Park, Jee Ho;Lee, Sohyung;Lee, Hee Sung;Kim, Sung Ki;Park, Kwon-Shik;Yoon, Soo-Young
Current Applied Physics
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v.18
no.11
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pp.1447-1450
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2018
The electron spin resonance (ESR) detects point defect of the In-Ga-Zn oxide (IGZO) like singly ionized oxygen vacancies and excess oxygen, and get spin density as a parameter of defect state. So, we demonstrated the spin density measurement of the IGZO film with various deposition conditions and it has linear relationship. Moreover, we matched the spin density with the total BTS and the threshold voltage ($V_{th}$) distribution of the IGZO thin film transistors. The total BTS ${\Delta}V_{th}$ and the $V_{th}$ distribution were degraded due to the spin density increases. The spin density is the useful indicator to predict $V_{th}$ instability of IGZO TFTs.
As the number of deteriorated buildings increases, the importance of safety diagnosis, maintenance, and the repair of buildings also increases. Traditionally, building condition assessments are performed by one person or one company and various inspections are needed. This entails a subjective judgment by the inspector, resulting in different assessment results, poor objectivity and a lack of reliability. Therefore, this study proposed a method to bring about accurate grading results of building conditions. The limitations of visual inspection and condition assessment processes previously conducted were identified by reviewing existing studies. Building defect data was collected using the reverse-engineered three-dimensional (3D) model. The accuracy of the results was verified by comparing them with the actual evaluation results. The results show a 50% time-saving to the same area with an accuracy of approximately 90%. Consequently, defect data with high objectivity and reliability were acquired by measuring the length, area, and width. In addition, the proposed method can improve the efficiency of the building diagnosis process.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.86-87
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2009
High quality $CuInSe_2$ (CIS) were grown on GaAs substrate by using the hot wall epitaxy method. The behavior of point defects in the CIS layer investigated by using photoluminescence (PL) at 10 K. Point defects originating from $V_{Cu}$, $V_{Se}$, $Cu_{int}$, and $Se_{int}$ were classified as donor or acceptor types. These PL results also led us to confirm that the p-type CIS layer had obviously converted into n-type after the Cu atmosphere treatment. Finally, we found that the In in the CIS layer did not form the native defects, because In existed in the form of stable bonds in the CIS layer.
In order to prevent shape defects such as fluting and stretcher strains during press forming of aged low carbon steel sheets, roller leveling conditions for reducing yield point elongation were studied. Yield point elongations of leveled sheets were determined as a function of leveling, which is defined as the plastic fraction or the ratio of plastically deformed part in sheet thickness section to the whole thickness of the sheet. By adjusting this plastic fraction during leveling to more than 78%, yield point elongation in the leveled sheets was reduced so no fluting occurred during subsequent tangential bending. Stretcher strains can be avoided by leveling the sheet to an 84% plastic fraction condition.
Multi-layer perceptron neural networks have been constructed to classify four types of defects in steam generator tubes. Three features are extracted from the signals of the eddy current testing method. These include maximum impedance, phase angle at the point of maximum impedance, and an angle between the point of maximum impedance and the point of half the maximum impedance. Two hundred sets of these features are used for training and assessing the networks. Two approaches are involved to train the networks and to classify the defect type. One is the conjugate gradient method and the other is the Broydon-Fletcher-Goldfarb-Shanno method which is recognized as the most popular algorithm of quasi-Newton methods. It is found from the computation results that the training time of the Broydon-Fletcher-Goldfarb-Shanno method is much faster than that of the conjugate gradient method in most cases. On the other hand, no significant difference of the classification performance between the two methods is observed.
Effects of magnesium and pH on corrosion of aluminum galvanically coupled to iron have studied by using potentio- dynamic and static tests for polarization curves, Mott-Schottky test for analysis of semiconductor property, and GD-AES and XPS for film analysis. Pitting potential was sensitive to magnesium as an alloying element but not to pH, while passive current was sensitive to pH but not to magnesium. It was explained with, instead of point defect model (PDM), surface charge model describing that the ingression of chloride depends on the state of surface charge and passive film at film/solution interface is affected by pH. In addition, galvanic current of aluminum electrically coupled to iron was not affected by magnesium in pH 8.4, 0.2M citrate solution but was increased by magnesium at the solution of pH 9.1. The galvanic current at pH 9.1 increased with time at the initial stage and after the exposure of about 200 minute, decreased and stabilized. The behavior of the galvanic current was related with the concentration of magnesium at the surface. It agreed with the depletion of magnesium at the oxide surface by using glow discharge atomic emission spectroscopy (GD-AES). In addition, pitting potential of pure aluminum was reduced in neutral pH solution where chloride ion maybe are competitively adsorbed on pure aluminum. It was confirmed by the exponential decrease of pitting potential with log of [$Cl^-$] around 0.025 M of [$Cl^-$] and linear decrease of the pitting potential. From the above results, unlike magnesium, alloying elements with higher electron negativity, lowering isoelectric point (ISE), are recommended to be added to improve pitting corrosion resistance of aluminum and its alloys in neutral solutions as well as their galvanic corrosion resistance in weakly basic solutions.
Algorithm which can analyze the slope failure behavior utilizing the comprehensive information of the dense point of joint poles and the joint set orientations, both of which are obtained statistically, and the defect pattern of pole distribution has been developed. This method overcomes the potential incorrectness of the hemispheric projection method utilizing the joint set orientations only and also enhances the reliability of slope failure analysis. To this end a method capable of calculating the joint dispersion index directly from the joint pole distribution, instead of contour map, has been devised. The representative orientations for the slope failure analysis has been determined by considering the number and orientations of cone angle-dependent joint sets as well as the joint dispersion index. By engaging these representative orientations to the hemispheric projection analysis more reliable slope failure examination has been carried out. Sensitivity analysis for the potentially unstable slope of plane failure mode has been performed. Significance of joint strength index and the external seismic loading on the slope stability has been fully analyzed.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.141-142
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2008
Single crystal $ZnIn_2S_4$ layers were grown on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate at $450^{\circ}C$ with hot wall epitaxy (HWE) system by evaporating $ZnIn_2S_4$ source at $610^{\circ}C$. The temperature dependence of the energy band gap of the $ZnIn_2S_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g$(T) = 2.9514eV - ($7.24\times10^{-4}$ eV/K)$T^2$/(T + 489 K). After the as-grown $ZnIn_2S_4$ single crystal thin films was annealed in Zn-, S-, and In-atmospheres, the origin of point defects of $ZnIn_2S_4$ single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10 K. The native defects of $V_{Zn}$, $V_s$, $Zn_{int}$, and $S_{int}$, obtained by PL measurements were classified as a donors or acceptors type. And we concluded that the heat-treatment in the S-atmosphere converted $ZnIn_2S_4$ single crystal thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that In in $ZnIn_2S_4$/GaAs did not form the native defects because In in $ZnIn_2S_4$ single crystal thin films existed in the form of stable bonds.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.98-99
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2008
To obtain the single crystal thin films, $AgGaSe_2$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $630^{\circ}C$ and $420^{\circ}C$, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $AgGaSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g$(T) 1.9501 eV - ($8.79\times10^{-4}$ eV/K)$T^2$/(T + 250 K). After the as-grown $AgGaSe_2$ single crystal thin films was annealed in Ag-, Se-, and Ga-atmospheres, the origin of point defects of $AgGaSe_2$ single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10K. The native defects of $V_{Ag}$, $V_{Se}$, $Ag_{int}$, and $Se_{int}$ obtained by PL measurements were classified as a donors or acceptors type. And we concluded that the heat-treatment in the Ag-atmosphere converted $AgGaSe_2$ single crystal thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that Ga in $AgGaSe_2$/GaAs did not form the native defects because Ga in $AgGaSe_2$ single crystal thin films existed in the form of stable bonds.
Bony defects may be found as a result of congenital anomalies, traumatic injury, automobile collisions and industrial accidents in the maxillofacial area. Such conditions are often associated with severs functional and esthetic problem. Various surgical procedure has been utilized in attempts to repair and reconstruct bony defects. Bone is a complex, living, constantly changing tissue. The architecture and composition of cancellous and cortical bone allow the skeleton to perform its essential mechanical functions. Periosteum covers the external surface of bone and consists of two layers : an outer fibrous layer and an inner more cellular and vascular layer. The inner osteogenic layer or cambium layer can form new bone while the outer layer firms part of the insertions of tendons, ligaments and muscles. This study was under taken to evaluate bone healing process on partial defect of calvarial bone with or without periosteum in rat. We made calvarial defects of different size(4mm, 6mm, 8mm) with periosteum or without periosteum in rat to study the effect of defect size on healing process. Control and experimental groups sacrified at 1, 2, 4, 6, 8 weeks, postoperatively. We examed the specimens by gloss findings, light microscophy, and fluorescent microscophy. The results were as follows. 1. Gloss findings: Control groups are larger bony defects than experimental groups after 2 weeks, and than control groups advanced healing of defected bone but experimental groups are lesser after 4, 6 weeks. After 8 weeks, bone defect has not been identified in control and experimental groups. 2. Light microscope: All defects of control groups are larger bony defects than experimental groups after 2 weeks. And than control groups show smaller defect after 4 weeks. After 8 weeks, the control group reveal pin-point sized, hardly identifiable defect space and the experimental group reveal small, but definite defect space. 3. Fluorescent microscope : Each week, new bone formation of control group is very similar to the experimental group. In this study, Osteogenesis of calvarial bone defects with periosteum or without periosteum was examined for 8 weeks in rats. The replaced periosteum had batter new bone formation than the removed periosteum.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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