• 대한전기학회논문지
• /
• 제44권4호
• /
• pp.483-489
• /
• 1995

To investigate the mechanism generated by irradiation in the insulator layer irradiated MIS (Metal - Insulator - Semiconductor) device, the various types of MIS capacitors depending on insulator thickness, insulator types and implanted impurities are fabricated on the P-type wafer. MIS capacitors exposed by 1Mrad Co$^{60}$ .gamma.-ray are measured for flat band voltage and charge density shifts pre- and post-irradiation. The measuring results of post-irradiation show the flat band voltage shifting toward negative direction and charge density increasing regardless of parameters. This results have a good agreement with calculated data by computer simulation. Si$_{3}$N$_{4}$ layers have a good radiation-hardness than SiO$_{2}$ layers compared to the results of post-irradiation. Also, radiation-induced negative trap is discovered in the implanted insulator layer. Using numerical analysis, four continuty equations (conduction-band electrons continuity equation, valence-band holes continuity equation, trapped electrons continuity equation, trapped holes continuity equation) are solved and charge distributions according to the distance and Si-Insulator interface states are investigated.

• Journal of Power Electronics
• /
• 제16권6호
• /
• pp.2258-2271
• /
• 2016

In this paper, some crucial performance characteristics related to the operational reliability of the post-fault Pulse Width Modulated (PWM) rectifiers, such as line current harmonic distortion, Common Mode Voltage (CMV), and current stress on the capacitors, are fully investigated. The aforementioned performance characteristics of post-fault rectifiers are highly dependent on the utilized space vector modulation (SVM) schemes, which are also examined. Detailed analyses of the three most commonly used SVM schemes for post-fault PWM rectifiers are provided, revealing the major differences in terms of the zero vector synthesis approaches. To compare the performances of the three SVM schemes, the operating principles of a post-fault rectifier are presented with various SVM schemes. Using analytical and numerical methods in the time domain, the performances of the line current distortion, common mode voltage and capacitor current are evaluated and compared for each SVM scheme. The proposed analysis demonstrates that the zero vector synthesis approaches of the considered methods have significant impacts on the performance characteristics of rectifiers. In addition, the advantages and disadvantages of the proposed SVM schemes are discussed. The experimental results verify the effectiveness and validity of the proposed analysis.

• 한국전자통신학회논문지
• /
• 제17권5호
• /
• pp.775-782
• /
• 2022

본 논문에서는 보다 편리한 튜닝을 위해 Evanescent-Mode Rectangle Waveguide(EMRWG)에 삽입된 새로운 작은 직경의 원통형 포스트 커패시터를 제안하였다. EMRWG급전을 위한 제안된 구조는 입력 및 출력 끝에서 도파관과 동일한 너비와 높이를 갖는 단일 리지 직사각형 도파관을 사용하였다. 삽입된 포스트 커패시터는 EMRWG의 넓은 벽체 하부 중앙에 형성된 원형 홈과 상부에 삽입된 동심원기둥 포스트로 구성된다. 먼저 제안된 구조에 대한 등가회로 모델을 제시하였고, EMRWG와 단일 리지 도파관이 결합될 때 이상적인 변압기의 접합 서셉턴스와 권선비는 각각 HFSS(3d fullwave 시뮬레이터, Ansoft Co.)를 사용하여 두 가지 경우에 대해 시뮬레이션하였다. 얻어진 매개변수와 EMRWG의 특성을 이용하여 삽입된 기둥의 서셉턴스 및 공진 특성을 분석하였다. 중심주파수 4.5GHz, 대역폭 170MHz의 2포스트 필터는 WR-90 도파관을 이용하여 설계하였으며, 등가회로 모델에 대한 계산과 HFSS와 CST를 이용한 시뮬레이션 결과가 서로 일치하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
• /
• pp.139-140
• /
• 2006

PZT박막은 비휘발성 재료로 유전율이 높고 항전력이 작으면서 잔류 분극랑이 크기 때문에 적합한 특성을 가지고 FeRAM에 매력적인 물질이다. CMP(chemical mechanical polishing)는 기존의 회생막의 전면 식각 공정과는 달리 특정 부위의 제거 속도를 조절함으로써 평탄화 하는 기술로 wafer 전면을 회전하는 탄성 패드 사이에 액상의 Slurry를 투입하여 연마하는 기술이다. 본 논문에서는 CMP 공정으로 제조한 PZT박막 캐패시터에서 CMP 후처리공정(세척)의 유무 및 종류에 따라 피로특성에 대하여 연구하였다, PZT 박막의 캐패시터의 피로 특성을 연구한 결과 CMP 후처리공정 SC-l용액을 사용하여 세정공정을 하였을때 가장 향상된 PZT 캐패시터의 피로특성이 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.668-671
• /
• 2001

The Sr$\_$0.8/Si$\_$2.4/Ta$_2$O$\_$9/(SBT) thin films are deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si) using RF magnetron sputtering method. With increasing post-annealing temperature from 600[$^{\circ}C$] to 850[$^{\circ}C$], Bi-layered perovskite phase was crystallized above 650[$^{\circ}C$]. The maximum remanent polarization and the coercive electric field is 11.60[${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$], 48[kV/cm] respectively. The leakage current density of SBT capacitor at post-annealing temperature of 750[$^{\circ}C$] is 1.01${\times}$10$\^$-8/ A/$\textrm{cm}^2$ at 100[kV/cm]. The fatigue characteristics of SBT thin films did not change up to 10$\^$10/ switching cycles.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술
• /
• pp.80-83
• /
• 2000

The post-annealing treatments on rf magnetron sputtered PZT($Pb_{1.05}(Zr_{0.52},\;Ti_{0.48})O_3$) thin films($4000{\AA}$) have been investigated for a structure of PZT/Pt/Ti/Coming glass(1737). Crystallization properties of PZT films were strongly dependent on RTA(Rapid Thermal Annealing) annealing temperature and time. We were able to obtain a perovskite structure of PZT at $650^{\circ}C$ and 10min. P-E curves of Pd/PZT/Pt capacitor demonstrate typical hysteresis loops. The measured values of $P_r$, $E_c$ were $8.1[{\mu}C/cm^2]$, 95[kV/cm] respectively. Polarization value decrease about 25% after $10^9$ cycles.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제48권2호
• /
• pp.69-75
• /
• 1999

The characteristics of $H_2$ gas detection have been investigated using the Pt-MIS capacitor composed of the LPCVD nitride on the oxide. The flat band voltage shift is measured as 0.1 V in 1,000 ppm $H_2$ gas ambient and to be independent of Pt catalyst thickness. It is found that the flatband voltage shift is proportional to the hydrogen concentrations. The response and recovery time of Pt-MIS capacitor are 5 mins and 25 mins respectively. The samples of 30nm thick Pt revealed much higher sensitivity than that of 150nm samples. The samples of 150nm Pt showed that the flatband voltage shift of the device is due to the formation of the dipole layer of the adsorbed hydrogen atoms at the Pt-insulator interface.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
• /
• pp.1829-1831
• /
• 2005

Ferroelectric $Bi_{3.25}Nd_{0.75}Ti_3O_{12}$(BNdT) thin films were proposed for capacitor of FeRAM. The BNdT thin films were grown on Pt/Ti $SiO_2/P-Si(100)$ substrates by the RF magnetron sputtering deposition. The dielectric properties of the BNdT were investigated by varying post-annealing temperatures. Increasing post-annealing temperature, the (117) peak was increased. An increase of rod type grains of BNdT films with increasing post-annealing temperature was observed by the Field Emission Scanning Electron Microscopy(FE-SEM). The dielectric constant and dielectric loss of the BNdT thin films with post-annealing temperature of $700^{\circ}C$ were 418 and 0.37, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2001년도 기술교육위원회 창립총회 및 학술대회 의료기기전시회
• /
• pp.9-12
• /
• 2001

The $Sr_{0.8}Bi_{2.4}Ta_2O_9(SBT)$ thin films are deposited on Pt-coated electrode($Pt/TiO_2/SiO_2/Si$) using RF magnetron sputtering method. With increasing post-annealing temperature from $600[^{\circ}C]$ to $850[^{\circ}C]$, Bi-layered perovskite phase was crystallized above $650[^{\circ}C]$. The maximum remanent polarization and the coercive electric field is 11.60[${\mu}C/cm^{2}$] 48[kV/cm] respectively. The leakage current density of SBT capacitor at post-annealing temperature of $750[^{\circ}C]$ is $1.01{\times}10^{-8}A/cm^2$ at 100[kV/cm]

• 전자공학회논문지D
• /
• 제36D권6호
• /
• pp.44-51
• /
• 1999

High density DRAM의 cell capacitor로 촉망 받고 있는 고유전체 BST박막 커패시터의 저 전계(<0.2MV/cm) 영역에서의 전기전도 현상을 분석하였다. 저 전계 영역에서 Pt/BST/Pt구조의 MIM 커패시터에 일정 전계를 인가한 후 전류를 측정하는 I(t)방법을 이용하여 유전완화전류와 누설전류를 분리해내어 박막의 측정온도 변화, 전계의 크기, 인가방향 변화, 후속 열처리에 따른 BST 박막의 전기전도 기구를 분석하였다. 그 결과, 유전완화전류는 Hoppiong process에 의한 BST박막내부의 trap된 전자들의 이동에 의한 전하재배치로 설명되어지며, 누설전류도 박막내의 trap에 의한 poole-Frenkel process에 의한 것임을 알 수 있었다. 그리고 각 전류성분에 기억하고 있는 trap이 BST박막내의 산호 결핍임을 추정하였다.