• 대한전자공학회논문지TC
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• 제45권7호
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• pp.17-21
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• 2008

이진 pseudo-random 시퀀스를 갖는 q-ary M-sequence는 많은 적용 분야에 사용할 수 있는 유리한 특성을 가지고 있다. 본 논문은 유한장 $F_q$의 덧셈 특성을 이용하여 q-ary M-sequence 원소의 시프트로 재킷 행렬의 새로운 계열을 설계하고 있다. 또한, 이진 PN-시퀀스로부터 기존의 하다마드 행렬을 얻는 방법을 일반화하였고, 제안한 방법으로 q-ary M-sequence에 근거한 재킷행렬을 보인다.

• 한국진공학회지
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• 제20권3호
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• pp.189-194
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• 2011

실리콘 태양전지는 KOH 에칭 용액을 이용하여 texturing 시간을 다르게 하는 방법으로 표면의 texturing 상태를 다양하게 제작하였다. 그리고 $POCl_3$ 공정을 이용하여 n형 불순물을 도핑하여 pn접합을 만들었으며, 알루미늄 후면전극과 은 전면전극을 이용하여 Si-cell을 제작하였다. 피라미드 구조가 가장 크고 표면에 고르게 형성된 태양전지 셀에서 F.F. 계수가 높게 나타났으며, 효율도 높게 나타났다. texturing 형성이 잘 이루어진 셀인 경우 빛을 많이 흡수할 수 있고 회로 내부적으로는 직렬저항성분이 감소하여 단락전류성분이 현저히 증가하게 되어 최종적으로 효율이 증가되는 것을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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• pp.189-192
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• 2003

V-grooved inner stripe (VIS)형 양자선 레이저의 전류 주입 효율을 높이기 위하여 세가지 서로 다른 전류 차단층 구조, n-blocking on p-substrate (VIPS), p-n-p-n blocking on n-substrate ($VI(PN)_{n}S$), p-blocking on n-substrate (VINS)를 설계, 제작하였다. 그 중 VIPS 구조는 다른 두 구조에 비하여 약 5mW/facet 정도의 높은 광출력을 보였으며, 중심파장 818 nm, 문턱전류 39.9 mA, 외부양자효과 24%/facet, 특성온도 92K의 특성을 보였다. 또한 전류 및 온도 변화에 따른 파장변화를 각각 0.031 nm/mA와 $0.14nm/^{\circ}C$로 관찰되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권12S호
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• pp.1268-1272
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• 2003

In order to enhance current Injection efficiency of Y-groove inner strife(VIS) quantum wire lasers, three different current configurations, n-blocking on p-substrate(VIPS), p-n-p-n blocking on n-substrate(VI(PN)nS), p-blocking on n-substrate(VINS) have been designed and fabricated. Among them VIPS laser showed the most stable characteristics of lasing up to 5 mW/facet, a threshold current of 39.9 mA at 818 nm, and an external differential quantum efficiency of 24 %/facet. The current tuning rate was almost linear 0.031 nm/mA, and the temperature tuning rate was measured to be 0.14 nm/$^{\circ}C$.

• 오토저널
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• 제4권1호
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• pp.1-4
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• 1982

우리가 흔히 쓰는 관리도에도 X over bar-R관리도, P(또는 Pn)관리도, C(또는 U)관리도가관리 도의 대종을 이루고 있다. 그러나 기계공업 특히 자동차공업분야에서는 기계가공 부품을 일일이 재기가 어렵거나 시간이 걸리므로 고-노고우 게이지(go-no go gauge)를 써서 선별하는 경우가 많다. 또 금형베품의 조립시에는 측정개소가 많기 때문에 어느 한 부분만을 제어서 관리할 수 없으므로 여러곳을 제어서 관리해야 하는데 이때 금형전체를 어떻게 맞출것인가, 혹은 제품의 공차관리를 어떻게 해나갈 것인가 하는 문제가 생긴다. 다음에 이러한 경우에 유용하게 쓰일 수 있는 관리도의 예를 소개하고자 한다.

• 한국음향학회지
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• 제1권1호
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• pp.27-36
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• 1982

본 논문에서는 종래의 디지털신호 처리 방식에 비해 소형이며 광대역폭 신호를 처리할 수 있는 AE 콘빌버가 스펙트럼 확산통신 방식에서 높은 신호처리 이득과 다이나믹 레인지를 갖는 프로그램이 가능한 정합필터로 사용 될 수 있음을 실험적으로 제시하였다. 본 실험에서 사용한 AE 콘벌버는 안전 재료인 YZ-LINbO\sub 3\ 위에 중심 주파수 50MHz, 대역폭 11MHz인 SAW 지연선을 제작하고 그 위 에 저항율 50 ohm-cm인 P형 실리콘을 장착하여 구성하였으며, 이 소자는 63? PN 코드로 변조된 P나 신호를 인가하여 신호처리이득이 18dB인 프로그램이 가능한 정합필터로 사용될 수 있음을 보였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제32권10C호
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• pp.959-964
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• 2007

이 논문에서는 $M|p^n-1$를 만족하는 양의 정수 M과 소수 p에 대해서 주기가 $p^n-1$인 M-진 Sidel'nikov 수열을 사용해서 M-진 수열 군을 생성하였다. 이 수열군은 상관 값의 최대간이 $3\sqrt{p^{n}}+6$을 상한으로 갖고 수열군의 크기는 p=2일 때 $(M-1)^2(2^{n-1}-1)$+M-1 이거나 p가 홀수인 소수일 때는 $(M-1)^2(p^n-3)/2+M(M-1)/2$가 된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.333-333
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• 2016

현재까지 가장 높은 광전류 변환 효율을 나타내는 III-V 화합물 반도체의 다중접합 태양전지 대신 이보다 단순한 에피구조를 가진 단일셀 이종접합구조의 태양전지를 제안하였다. 이를 한국나노 기술원에서 MOCVD(Metalorganic Vapour Phase Epitaxy) 장비를 이용하여 에피구조를 성장하고 태양 전지를 제작해 그 특성을 조사하였다. 태양 전지는 서로 다른 orientation의 두 GaAs 기판에 각각 동일한 에피 구조로 성장되었다. GaAs 기판은 Si 도핑된 n-type 기판으로 (100) 표면이 <111>A 방향으로 2도 off 된 웨이퍼와 10도 off 된 웨이퍼가 사용되었다. 연구에서 시뮬레이션에 사용된 태양전지의 에피 구조는 맨 위 p-GaAs (p-contact 층), p-InAlP, p-InGaP의 광흡수층과 N-InAlGaP 층과 아래의 n-InAlP와 n-GaAs의 n-contact층으로 이루어져있다.태양전지는 $5mm{\times}5mm$의 면적을 가지고 있다. 그림 1은 전류-전압의 측정된 결과를 나타낸 그래프이다. 태양전지는 1 sun 조건하에서 probe를 이용해 측정되었다. 2도 off GaAs 기판 위에 성장시킨 태양전지에서는 3.7mA의 단락전류값이, 10도$^{\circ}$ off 인 샘플에서는 4.7mA의 단락전류값이 측정되었다. 반면에 전류-전압곡선으로부터 얻은 10도 off 인 태양전지의 직렬 저항값은 2도 off 인 태양전지의 약4배 정도로 나타났다. 이는 기판의 결정방향에 따라 태양전지의 내부 전하 transport에 차이가 있음을 나타낸다. TLM (Transmission Line Model) 방법에 의한 p-contact의 ohmic저항 측정에서도 이와 일치하는 결과를 얻었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.771-774
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• 1998

In this paper proposes a new bit-parallel structure for a multiplier over GF((Pn)m), with k-nm. Mastrovito Multiplier, Karatsuba-ofman algorithm are applied to the multiplication of polynomials over GF(2n). This operation has a complexity of order O(k log p3) under certain constrains regardig k. A complete set of primitive field polynomials for composite fields is provided which perform modulo reduction with low complexity. As a result, multiplier for fields GF(Pk) with low gate counts and low delays are constructed. The architectures are highly modular and thus well suited for VLSI implementation.

• 대한수학회보
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• 제53권3호
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• pp.641-649
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• 2016

A linear functional T on a $Fr{\acute{e}}echet$ algebra (A, (pn)) is called almost multiplicative with respect to the sequence ($p_n$), if there exists ${\varepsilon}{\geq}0$ such that ${\mid}Tab-TaTb{\mid}{\leq}{\varepsilon}p_n(a)p_n(b)$ for all $n{\in}\mathbb{N}$ and for every $a,b{\in}A$. We show that an almost multiplicative linear functional on a $Fr{\acute{e}}echet$ algebra is either multiplicative or it is continuous, and hence every almost multiplicative linear functional on a functionally continuous $Fr{\acute{e}}echet$ algebra is continuous.