• Title/Summary/Keyword: Power Diode

검색결과 1,510건 처리시간 0.031초

PRAM을 위한 $Ag_x(Ge_2Sb_2Te_5)_{1-x}$ (x= 0, 0.05, 0.1) 박막의 특성 (Characteristics of $Ag_x(Ge_2Sb_2Te_5)_{1-x}$ (x= 0, 0.05, 0.1) thin films for PRAM)

  • 김성원;송기호;이현용
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
    • /
    • pp.21-22
    • /
    • 2008
  • In the paper, we report several experimental data capable of evaluating the phase transformation characteristics of $Ag_x(Ge_2Sb_2Te_5)_{1-x}$ (x =0, 0.05, 0.1) thin films. The $Ag_x(Ge_2Sb_2Te_5)_{1-x}$ phase change thin films have been prepared by thermal evaporation. The crystallization characteristics of amorphous$Ag_x(Ge_2Sb_2Te_5)_{1-x}$ thin films were investigated by using nano-pulse scanner with 658 nm laser diode (power; 1~17 mW, pulse duration; 10~460 ns) and XRD measurement. It was found that the more Ag is doped, the more crystallization speed was 50 improved. In comparision with $Ge_2Sb_2Te_5$ thin film, the sheet resistance$(R_{amor})$ of the amorphous $Ag_x(Ge_2Sb_2Te_5)_{1-x}$ thin films were found to be lager than that of $Ge_2Sb_2Te_5$ film($R_{amor}$ $\sim10^7\Omega/\square$ and $R_{cryst}$ 10 $\Omega/\square$). That is, the ratio of $R_{amor}/R_{cryst}$ was evaluates to be $\sim10^6$ This is very helpful to writing current reduction of phase-change random acess memory.

  • PDF

광 검출기가 장착된 OLED 조명 시스템 (OLED Lighting System Integrated with Optical Monitoring Circuit)

  • 신동균;박종운;서화일
    • 반도체디스플레이기술학회지
    • /
    • 제12권2호
    • /
    • pp.13-17
    • /
    • 2013
  • In lighting system where several large-area organic light-emitting diode (OLED) lighting panels are involved, panel aging may appear differently from each other, resulting in a falling-off in lighting quality. To achieve uniform light output across large-area OLED lighting panels, we have employed an optical feedback circuit. Light output from each OLED panel is monitored by the optical feedback circuit that consists of a photodiode, I-V converter, 10-bit analogdigital converter (ADC), and comparator. A photodiode generates current by detecting OLED light from one side of the glass substrate (i.e., edge emission). Namely, the target luminance from the emission area (bottom emission) of OLED panels is monitored by current generated from the photodiode mounted on a glass edge. To this end, we need to establish a mapping table between the ADC value and the luminance of bottom emission. The reference ADC value corresponds to the target luminance of OLED panels. If the ADC value is lower or higher than the reference one (i.e., when the luminance of OLED panel is lower or higher than its target luminance), a micro controller unit (MCU) adjusts the pulse width modulation (PWM) used for the control of the power supplied to OLED panels in such a way that the ADC value obtained from optical feedback is the same as the reference one. As such, the target luminance of each individual OLED panel is unchanged. With the optical feedback circuit included in the lighting system, we have observed only 2% difference in relative intensity of neighboring OLED panels.

InGaN/Sapphire LED에서 기판 제거 유무와 칩 마운트 타입이 광출력 특성에 미치는 영향 (Analysis of the Effect of the Substrate Removal and Chip-Mount Type on Light Output Characteristics in InGaN/Sapphire LEDs)

  • 홍대운;유재근;김종만;윤명중;이성재
    • 한국광학회지
    • /
    • 제19권5호
    • /
    • pp.381-385
    • /
    • 2008
  • InGaN/Sapphire LED에서 기판 제거와 패키지 방식이 광출력 특성에 미치는 영향을 분석하였다. Sapphire 기판의 제거는 반도체 접합에서 발생된 열의 방출에 도움이 되지만, 반대로 광추출효율이 손상되는 문제점이 수반된다. Sapphire 기판이 제거된 칩을 열전도율이 좋은 금속의 마운트 위에 부착하면, 최대 구동전류는 현저히 증가하고 광출력도 상당히 증가됨으로써, 광추출효율이 손상되는 문제점이 어느 정도 보상된다. 하지만, sapphire 기판이 제거된 칩을 상대적으로 열전도율이 낮은 유전체의 마운트 위에 부착하는 경우에는, 거의 모든 입력전류 범위에서 sapphire 기판이 남아 있는 일반형 칩보다 낮은 광출력을 나타낸다. 따라서, 작은 광출력이 요구되는 응용분야에서는 사용된 칩 마운트의 종류에 무관하게, 일반형 칩이 sapphire 기판이 제거된 칩 보다 유리한 것으로 분석된다.

Er: YAG 레이저 조사 임프란트 표면에 대한 전자주사현미경관찰 (ER: YAG LASER IRRADIATED IMPLANT SURFACE OBSERVATION WITH SCANNING ELECTRON MICROSCOPY)

  • 최정구;최수진;민승기;오승환;권경환;최문기;이준;오세리
    • Maxillofacial Plastic and Reconstructive Surgery
    • /
    • 제30권6호
    • /
    • pp.540-545
    • /
    • 2008
  • Since mid 20th century, dental treatments with laser have been introduced and improved a lot. Because early $CO_2$, Nd:YAG, diode, argon, and holmium lasers are used for dealing soft tissue, so it applied just limited field. But, in 1997 the lasers of erbium family that able to dealing soft and hard tissue also were introduced, laser application fields are enlarged. In today, the application fields reach on implantation treatment, so clinicians can use the laser to make holes for implantation, and flap elevation, even though treating peri-implantitis. So our class want to discover the optimal setting of Er:YAG laser when treating peri-implantitis. We observed the surface that initially treated by RBM and TPS passion and laser with varied options of exposure time and power with SEM image. For this we conclude the optimal setting range that does not alter the implant surface structure and report it.

과산화수소 적용 TIM의 LED 패키지 열특성 개선효과 (Improved Thermal Resistance of an LED Package Interfaced with an Epoxy Composite of Diamond Powder Suspended in H2O2)

  • 최봉만;홍성훈;정용범;김기보;이승걸;박세근;오범환
    • 한국광학회지
    • /
    • 제25권4호
    • /
    • pp.221-224
    • /
    • 2014
  • 고출력 LED 소자의 활용이 많아지면서, 온도상승 문제를 극복하고 신뢰성을 향상해야 하는 요구가 높아짐에 따라 광원 패키지의 방열이 매우 중요해졌다. 패키지에 칩을 접합하는 열전달 물질(TIM, Thermal Interface Material)은 열전도도가 높은 물질과 폴리머를 혼합하여 재료 자체의 열전달 특성을 향상시키는 방안이 사용되어 왔으나, 실제 패키지의 열 특성은 칩 부착계면의 높은 열저항으로 인해 기대에 미치지 못하고 있다. 본 연구는 diamond 분말과 epoxy의 혼합으로 열 특성을 개선함에 있어서, 과산화수소를 적용하면서도 기포를 효율적으로 제거하여, 각 계면의 친화성을 높이고 전체 점도를 낮추어 diamond 분말의 분산을 촉진하고, 결과적으로 대부분의 경우에 전체 열 저항을 약 30% 이상 개선하였다.

PCS 주파수 대역 단일 게이트 MESFET 혼합기의 제작 (Manufacture of a single gate MESFET mixer at PCS frequency band)

  • 이성용;임인성;한상철;류정기;오승엽
    • 한국전자파학회논문지
    • /
    • 제9권1호
    • /
    • pp.25-33
    • /
    • 1998
  • 본 논문은 PCS(개인 휴대 통신) 주파수대역에서의 단일게이트 MESFET 혼합기의 설계 및 제작에 대해 기 술하였다. 주파수 대역이 1965-2025 MHz이고 IF가 140 MHz인 PCS용 혼합기활 제작하기 위해 초고주파용 시율레이터 EESOF LIBRA를 이용하여 설계하였다. 정합회로로 사각 뱀돌이 인덕터, 평판형 캐패시터, 개방스 터브를 이용하였고 마이크로펜과 소자용접기를 사용하여 제작하였다. 실힘한 결과 w전력이 10 dBm일 때 혼합 기의 최대 변환이득은 $6.69\pm0.65$ dB, 반사계수는 $-14.9\pm3.5$ dB였고 LO /IF 분리도는 주파수가 1855 MHz인 경우 57.83 dB였다. 이 혼합기를 PCS 단말기의 수신단에 사용하는 경우, 다이오드 믹서 사용시의 변환손실을 보상하기 위한 중간증폭기를 사용하지 않아도 되는 장점이 있다.

  • PDF

H-대역(220~325 GHz) 주파수를 이용한 1.485 Gbps 비디오 신호 전송 송수신기 (H-Band(220~325 GHz) Transmitter and Receiver for an 1.485 Gbit/s Video Signal Transmission)

  • 정태진;이원희
    • 한국전자파학회논문지
    • /
    • 제22권3호
    • /
    • pp.345-353
    • /
    • 2011
  • H-대역(220~325 GHz)의 주파수 범위에서 동작하는 송신기와 수신기를 구현하였으며, 1.485 Gbps 비디오 신호 전송을 국내 최초로 시연하였다. H-대역의 RF front-end는 쇼트키 배리어 다이오드 기술을 이용한 서브 하모닉 믹서, 주파수 3배기, 대각선 혼 안테나로 구성하였다. 송신 및 수신 캐리어 주파수는 H-대역 중에서 246 GHz를 사용하여 구현하였고, 서브 하모닉 믹서의 LO 주파수는 각각 120 GHz, 126 GHz이다. 변조 방식은 ASK(Amplitude Shift Keying), IF 주파수는 5.94 GHz이며, 수신기는 헤테로다인 구조와 ZBD(Zero Bias Detector) 두 방식 모두를 이용하여 envelop 신호를 검출하는 방식이다. HD-SDI 형식을 갖는 1.485 Gbps 비디오 신호를 송신기 출력 20 ${\mu}W$에서 약 5 m까지 성공적으로 HDTV로 전송하였다.

A Novel Hybrid Converter with Wide Range of Soft-Switching and No Circulating Current for On-Board Chargers of Electric Vehicles

  • Tran, Van-Long;Tran, Dai-Duong;Doan, Van-Tuan;Kim, Ki-Young;Choi, Woojin
    • Journal of Electrical Engineering and Technology
    • /
    • 제13권1호
    • /
    • pp.143-151
    • /
    • 2018
  • In this paper, a novel hybrid configuration combining a phase-shift full-bridge (PSFB) and a half-bridge resonant LLC converter is proposed for the On-Board Charger of Electric Vehicles (EVs). In the proposed converter, the PSFB converter shares the lagging-leg switches with half-bridge resonant converter to achieve the wide ZVS range for the switches and to improve the efficiency. The output voltage is modulated by the effective-duty-cycle of the PSFB converter. The proposed converter employs an active reset circuit composed of an active switch and a diode for the transformer which makes it possible to achieve zero circulating current and the soft switching characteristic of the primary switches and rectifier diodes regardless of the load, thereby making the converter highly efficient and eliminating the reverse recovery problem of the diodes. In addition an optimal power sharing strategy is proposed to meet the specification of the charger and to optimize the efficiency of the converter. The operation principle the proposed converter and design considerations for high efficiency are presented. A 6.6 kW prototype converter is fabricated and tested to evaluate its performance at different conditions. The peak efficiency achieved with the proposed converter is 97.7%.

p" Color Field Emission Displays Using Carbon Nanotube Emitters

  • Lee, N.S.;Park, W.B.;Kim, J.M.
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
    • /
    • pp.211-211
    • /
    • 2000
  • Carbon nanotubes (CNTs) have been spotlighted as one of promising field emission displays(FEDs). For the first time, to authors knowledge, we have developed the 9" color CNT-FEDs with the resolution of 240x576 lines. The 9" CNT-FEDs with diode-type and triode-type structures are presented. The well-dispersed CNT paste was squeezed onto the metal-patterned cathode glass. For the anode plate, the Y2O2S:Eu, ZnS:Ag,Cl low-voltage phosphors were printed for red, green, and blue colors, respectively. The vacuum-packaged panel maintained the vacuum level of 1x10-7 Torr. The uniform moving images vacuum-packaged panel maintained the vacuum level of 1x10-7 Torr. The uniform moving images were demonstrated at 2 V/um. High brightness of 800, 200, and 150cd/m2 was observed on the green, red, and blue phosphors at V/um, respectively. Field emission characteristics of a triode-type CNT-FED were simulated using a finite element method. the resultant field strength on the cathode was modulated by gate bias and emitted electrons were focused on the anode. A relatively uniform emission image was experimentally achieved at the 800V anode. A relatively uniform emission image was experimentally achieved at the 800V anode and the 50-180 V gate biases. Energy distribution of electrons emitted from CNTs was measured using an energy analyzer. The maximum peak of energy curve corresponded to the Fermi energy level of CNTs. The whole fabrication processed of CNT-FEDs were fully scalable and reproducible. Our CNT-FEDs has demonstrated the high potential of large-area and full-color applications with very low cost fabrication and low power consumption.

  • PDF

터널 조명 고압나트륨램프와 LED램프의 LCC 분석 사례 연구 (A case study of life cycle cost analysis on high pressure sodium lamp and LED lamp for tunnel lighting)

  • 이규필;김정흠
    • 한국터널지하공간학회 논문집
    • /
    • 제23권5호
    • /
    • pp.315-323
    • /
    • 2021
  • 터널은 주·야간 모두 인공조명을 사용해야 되는 특성으로 인해 에너지 소비가 가장 많이 발생하는 도로 공간으로, 전기요금 절감 등을 위해 기존 터널조명 광원 대비 낮은 소비전력, 장수명의 장점을 갖는 LED램프로 교체 중에 있다. 터널구조물은 공용 중 부속시설 교체라는 일련의 중장기적이고 지속적인 과정이 수반되므로, 시설물 공용기간 동안의 생애주기비용을 고려해야 사회간접자본의 효율적인 활용을 기대할 수 있다. 따라서 본 연구에서 터널 조명광원을 고압나트륨램프에서 LED램프로 교체 시 LCC측면의 절감효과를 정량적으로 분석하였으며, 터널 조명 광원을 LED램프로 교체 시 램프의 수명증대에 의한 교체주기 감소 및 이로 인한 유지관리 비용 감소효과가 매우 큰 것으로 나타났다.