• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
• /
• v.45 no.7
• /
• pp.17-21
• /
• 2008

As with the binary pseudo-random sequences q-ary m-sequences possess very good properties which make them useful in many applications. So we construct a class of Jacket matrices by applying additive characters of the finite field $F_q$ to entries of all shifts of q-ary m-sequence. In this paper, we generalize a method of obtaining conventional Hadamard matrices from binary PN-sequences. By this way we propose Jacket matrix construction based on q-ary M-sequences.

• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.20 no.3
• /
• pp.189-194
• /
• 2011

Si-cell was prepared with various types owing to the etching times textured by the KOH etching solution. The pn junction for solar cell was prepared on p-type Si wafer by the furnace using the $POCl_3$ and oxygen mixed precursor, and the metalization was done using by the Al back electrode and Ag front electrode. Textured Si surface was etched by the pyramid formation. The efficiency and the fill factor was increased in the Si-cell with a large size of pyramids, because of the series resistances decrease depending on the increasing of the photon absorbance. Increasing of the absorbance occurred the induction of the short current and open voltage, and then the efficiency was increased.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2003.04a
• /
• pp.189-192
• /
• 2003

V-grooved inner stripe (VIS)형 양자선 레이저의 전류 주입 효율을 높이기 위하여 세가지 서로 다른 전류 차단층 구조, n-blocking on p-substrate (VIPS), p-n-p-n blocking on n-substrate ($VI(PN)_{n}S$), p-blocking on n-substrate (VINS)를 설계, 제작하였다. 그 중 VIPS 구조는 다른 두 구조에 비하여 약 5mW/facet 정도의 높은 광출력을 보였으며, 중심파장 818 nm, 문턱전류 39.9 mA, 외부양자효과 24%/facet, 특성온도 92K의 특성을 보였다. 또한 전류 및 온도 변화에 따른 파장변화를 각각 0.031 nm/mA와 $0.14nm/^{\circ}C$로 관찰되었다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
• /
• v.16 no.12S
• /
• pp.1268-1272
• /
• 2003

In order to enhance current Injection efficiency of Y-groove inner strife(VIS) quantum wire lasers, three different current configurations, n-blocking on p-substrate(VIPS), p-n-p-n blocking on n-substrate(VI(PN)nS), p-blocking on n-substrate(VINS) have been designed and fabricated. Among them VIPS laser showed the most stable characteristics of lasing up to 5 mW/facet, a threshold current of 39.9 mA at 818 nm, and an external differential quantum efficiency of 24 %/facet. The current tuning rate was almost linear 0.031 nm/mA, and the temperature tuning rate was measured to be 0.14 nm/$^{\circ}C$.

• Journal of the korean Society of Automotive Engineers
• /
• v.4 no.1
• /
• pp.1-4
• /
• 1982

우리가 흔히 쓰는 관리도에도 X over bar-R관리도, P(또는 Pn)관리도, C(또는 U)관리도가관리 도의 대종을 이루고 있다. 그러나 기계공업 특히 자동차공업분야에서는 기계가공 부품을 일일이 재기가 어렵거나 시간이 걸리므로 고-노고우 게이지(go-no go gauge)를 써서 선별하는 경우가 많다. 또 금형베품의 조립시에는 측정개소가 많기 때문에 어느 한 부분만을 제어서 관리할 수 없으므로 여러곳을 제어서 관리해야 하는데 이때 금형전체를 어떻게 맞출것인가, 혹은 제품의 공차관리를 어떻게 해나갈 것인가 하는 문제가 생긴다. 다음에 이러한 경우에 유용하게 쓰일 수 있는 관리도의 예를 소개하고자 한다.

• The Journal of the Acoustical Society of Korea
• /
• v.1 no.1
• /
• pp.27-36
• /
• 1982

본 논문에서는 종래의 디지털신호 처리 방식에 비해 소형이며 광대역폭 신호를 처리할 수 있는 AE 콘빌버가 스펙트럼 확산통신 방식에서 높은 신호처리 이득과 다이나믹 레인지를 갖는 프로그램이 가능한 정합필터로 사용 될 수 있음을 실험적으로 제시하였다. 본 실험에서 사용한 AE 콘벌버는 안전 재료인 YZ-LINbO\sub 3\ 위에 중심 주파수 50MHz, 대역폭 11MHz인 SAW 지연선을 제작하고 그 위 에 저항율 50 ohm-cm인 P형 실리콘을 장착하여 구성하였으며, 이 소자는 63? PN 코드로 변조된 P나 신호를 인가하여 신호처리이득이 18dB인 프로그램이 가능한 정합필터로 사용될 수 있음을 보였다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
• /
• v.32 no.10C
• /
• pp.959-964
• /
• 2007

In this paper, for a positive integer M and a prime p such that $M|p^n-1$, families of M-ary sequences using the M-ary Sidel'nikov sequences with period $p^n-1$ are constructed. The family has its maximum magnitude of correlation values upper bounded by $3\sqrt{p^{n}}+6$ and the family size is $(M-1)^2(2^{n-1}-1)$+M-1 for p=2 or $(M-1)^2(p^n-3)/2+M(M-1)/2$ for an odd prime p.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2016.02a
• /
• pp.333-333
• /
• 2016

현재까지 가장 높은 광전류 변환 효율을 나타내는 III-V 화합물 반도체의 다중접합 태양전지 대신 이보다 단순한 에피구조를 가진 단일셀 이종접합구조의 태양전지를 제안하였다. 이를 한국나노 기술원에서 MOCVD(Metalorganic Vapour Phase Epitaxy) 장비를 이용하여 에피구조를 성장하고 태양 전지를 제작해 그 특성을 조사하였다. 태양 전지는 서로 다른 orientation의 두 GaAs 기판에 각각 동일한 에피 구조로 성장되었다. GaAs 기판은 Si 도핑된 n-type 기판으로 (100) 표면이 <111>A 방향으로 2도 off 된 웨이퍼와 10도 off 된 웨이퍼가 사용되었다. 연구에서 시뮬레이션에 사용된 태양전지의 에피 구조는 맨 위 p-GaAs (p-contact 층), p-InAlP, p-InGaP의 광흡수층과 N-InAlGaP 층과 아래의 n-InAlP와 n-GaAs의 n-contact층으로 이루어져있다.태양전지는 $5mm{\times}5mm$의 면적을 가지고 있다. 그림 1은 전류-전압의 측정된 결과를 나타낸 그래프이다. 태양전지는 1 sun 조건하에서 probe를 이용해 측정되었다. 2도 off GaAs 기판 위에 성장시킨 태양전지에서는 3.7mA의 단락전류값이, 10도$^{\circ}$ off 인 샘플에서는 4.7mA의 단락전류값이 측정되었다. 반면에 전류-전압곡선으로부터 얻은 10도 off 인 태양전지의 직렬 저항값은 2도 off 인 태양전지의 약4배 정도로 나타났다. 이는 기판의 결정방향에 따라 태양전지의 내부 전하 transport에 차이가 있음을 나타낸다. TLM (Transmission Line Model) 방법에 의한 p-contact의 ohmic저항 측정에서도 이와 일치하는 결과를 얻었다.

• Proceedings of the IEEK Conference
• /
• 1998.10a
• /
• pp.771-774
• /
• 1998

In this paper proposes a new bit-parallel structure for a multiplier over GF((Pn)m), with k-nm. Mastrovito Multiplier, Karatsuba-ofman algorithm are applied to the multiplication of polynomials over GF(2n). This operation has a complexity of order O(k log p3) under certain constrains regardig k. A complete set of primitive field polynomials for composite fields is provided which perform modulo reduction with low complexity. As a result, multiplier for fields GF(Pk) with low gate counts and low delays are constructed. The architectures are highly modular and thus well suited for VLSI implementation.

• Bulletin of the Korean Mathematical Society
• /
• v.53 no.3
• /
• pp.641-649
• /
• 2016

A linear functional T on a $Fr{\acute{e}}echet$ algebra (A, (pn)) is called almost multiplicative with respect to the sequence ($p_n$), if there exists ${\varepsilon}{\geq}0$ such that ${\mid}Tab-TaTb{\mid}{\leq}{\varepsilon}p_n(a)p_n(b)$ for all $n{\in}\mathbb{N}$ and for every $a,b{\in}A$. We show that an almost multiplicative linear functional on a $Fr{\acute{e}}echet$ algebra is either multiplicative or it is continuous, and hence every almost multiplicative linear functional on a functionally continuous $Fr{\acute{e}}echet$ algebra is continuous.