본 연구에서는 VARTM 공정으로 제조되는 에폭시/아바카 패브릭 복합재의 기계적 특성을 향상 시키고자 하였다. 표면처리를 통하여 패브릭 표면의 미세 거칠기를 증가시키고 친수성을 소수성으로 변화시켜 에폭시-패브릭간 계면결합력을 증가시켜 기계적 특성을 향상 시키고자 하였다. 이를 위해 상온 상압 플라즈마 처리법을 사용하였고 기계적 특성이 향상되는 최적 처리시간을 찾고자 하였다. 플라즈마 처리 특성을 비교하기 위해 NaOH 처리법을 사용하였다. 플라즈마 10초 처리된 패브릭으로 제조된 복합재가 무처리, NaOH 처리 대비 가장 높은 인장강도를 보였으며 20초 이상 처리시 인장강도는 낮아졌다. 미세구조 분석결과 20초 이상 처리시 섬유에 생긴 미세 흠집으로 인해 인장강도가 저하됨을 알 수 있었다. 흡습 시험과 침강 시험을 통해 친수성의 아바카가 소수성의 경향을 보이는 것을 확인하였다.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1444-1446
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2009
The atmospheric pressure plasma polymerization of acrylate monomers was carried out to have dielectrics with easy preparation and high performance. The effects of discharge power, monomer concentration and deposition time on film properties were investigated using various characterization tools. With proper conditions, smooth dielectric layer of 100nm thickness was obtained. Dielectric property as organic dielectric layer has been studied for future applications in organic thin film transistors(OTFT).
Efficient electrodes are devised for organic luminescent device(OLED). ITO electrode is treated with $O_2$ plasma. In order to inject hole efficiently, there is proposed the shape of anode that inserted plasma polymerized films as buffer layer between anode and organic layer using thiophene monomer. In the case of device inserted the buffer layer by using the plasma polymerization after $O_2$ plasma processing for ITO transparent electrode, since it forms the stable interface and reduce the moving speed of hole, the recombination of hole and electronic are made in the emitting layer. Therefore it realized the device capability of two times in the aspect of luminous efficiency than the device which do not be inserted the buffer layer. Experiments are limited to the device that has the structure of TPD/$AIq_3$, however, the aforementioned electrodes can similarly applied to the organic luminous device and the Polymer luminous device.
We investigated numerically the evolutions of several chemical species which are important for film growth and particle generation in the pulsed $SiH_4$ plasmas. During the plasma-on, the $SiH_x$ concentration increases with time mainly by the generation reaction from $SiH_4$, but, during the plasma-off, decreases because of the hydrogen adsorption reaction. During the plasma-on, the concentrations of negative ions increase with time by the polymerization reactions of negative ions and those become almost zero in the sheath regions because of the electrostatic repulsion. During the plasma-off, the concentrations of negative ions decrease with time by the neutralization reactions with positive ions and some negative ions can diffuse toward the sheath regions because there is no electric field inside the reactor. The polymerized negative ions of higher mass can be reduced successfully by using the pulsed plasma process.
In this study, we intended to investigate aging effect of polyimide prepared by VDPD(vapor deposition polymerized method). The prepared polymide was treated by the oxygen and argon gas plasma. And we evaluated the polyimide treated by plasma from contact angle, surface leakage current, FT-IR and SEM. We know that the structure of polyimide at surface are changed to amide structure by plasma treating. It seems that strong energy of plasma causes breaking the molecular chin of the polyimide. And surface roughness increases with plasma treating time increased and sequentially the wettability and leakage current increases.
In this study, we prepared non-porous plasma membrane for having high permeability and selectivity and this membrane was deposited on the $Al_{2}O_{3}$ membrane by using $CHF_{3}$ & $SiH_{4}$ monomer. Also, we investigated for the permeation characteristics of the plasma polymer membrane by Ar plasma treatment. When the position of substrate was near cathode, the selectivity was increased with Ar plasma treatment time and rf-power. The pore size of $Al_{2}O_{3}$ membrane had an effect on the permeability and the position of substrate affected selectivity.
Kim, Tae-Wook;Lee, Jung-Hyun;Back, Ji-Woong;Jung, Woo-Gwang;Kim, Jin-Yeol
Macromolecular Research
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제17권1호
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pp.31-36
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2009
Highly transparent, thin polythiophene (PT) films were successfully synthesized by the plasma polymerization of thiophene. These films were doped with $O_2$ plasma by in-situ doping technique. The plasma polymerized PT films were deposited at about 50 to 340 nm/min, depending on the temperature and plasma power. A resultant transparency as high as 85% was achieved. The plasma polymerized PT films exhibited the characteristics of an insulator or semiconductor ($10^{10{\sim}12}{\Omega}/{\Box}$, $10^{-7}S/cm$). The conductivity was immediately increased up to $10{\Omega}/{\Box}$ and $10^{-2}S/cm$, when doped with $O_2$ plasma. The plasma-doped PT films exhibited an increased surface roughness resulting in a decreased contact angle. However, the thickness of the PT layer was partially decomposed and/or etched with increasing voltage above 40 W.
We have prepared the plasma-polymerized membrane for pervaporation of organic-liquid mixtures by the plasma polymerization technique. Plasma polymerization techniques were utilized in the development of hydrophilic composite membranes having high hydrogen ion permeability and excellent dimensional stability. To develop an organic liquid permselective membrane. suppressing membrane swelling as well as enhancing the solubility difference is important, the objectives of the present study are to design a suitable membrane for an organic-mixture system by the control of the plasma-polymer solubility.
Polymer thin films were prepared by capacitively coupled plasma polymerization process for application of gate insulator. The polymer thin films revealed to form polymer layers with original properties of the monomer. Among the plasma polymer thin films, the styrene polymer having large number of phenyl sites revealed higher dielectric constant of k=3.7 than that of conventional polymer. The plasma polymerized styrene thin film revealed no hysteresis characteristics and low leakage current density of $1{\times}10^{-8}[Acm^{-2}]$ at field strength of $1[MVcm^{-1}]$, which measured by I-V and C-V measurements using MIM and MIS devices.
한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 일렉트렛트 및 응용기술
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pp.177-180
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2002
The purpose of this thesis is to develope buffer materials by the plasma polymerization method. In this article the buffer materials, plasma poly thiophene(PPTh) is used to study the interface of eter/organic in organic light emitting diodes(OLED). The interface of meter/organic materials is the important and critical objectives in development of OLED. The hole transport layer was N,N'-dipheneyl-N, N'bis-(3-methypheneyl)-1,1'dipheneyl-4,4'-diamine (TPD); the host material of mission layer was 8-tris-hydroxyquinoline aluminium (Alq3). When PPTh was inserted between ITO and TPD, emission efficiency increased.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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