고리즘을 제시하였으며, 특히 접지 핀 개수의 증가가 자기장 결합(inductive coupling)에 의한 누화를 효과적으로 제거시킨다는 것을 보였다. 최종적으로는 주어진 접지 핀 개수 및 형상 하에서 -30 dB 이하의 누화 특성을 만족하는 핀의 피치 및 길이를 결정하는 영역을 도시하였으며, 이는 프로브 커넥터 시스템의 누화 특성 설계 시 유용하게 사용할 수 있을 것으로 사료된다.