• 한국생산제조학회지
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• 제20권5호
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• pp.623-631
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• 2011

Light emitting diodes (LEDs) which can produce uniform luminescence need a very difficult and complex procedure because LEDs have strong and straight optical property. One of the major parameters for LED production is the determination of the viewing angle. However, in the present, there is still no available production technology to measure LED viewing angle and optical property. In this study, we developed a five-side LED viewing angle and optical property measurement system, having a source meter that uses a high speed switching photo relay instead of a mercury relay. This new measurement system can measure the viewing angle at a very high accuracy of ${\pm}0.66^{\circ}$. This new technology presents a great potential for fast and reliable LED mass production, which can significantly cut down the cost from savings in production time.

• 한국광학회지
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• 제7권1호
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• pp.66-71
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• 1996

Floating guard ring(FGR) 구조를 갖는 avalanche photodiode(APD)는 제작이 매우 간단하고 제작된 소자의 신뢰성이 뛰어나기 때문에 고감도 특성의 고속동작 수광소자로 적합하다. 본 연구논문에서는 FGR APD의 구조설계, 제작공정 및 특성 측정 결과에 대해 논의하였다. FRG-APD는 이중확산 방법으로 제작하였으며 FGR이 가드링으로서 동작함을 2차원 이득특성 측정으로부터 확인할 수 있었다. 제작된 APD는 35GHz의 이득-대역폭 곱을 나타내었으며 2.5Gbps NRZ(Non-return-to-zero) 광신호에 대한 수신감도는 비트오율이 $10^{-9}$일 때 -31.9dBm이었다.

• 센서학회지
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• 제13권2호
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• pp.85-89
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• 2004

This paper represents the development of high sensitivity photo-sensor for the fluorescence detection in the integrated biological analysis system. The finger-type PIN photodiodes were fabricated as the photo-sensor, and had a high sensitivity ($I_{light}/I_{dark}$ = 8720). The interference filter consisted of $TiO_{2}$ and $SiO_{2}$ was directly deposited on the photodiodes. Deposited filter with 95.5% reflection under 532 nm and 98% transmission over 580 nm exceedingly decreased the magnitude of background signal in the detection. The PDMS micro-fluidic channels are bonded on the photodiode by $O_{2}$ plasma treatment. The detection current was proportional to two primary parameters (light intensity, concentration), and the on-chip detection system could detect fluorescence signals down to 100 nM concentration (LOD = Limit of detection of rhodamine).

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권9호
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• pp.56-64
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• 1992

Because of a small bandgap energy, a high doping density, and a low operating temperature, the dark current in HgCdTe photodiode is almost composed of a tunneling current. The tunneling current is devided into an indirect tunneling current via traps and a band-to-band direct tunneling current. The indirect tunneling current dominates the dark current for a relatively high temperature and a low reverse bias and forward bias. For a low temperature and a high reverse bias the direct tunneling current dominates. In this paper, to verify the tunneling currents in HgCdTe photodiode, the new tunneling-recombination equation via trap is introduced and tunneling-recombination current is calculated. The new tunneling-recombination equation via trap have the same form as SRH (Shockley-Read-Hall) generation-recombination equation and the tunneling effect is included in recombination times in this equation. Chakrabory and Biswas's equation being introduced, band to band direct tunneling current are calculated. By using these equations, HgCdTe (mole fraction, 0.29 and 0.222) photodiodes are analyzed. Then the temperature dependence of the tunneling-recombination current via trap and band to band direct tunneling current are shown and it can be known what is dominant current according to the applied bias at athe special temperature.

• 센서학회지
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• 제19권4호
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• pp.285-290
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• 2010

In this paper, a dynamic range(DR) extension technique based on a 3-transistor active pixel sensor(APS) and dual image sampling is proposed. The feature of the proposed APS is that the APS uses two or more photodiodes with different sensitivities, such as a high-sensitivity photodiode and a low-sensitivity photodiode. Compared with previously proposed wide DR(WDR) APS, the proposed approach has several advantages, such as no-external equipments or signal processing, no-additional time-requirement for additional charge accumulation, simple operation and adjustable DR extension by controlling parasitic capacitance and sensitivity of two photodiodes. Approximately 16 dB of DR extension was evaluated from the simulation for the situation of 10 times of sensitivity difference and the same size of parasitic capacitance between those two photodiodes.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제14권3호
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• pp.7-13
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• 2007

광통신용 광모듈에서 광소자와 광섬유 또는 도파로를 정밀하게 정렬 및 접합하기 위하여 플립칩본딩 방법 이 널리 이용되고 있다. 이때 광소자를 정확한 위치에 정렬시키기 위하여 기판과 광소자 양쪽에 정렬용 마크를 제작하고 플립칩본더 등을 사용하여 정렬마크를 관찰하며 광소자를 정렬 및 본딩하게 된다. 본 연구에서는 이러한 정렬마크의 제작비용을 줄이고 광섬유와 수광소자(PD 칩)의 수동정렬을 용이하게 하기 위하여 He-Ne 레이저(파장 633nm)인 가시광을 이용한 정렬 및 플립칩본딩 방법을 연구하였다. 광섬유에서 방출되는 레이저 광을 육안으로 관찰하면서 수광소자를 정렬하므로써 패키징에 소요되는 시간과 경비를 절감하고 광모듈의 저가격화를 실현 할 수 있는 새로운 방법이다. 광섬유에 가공되어 있는 V-노치를 경유하여 가시광이 광섬유에 대해 직각방향으로 방출되고 이것을 수광소자와 정렬하는 방법이다. 본 연구결과 광정렬을 위해 입사된 633 nm파장의 가시광 레이저와 통신용 레이저인 1550 nm 파장사이의 파장 차이에 의한 광경로 차이는 약 4m으로 무시가능하고 최대 광세기 지점에서 ${\pm}20\;{\mu}m$ 범위내에서는 광결합효율 변화는 약 2%이었으며 최대 광결합효율은 약 23.3%이었다.

• 한국식품과학회지
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• 제31권1호
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• pp.30-35
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• 1999

기존의 PC나 TLC에 의한 타르색소의 정성은 많은 시간이 소요되고 회수율이 낮아 혼합색소의 경우 주 색소만이 검출되는 단점이 있고, 많은 표준용액이 동시에 전개되어질 수 없다는 단점이 있어 분 실험에서는 Polyamide와 Photodiode array 검출기가 장착된 HPLC를 이용하여 타르색소의 추출, 정제 및 정량을 여러 각도로 검토하여 정량분석의 최적 조건을 확립하였다. 검출 파장은 각 타르색소마다 고유의 최대흡수부가 있으나 동시분석을 위해서는 254 nm의 파장에서 가장 광범위한 타르색소의 검출이 가능하였으며 적색 계통은 $520{\sim}540\;nm$, 청색이나 녹색계통은 620 nm에서 최소검출한계가 낮음을 알 수 있었다. 따라서 타르색소의 분석에는 photodiode array detector가 장착된 HPLC를 이용함으로써 220 nm에서 800 nm까지의 넓은 영역의 파장에 걸쳐 일시에 분석하므로서 시간 절약과 함께 타르색소 피크마다 3차원 스펙트럼을 제공함으로서 실험의 정확도를 높일 수 있었다. 한편 Polyamide column을 사용하였을 때의 회수율을 측정한 결과 청색 1호가 가장 낮은 94.4%를 보였으며, 전체적으로 100% 부근의 아주 높은 만족할만한 회수율을 얻었다. 타르색소를 사용한 국내산 빙과류, 캔디류, 청량음료류를 시료로 하여 타르색소의 정량을 시도한 결과 허용의 타르색소는 검출되지 않았으며, 주로 적색 계통의 적색 2호와 40호가, 황색계통의 황색 4호, 5호가 많이 사용되고 있음을 알 수 있었고 타르색소의 사용량도 200 ppm을 초과하는 것은 발견되지 않았다. 한편 녹색은 황색 4호에 청색 1호를, 보라색은 적색과 청색을 혼합한 혼합색소를 사용되어지고 있는 것을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제18권6호
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• pp.1407-1412
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• 2014

근적외선 파장대역 850 nm ~ 1000 nm에서 레이저를 검출하기 위해 포토다이오드의 분광감응도를 향상시키고자 본 논문에서 실리콘 기반 고감도 PIN 포토 다이오드를 제작하고 전기적 및 광학적 특성을 분석하였다. 제작된 소자는 TO-18형으로 패키징 하였고 포토다이오드의 전기적 특성으로 역 바이어스 전압이 5V일 때 암전류는 Anode 1과 Anode 2는 약 0.055 nA 의 값을 나타내었으며 정전용약은 0V 일 때 1 kHz 주파수 대역에서 약 19.5 pF, 200 kHz 주파수 대역에서 약 19.8 pF의 적은 정전용약을 나타내었다. 또한 출력신호의 상승시간은 10 V의 전압일 때 약 30 ns의 고속 응답특성을 확인하였다. 광학적 특성 분석으로는 880 nm에서 최대 0.66 A/W의 분광감응도 값을 나타내었고 1000 nm에서는 0.45 A/W로 비교적 우수한 분광감응도를 나타내었다.

• 센서학회지
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• 제8권3호
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• pp.239-246
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• 1999

MOCVD로 성장된 p-i-n 구조의 InSb 웨이퍼를 이용하여 $3{\sim}5\;{\mu}m$ 영역의 적외선을 감지할 수 는 고감도 광기전력 형태의 적외선 광다이오드를 제조하였다. InSb는 녹는점과 표면원자들의 증발온도가 낮기 때문에 광다이오드의 접합계면과 표면의 절연보호막으로 $SiO_2$ 박막을 원격 PECVD를 이용하여 성장시켰다. 광다이오드의 저항성 접촉을 위해 In을 증착하였고 77K의 암상태에서 전류-전압 특성을 조사하였다. 영전위 저항과 수광면적의 적($R_0A$)이 $1.56{\times}10^6\;{\Omega}{\cdot}cm^2$의 높은 값을 가졌는데 이는 BLIP 조건을 만족하는 높은 값이었다. InSb 광다이오드에 적외선을 입사 했을때 $10^{11}\;cm{\cdot}Hz^{1/2}{\cdot}W^{-1}$의 매우 높은 정규화된 검지도를 나타내었다. 높은 양자효율과 검지도로 인해 제조된 InSb 적외선 단위 셀을 적외선 array에 그 적용이 가능할 것으로 보인다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.683-683
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• 2004