1 |
J. Kim, J. Korean Phys. Soc. 50, 1168-1171 (2007).
DOI
|
2 |
B. Postels, A. Kasprzak, T. Buergel, A. Bakin, E. Schlenker, H. H. Wehmann, and A. Waag, J. Korean Phys. Soc. 53, 115-118 (2008).
DOI
|
3 |
A. Bolonkin, IEEE, Transactions on Aerospace and Electronic Systems 44, 1538-1542, (2008).
DOI
|
4 |
V. M. Aroutiounian, K. R. Maroutyan, A. L.Zatikyan, and K. J. Touryan, Thin Solid Films 517,4403-4404 (2002).
|
5 |
M. S. Jeon, S. Yoshiba, and K. Kamisako, J. Korean Phys. Soc. 54, 194-199 (2009).
DOI
|
6 |
H. Jin, S. K. Oh, H. J. Kang, and J. C. Lee, J. Korean Phys. Soc. 51, 1042-1045 (2007).
DOI
|
7 |
C. Ornaghi, M. Stoger, G. Beaucarne, J. Poortmans and P. Schattschneider, IEE Proc-Circuits Devices Syst. 150, 287-291 (2003)
DOI
|
8 |
J. J. Lee, B. H. Sung, J. D. Lee, C. Y. Park, andK. H. Kim, J. Korean Vacuum Soc. 18, 459-467(2009).
DOI
|
9 |
M. Y. Levy and C. Hongserg, IEEE, transactions on Electron Devices, 55, 706-711 (2008).
DOI
|
10 |
M. H. Ahn, E. S. Cho, and S. J. Kwon, J. Korean Vacuum Soc. 18, 440-446 (2009).
DOI
|