Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.634-634
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2013
Transfer molding methods have a problem that weak adhesion between nanostructures and substrates. It is important to make various nano scale applications, also the stability of nanostructure on substrate is related with device performance. We studied an effect of poly 4-vinylphenol (PVP) as the polymeric adhesion layer between organic nanowires and a Si substrate when the nanowires are transferred by liquid-bridge-mediated nanotransfer molding method (LB-nTM). Their structural stability was examined by optical microscopy, scanning electron microscopy as multiple transfer molding and washing process. Field-effect transistors were fabricated with organic semiconductor nanowires on a polymeric adhesion layer and their electrical properties showed no significant difference as the one without the adhesion layer. As a result, adhesion layer can be used in the washing process and making multi-layer nano-scale patterns.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.06a
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pp.61-62
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2006
In this paper, it was demonstrated that organic thin- film transistors (OTFTs) were fabricated with the organic adhesion layer between an organic semiconductor and a gate insulator by vapor deposition polymerization (VDP) processing. In order to form polymeric film as an adhesion layer, VDP process was also introduced instead of spin-coating process, where polymeric film was co-deposited by high-vacuum thermal evaporation from 6FDA and ODA followed by curing. The saturated slop in the saturation region and the subthreshold nonlinearity in the triode region were c1early observed in the electrical output characteristics in our organic thin film transistors using the staggered-inverted top-contact structure. Field effect mobility, threshold voltage, and on-off current ratio in 15-nm-thick organic adhesion layer were about $0.5\;cm^2/Vs$, -1 V, and $10^6$, respectively. We also demonstrated that threshold voltage depends strongly on the delay time when a gate voltage has been applied to bias stress.
Park, Il-Houng;Hyung, Gun-Woo;Choi, Hak-Bum;Kim, Young-Kwan
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2007.08a
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pp.958-961
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2007
The electrical characteristics of organic thin-filmtransistor (OTFTs) can be improved by inserting adhesion layer on gate dielectrics. Adhesion layer was used as polymeric adhesion layer deposited on inorganic gate insulators such as silicon dioxide $(SiO_2)$ and it was formed by vapor deposition polymerization (VDP) instead of spin-coating process. The OTFTs obtained the on/off ratio $of{\sim}10^4$, threshold voltage of 1.8V, subthreshold slop of 2.9 V/decade and field effect mobility about $0.01\;cm^2/Vs$.
Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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2003.10a
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pp.367-370
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2003
In this study, application of SAM (self-assembled monolayer) to nano replication process as an anti-adhesion layer was presented to reduce the surface energy between the nano mold and the replicated polymeric nano patterns. The electron beam lithography was used for master nano patterns and the electorforming process was used to fabricate the nickel nano stamper. Alkanethiol SAM as an anti-adhesion layer was deposited on metallic nano stamper using solution deposition method. To analyze wettability and adhesion force of SAM, contact angle and LFM (Lateral Force Microscopy) were measured at the actual processing temperature and pressure for the case of nano compression molding and at the actual UV dose for the case of nano UV molding. It was found that the surface energy due to SAM deposition on the nickel nano stamper markedly decreased and the quality of SAM on the nickel stamper maintained under the actual molding environments.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.19
no.4
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pp.357-361
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2006
The electrical performances of organic thin-film transistors (OTFTs) have been improved for the last decade. In this paper, it was demonstrated that the electrical characteristics of the organic thin film transistors (OTFTs) were improved by using polymeric material as adhesion layer on gate insulator. We have investigated OTFTs with polyimide adhesion layer which was fabricated by vapor deposition polymerization (VDP) processing and formed by co-deposition of 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride and 4,4'-oxydianiline. It was found that the OTFTs with adhesion layer showed better electrical characteristics than with bare layer because of good matching between semiconductor and gate insulator. Our devices of performance are field effect mobility of $0.4cm^2/Vs$, threshold voltage of -0.8 V and on-off current ratio of $10^6$. In addition, to improve the electrical characteristics of OTFT, we have reduced the thickness of adhesion layer up to a few nanometrs.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.70-71
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2005
The electrical performances of organic thin-film transistors (OTFTs) have been improved for the last decade. In this paper, it was demonstrated that the electrical characteristics of the organic thin film transistors (OTFTs) were improved by using polymeric material as adhesion layer on gate insulator. We have investigated OTFTs with polyimide adhesion layer which was fabricated by vapor deposition polymerization (VDP) processing and formed by co-deposition of 6FDA and ODA. It was found that the OTFTs with adhesion layer showed better electrical characteristics than with bare layer because of good matching between semiconductor and gate insulator. Our devices of performance are field effect mobility of $0.4cm^2$/Vs, threshold voltage of -0.8 V and on-of current ratio of $10^6$. In addition, to improve the electrical characteristics of OTFT, we have reduced the thickness of adhesion layer up to a few nanometrs.
Polyimide (PI) surface modification was carried out by ion-beam treatment and silane-imidazole coupling agent to improve the adhesion between polyimide film and copper. Silane-imidazole coupling agent contains imidazole functional groups for the formation of a complex with copper metal through a coordination bonding and methoxy silane groups for the formation of siloxane polymers. The PI film surface was first treated by argon (Ar)/oxygen ($O_2$) ion-beam, followed by dipping it into a modified silane-imidazole coupling agent solution. The results of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectra revealed that the $Ar/O_2$ plasma treatment formed oxygen functional groups such as hydroxyl and carbonyl groups on the polyimide film surface and confirmed that the PI surface was modified by a coupling reaction with imidazole-silane coupling agent. Adhesion between copper and the treated PI film by ion-beam and coupling agent was superior to that with untreated PI film. In addition, adhesion of PI film treated by an $Ar/O_2$ plasma to copper was better than that of PI film treated by a coupling agent. The peeled-off layers from the copper-PI film joint were completely different in chemical composition each other. The layer of PI film side showed similar C1s, N1s, O1s spectra to the original Upilex-S and no Si and Cu atoms appeared. On the other hand the layer of copper side showed different C1s and N1s spectra from the original PI film and many Si and Cu atoms appeared. This indicates that the failure occurs at an interface between the imidazole-silane and PI film layers rather than within the PI layers.
High shear adhesion on wet and rough surfaces and tactile feedback of gripping forces are highly important for realizing robotic gripper systems. Here, we propose a bioinspired robotic gripper with highly shear adhesion and sensitive pressure sensor for tactile feedback systems. To achieve them, we fabricated multi-walled carbon nanotube sensing layer on a thin polymeric adhesive layer of polydimethylsiloxane. With densely hexagonal-packed microstructures, the pressure sensor achieved 9 times the sensing property of a sensor without microstructures. We then assembled hexagonal microstructures inspired by the toe pads of a tree frog, giving strong shear adhesion under both dry and wet surfaces such as silicon (42 kPa for dry and ~30 kPa for underwater conditions) without chemical-residues after detachment. Our robotic gripper can prevent damage to weak or smooth surfaces that can be damaged at low pressure through pressure signal feedback suggesting a variety of robotic applications.
We demonstrated that the threshold voltage shift owing to a gate-bias stress is originated from the trapped charges at the interface between semiconductor layer and dielectric layer, and such drawback can be settled by applying long-term delay time to the gate electrode.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.12
no.3
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pp.110-114
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2011
Polymeric films of high chemical stability and mechanical strength covered with a thin metallic film have been extensively used in various fields as electric and electronic materials. In this study, we have chosen polypropylene (PP) as the polymer due to its outstanding chemical resistance and good creep resistance. We coated thin nickel film on PP films by the electroless plating process. The surfaces of PP films were pre-treated and modified to increase the adhesion strength of metal layer on PP films, prior to the plating process, by an environment-friendly process with atmospheric plasma generated using dielectric barrier discharges in air. The surface morphologies of the PP films were observed before and after the surface modification process using a scanning electron microscope (SEM). The static contact angles were measured with deionized water droplets. The cross-sectional images of the PP films coated with thin metal film were taken with SEM to see the combined state between metallic and PP films. The adhesion strength of the metallic thin films on the PP films was confirmed by the thermal shock test and the cross-cutting and peel test. In conclusion, we made a composite material of metallic and polymeric films of high adhesion strength.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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