승화 성장법으로 성장된 6H-SiC 단결정에 대하여 etching을 행하여 형성된 etch pit의 형상과 결함과의 관계에 대하여 고찰하였다. (0001) 기저면에서는 육각형의 전형적인 etch pit이 형성되었다. micropipe에 의해서도 유사한 형태의 pit이 형성되었으며, 면결함에 형성된 etch pits을 통하여 SiC 결정의 내부에 형성된 planar defects도 성장 결정과 동일한 구조를 가지면서 형성됨을 알 수 있었다.
The effect of carbon content on the shape of WC grains dispersed in the Co-rich matrix during liquid phase sintering of WC-35%Co hard metals has been determined. The shape of WC grains was observed using SEM stereography after removing cobalt matrix with boiling hydrochloric acid solution. The WC grains changed from hexagonal to trigonal prism as the carbon content increased in the two-phase region of(WC + $\beta$ - Co), while the morphology of WC grains changed from trigonal to hexagonal shape as the carbon content decreased. The morphology of WC grains changes reversibly along with carbon loss or carbon pick-up. Morphology change of WC grains is attributed to crystal structure of WC, which has an asymmetric array of carbon atoms. There are two types of prismatic planes having different numbers of broken W-C bonds in WC grains. It is scrutinized that as the carbon content increases, the high energy prism planes grow fast and the crystals change from hexagonal to trigonal shape. On the other hand, when the carbon content decreases, the high energy prism planes are dissolved accompanying split of (100) plane into (101) and (101) planes.
AlN is used a wide variety of applications such as electroacoustic devices, blue diode and metal-insulator-semiconductor structures. AlN thin films were deposited on Si substrates by rf sputter technique with low temperature process. The orientation and morphology of AlN thin films at various power in the range from 150 to 300 w was studied. X-ray diffraction (XRD), full width at half-maximum (FWHM) and field emission scanning electron microscopy were employed to characterize the deposited films. The c-axis orientation along (002) Plane at experimental results was enhanced with the increasing of the rf power from 150 to 300 w and the surface morphology of the films showed a homogeneous and nano-sized microstructure.
In recent years, ZnO nanostructures have drawn considerable attentions for the development of futuristic electronic devices due to their superior structural and optical properties. As the growth of ZnO nanowires by MOCVD is a bottom-up technique, the nature of substrates has a vital role for the dimension and alignment of the nanowires. However, in the pursuit of next generation ZnO based nanodevices, it would be highly preferred if well-ordered ZnO nanowires could be obtained on various substrates like sapphire, silicon, glass etc. Vertically aligned nanowires were grown on A and C-plane sapphire substrates, where as nanopencils were obtained on R-plane sapphire substrates. In addition, C-axis oriented vertical nanowires were also found using an interfacial layer(aluminum nitride film) on silicon substrates. On the other hand, long nanowires were found on Ga-doped ZnO film on glass substrates. Structural and optical properties of the ZnO nanowires on various substrates were also investigated.
Previous HI survey data have shown that the central HI gas in the Milky Way that resides within ~1.5 kpc of the Galactic Centre (GC) is tilted by ${\sim}15^{\circ}$ with respect to the Galactic plane. Although several models, such as a tilted disk model, have been suggested to interpret the observed morphology of the HI layer, it is still unknown what causes and how it preserves its tilted structure. We study the behavior of a gas disk near the GC using an N-body / SPH code. Our galaxy model includes four components; nuclear bulge, bulge, disk and halo. We construct a HI model whose radius is 1.3 kpc, scale height is 100 pc and mass is $3.6{\times}10^6M_{\odot}$. We also assume that the gas disk is initially tilted $30^{\circ}$ with respect to the Galactic plane. Here we report our simulation results and discuss the evolution of the tilted gas disk.
Seo, Joo-Hong;Lee, Sung-Pil;Yoon, Tae-Hoon;Kim, Jae-Chang
Journal of Information Display
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제7권1호
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pp.12-18
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2006
We investigated the horizontal alignment properties such as surface morphology, pretilt angle, and polar and azimuthal anchoring energy of organic alignment material-coated surface treated by ion beam. In this investigation the energy and incident angle of ion beam were changed. We also fabricated an in-plane switching (IPS) cell by ion beam alignment. The results showed similar voltage-transmittance characteristics to those of a rubbed cell and better dark state.
This investigation was carried out in order to find out changes in head postures and in craniofacial morphology, in relation to the inclination of cervical column. For this study 85 subjects, consisting 39 males and 49 females, between the ages of 7 to 24 years old were chosen, and following results were observed after analysing the correlation coefficients between each structures. 1. No definite relationships were observed between the inclination of cervical column (CVT/HOR) and the inclination of anterior cranial base (SN/VER) 2. No definite relationships were observed between the inclination of mandibular ramus (RL/HOR) and the inclination of mandibular inclination (MLP/VER). 3. In subjects with anteriorly inclined cervical column, increase in mandibular plane inclinations (ML/VER) were observed. 4. No definite relationships were observed between the inclination of cervical column (CVT/HOR) and changes in palatal plane (NL/VER).
In conducting systems based on Langmuir - Blodgett (LB) films, tetracyanoquinodimethane(TCNQ) derivatives have been extensively studied as electron acceptor molecules. We have fabricated N-docosyl N'-methyl viologen diTCNQ (DMVT) anion radical LB film and investigated the FT-IR, ESR, and AFM images as the optical, magnetic properties and morphology of the LB film. We have measured in-plane electrical conductivity with number of layers. The in-plane conductivities are approximately $10^{-7}{\sim}10^{-6}\;S/cm$.
The inner crack-like pore with controlled amount of Ca impurity in the high purity alumina single crystal sapphire had been created by micro-fabrication technique which includes ion implanation photo-lithography Ar ion milling and hot press technique. The crack-like pores in two-hour hot pressed specimen were extremely stable even after heat treating at 1,80$0^{\circ}C$ for 5 hours almost no healing was observed. But the crack-like pores in one-hour hot pressed specimen at 1,30$0^{\circ}C$ were healed by heat treatment and the amount of healing was increased with the heat treatment time and temperature and the amount of Ca addition. The edges of crack-like pore parallel to <1100> direction in (001) basal plane were stable but the edges normal to this direction in (00101) plane <1120> direction were unstable to facetting This means that the surface energy of alumina along the <1100> direction in (0001) basal plane in much lower than <1120> direction.
본 논문에서는 보안 시스템에서 사람 인식을 위한 중요한 단서 중의 하나인 사람의 키를 측정하는 알고리즘으로, 이미지 시퀀스에서 사람의 영역을 추출하고 기하학적 정보를 이용해 추출된 사람의 키를 측정하고자 한다. 이를 위해 단일 이동 물체 사람을 대상으로 하여 시퀀스 이미지에서 사람의 움직임 정보를 추출하고, 추출된 영역에서 수직히스토그램 투영을 하여 사람의 중심선을 찾아 머리와 발의 좌표점을 추출한다. 추출된 좌표점들은 소실점과 소실선의 기하학적 해석과 미리 입력한 다른 물체의 기준 높이를 가지고 실세계에서의 사람의 키를 측정하게 된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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