• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제7권4호
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• pp.253-257
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• 2003

We propose and demonstrate a novel polarization- and wavelength-independent digital electrooptic switch in $Ti:LiNbO_3$ with switching voltage of ${\pm}$32V at $1.55{\mu}m$ wavelength. This $2{\times}2$ integrated optic switch is characterized by a step-like response to the applied voltage. Switching is achieved through adiabatic mode evolution in an asymmetric waveguide junction. An average insertion loss of ∼4.5dB and polarization independent switching with average crosstalk of -12dB are achieved.

• 한국전자파학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.397-401
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• 2005

본 논문에서는 복잡한 무선통신 환경에서 편파 다이버시티를 사용하기 위하여 편파 변환 기능을 갖는 개구결합 마이크로스트립 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 다층기관의 배면에 급전을 위한 마이크로스트립 선로를 가졌으며, 그 위의 접지면에는 $\lambda{g}/4$ 간격으로 2개의 슬롯이 위층의 방형 방사 패치의 변과 평행하게 놓여져 있다. 마이크로스트립 급전선로의 종단에 연결한 핀 다이오드를 개방과 단락으로 변환함에 따라 하나의 슬롯이 선택되어 패치에 급전하도록 함으로써 편과를 수평이나 수직으로 변환하는 구조로 하였다. 제작된 안테나의 공진주파수는 수평, 수직편파에서 파자 $2.41\;\cal{GHz},\;2.40\;\cal{GHz}$로 나타났고 편파 분리도는 $19\;\cal{dB},\;23\;\cal{dB}$극 보였으며 $-10\;\cal{dB}$ 반사 손실 대역폭은 각각 $95\;\cal{MHz},\;100\;\cal{MHz}$이었고 이득은 $6\;\cal{dBi}$로 나타났다.

• ETRI Journal
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• 제28권3호
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• pp.379-382
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• 2006

A novel reconfigurable microstrip patch antenna with frequency and polarization diversities is proposed. A U-slot is incorporated into a square patch, and a PIN diode is utilized to switch the slot on and off, which realizes the frequency diversity characteristic. The polarization diversities among linear polarization (LP), right-hand circular polarization (RHCP), and left-hand circular polarization (LHCP) are also obtained by switching three PIN diodes on the slot and the truncating corners of a square patch on and off. The antenna design and experimental results are presented.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권1호
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• pp.1-8
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• 2005

Sol-gel 법을 이용하여 Pt/TiO/sub x/SiO₂/Si 기판 위에 3.14×10/sup -4/㎠ 의 상부전극 면적을 갖는 PLT(5) 박막을 제작하여 스위칭 및 retention 특성에 대해 연구하였다. 4V 에서 3.56×10/sup -7/A/㎠의 누설전류밀도 값을 갖는 우수한 PLT(5) 박막에 펄스전압을 2V 에서 5V 까지 인가하였다. 펄스전압 증가에 따라 스위칭 시간은 0.52㎲ 에서부터 0.14㎲ 까지 감소하는 경향을 나타냈으며, 부하저항을 50Ω 에서 3.3Ω 으로 증가시킴에 따라 스위칭 시간이 0.14㎲에서 13.7㎲ 로 증가하는 것이 관찰되었다. 인가된 펄스 전압에 대한 스위칭 시간의 관계로부터 구한 활성화 에너지(Ea) 는 135kV/cm 이었다. PLT(5) 박막의 이력곡선과 분극 스위칭 실험으로부터 구한 switched charge density 사이의 오차는 약 10% 정도로 비교적 잘 일치하였으며, retention 특성은 105s 이후에도 약 8% 정도의 우수한 분극 감소 특성을 나타내었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.868-871
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• 2006

In-plane switching characteristics of PI rubbed ITO sandwich cell with low molecule FLC (ferroelectric liquid crystal) surface was investigated. FLC on the surface is governed by the applying frequency and surface condition. By controlling the Ps (spontaneous polarization) direction of dual FLC surfaces, switching characteristics are improved without change of cell structure.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제20권6호
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• pp.799-806
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• 2016

We present a polarization-dependent prism array film for controlling the viewing angle distribution of liquid crystal (LC) display panels without loss of light efficiency. On a directional backlight unit, our polarization-dependent prism array film, made into a stacked bilayer with a well-aligned liquid crystalline reactive mesogen (RM) layer on the UV-imprinted prism structure, can continuously control the light refraction function of the prism array by electrically switching incident polarization states of a polarization-controlling layer prepared by a twisted nematic LC mode. The viewing angle control properties of the polarization-dependent prism array film are analyzed under different prism angle and refractive index conditions of the RM layer. A simple analytic model is also presented to describe the intermediate viewing angle distributions with continuously varying applied voltages and incident polarization states.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권11호
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• pp.63-70
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• 1999

PLT(10) 박막을 $Pt/TiO_2/SiO_2/Si$ 기판 위에 sol-gel법으로 제작하여, 상부전극의 면적과 외부인가 펄스전압 및 부하저항을 변화시켜 가며 비휘발성 메모리 소자에 응용하기 위해 필수적인 switching 특성을 조사하였다. 외부인가 펄스전압이 2V에서 5V 까지 증가함에 따라, switching time은 $0.49{\mu}s$에서 $0.12{\mu}s$로 감소하였으며, 인가된 펄스전압에 대한 switching time의 관계로부터 구한 활성화 에너지 ($E_a$)는 209 kV/cm이었다. 상부전극 면적이 $3.14{\times}10^{-4}cm^2$인 박막에서 이력곡선과 polarization switching 실험으로부터 구한 switched charge density는 5V에서 각각 $11.69{\mu}C/cm^2$과 $13.02{\mu}C/cm^2$으로 양쪽 값 사이의 오차는 약 10%로 비교적 잘 일치하는 경향을 나타내었다. 상부전극의 면적이 $3.14{\times}10^{-4}cm^2$에서 $5.03{\times}10^{-3}cm^2$으로 증가함에 따라, switching time이 $0.12{\mu}s$에서 $1.88{\mu}s$로 증가하였으며, 부하저항을 50${\Omega}$에서 3.3$k{\Omega}$으로 증가시킴에 따라 switching time은 $0.12{\mu}s$에서 $9.7{\mu}s$로 증가로 증가하였다. 이와 같은 switching 특성에 관한 연구를 통해 PLT(10) 박막이 비휘발성 메모리 소자에 응용될 수 있는 매우 유망한 재료임을 알 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.323-323
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• 2012

We present ferroelectricity of Bi-doped ZnO film probed by piezoresponse force microscopy (PFM), which is one of the Scanning Probe Microscopy techniques. Perovskite ferroelectrics are limited to integration of devices into semiconductor microcircuitry due to hard adjusting their lattice structure to the semiconductor materials. Transition metal doped ZnO film is one of the candidate materials for replacing the perovskite ferroelectrics. In this study, ferroelectric characteristics of the Bi-doped ZnO grown by pulsed laser deposition were probed by PFM. The polarization switching and patterning of the ZnO films were performed by applying DC bias voltage between the AFM tips and the films with varying voltages and polarity. The PFM contrast before and after patterning showed clearly polarization switching for a specific concentration of Bi atoms. In addition, the patterned regions with nanoscale show clearly the local piezoresponse hysteresis loop. The spontaneous polarization of the ZnO film is estimated from the local piezoresponse based on the comparison with LiNbO3 single crystals.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제2권1호
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• pp.98-101
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• 2007

Yttrium(Y)-substituted bismuth titanate $(Bi_{4-x},Y_x)Ti_3O_{12}$ [x=0, 0.25, 0.5, 0.75, 1](BYT) thin films were deposited using an RF sputtering method on the $Pt/TiO_2/SiO_2/Si$ substrates. The structural properties and electrical properties of yttrium-substituted $(Bi_4-xYx)Ti_3O_{12}$ thin films were analyzed. The remanent polarization of $(Bi_4-xYx)Ti_3O_{12}$ films increased with increasing Y-content. The $(Bi_{3.25}Y_{0.75})Ti_3O_{12}$ films fabricated using a top Au electrode showed saturated polarization-electric field(P-E) switching curves with a remanent polarization(Pr) of $8{\mu}C/cm^2$ and coercive field (Ec) of 53 kV/cm at an applied voltage of 7 V. The $(Bi_{3.25}Y_{0.75})Ti_3O_{12}$ films exhibited fatigue-free behavior up to $4.5{\times}10^{11}$ read/write switching cycles at a frequency of 1MHz.

• 한국세라믹학회지
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• 제50권1호
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• pp.82-86
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• 2013

A poled lead zirconate titanate (PZT) cube specimen is subjected to impulse-type compressive stress with increasing magnitude in parallel to the poling direction at four room and high temperatures. During the ferroelastic domain switching induced by the compressive stress, electric displacement in the poling direction and longitudinal and transverse strains are measured. Using the measured responses, linear material properties, namely, the piezoelectric and elastic compliance coefficients, are evaluated by a graphical method, and the effects of stress and temperature are analyzed. Finally, the dependency of the evaluated linear material properties on relative remnant polarization is analyzed and discussed.