• The Korean Journal of Ceramics
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• 제2권1호
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• pp.11-18
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• 1996

The variation of electrical conductively and Seebeck coefficient of FeSi2 according to the density of the specimen has been observed over the temperature range 50 to $700^{\circ}C$. A conventional pressureless sintering method with various sintering time (0, 0.5, 1, 5h) at $1190^{\circ}C$ and/or various sintering temperatures(1160, 1175, 1190, $1200^{\circ}C$) for 2 h was carried out to prepare $FeSi_2$ specimens having various densities. The relationship between the electrical conductivity and Seebeck coefficient was investigated after two steps of annealing (at $865^{\circ}C$ and then $800^{\circ}C$ for total 160h) and thermoelectric measurement. The electrical conductivity for the specimens showed a typical tendency of semiconductor, the average activation energy of which in the intrinsic region (above $300^{\circ}C$) was observed approximately as 0.452 eV, and increased slightly with density. On the other hand, the specimen of the lower density showed the higher value of Seebeck coefficient in the intrinsic region. As the temperature fell into the non-degenerate region, the highly densified specimen which had relatively little residual metal phase showed the higher value of Seeback coefficient. The power factor of all specimens showed the optimum value at $200^{\circ}C$. However, the power factor of the specimen of the lower density increased again from $400^{\circ}C$ and that of the higher dense specimen increased from $500^{\circ}C$. The power factor was more affected by Seebeck coefficient than electrical conductivity over all temperature range.

• 한국결정성장학회지
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• 제27권5호
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• pp.243-248
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• 2017

본 연구에서는 산화주석(IV) 첨가량을 달리하여 동화유약 시편을 제조하고 발색기구를 분석하기 위하여 분광 분석, 결정상 분석, 미세구조 분석을 실시하여 색상과의 상관성을 분석하였다. 산화주석(VI) 첨가량이 증가함에 따라 동화유약의 붉은색은 사라지고 CIEab 값이 감소하여 무채색으로 발색하였다. 산화주석은 유약층에 고르게 분포하여 Cu nuclei가 성장하여 붉은색으로 발색하는 것을 방해하고 기포 주변의 metal Cu와 반응하여 합금을 형성하였다. 이로 인해 산화주석 첨가량이 증가함에 따라 금속 Cu 피크는 사라지고 미세한 $Cu_2O$ 피크만 남게 된다. 산화주석을 3.79 % 첨가하였을 때는 유약에 붉은색을 내는 $Cu_2O$보다 검정색을 나타내는 CuO와 Cassiterite $SnO_2$가 색상에 더 영향을 미치는 것으로 보여진다.

• 전력전자학회논문지
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• 제6권4호
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• pp.333-340
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• 2001

본 연구는 SRM의 토크 특성해석과 구동에 필요한 인덕턴스의 산정에 관한 연구이다. SRM의 토크 특성은 인덕턴스 와 전류의 변화로서 나타 낼수 있으나, 자기회로의 비선형적인 특성으로 정확한 인덕턴스 산정은 어려움이 있다. 최근에는 인덕턴스 산정을 위하여 FEM해식이나 피팅계수법이 많이 적용되고 있다. 그러나 FEM에 의한 방법은 많은 시간이 소요되며 구조변경에 따라 재해석이 요구되어진다. 피팅 계수법에 의한 방법은 측정된 인덕턴스에 의해 추정되는 값임으로 초기의 측정이나 해석에는 어려움이 따른다. 본 논문에서는 설계시 얻어지는 간단한 기계구도의 치수를 이용하여 계산에 의한 인덕턴스를 산정하는 간단한 기계구조의 치수를 이용하여 계산에 의한 인덕턴스를 산정하는 간단한 모델과 방법을 제시하였다. 제시된 산정방법의 검증을 위하여 연구 제작된 1[Hp]전동기에 적용하여 FEM해석과 측정에 의한 방법을 각각 비교 검토하였다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제19권6호
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• pp.490-497
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• 2008

For continuous operation of the sulfur-iodine(SI) thermochemical cycle, which is expected practical method for massive hydrogen production, suggesting operation conditions at steady state is very important. Especially, in the Bunsen reaction section, the Bunsen reaction as well as side reactions is occurring simultaneously. Therefore, we studied on the relation between the variation of compositions in product solution and side reactions. The experiments for Bunsen reaction were carried out in the temperature range, from 268 to 353 K, and in the $I_2/H_2O$ molar ratio of $0.094{\sim}0.297$ under a continuous flow of $SO_2$ gas. As the result, sulfur formed predominantly with increasing temperature and decreasing $I_2/H_2O$ molar ratios. The molar ratios of $H_2O/H_2SO_4$ and $HI/H_2SO_4$ in global system were decreased as the more side reaction occurred. A side reactions did not appear at $I_2/H_2O$ molar ratios, saturated with $I_2$, irrespective of the temperature change. We concluded that it caused by the increasing stability of an $I_{2x}H^+$ complex and a steric hindrance with increasing $I_2/HI$ molar ratios.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.229-236
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• 1998

Ferroelectric $Sr_xBi_yTa_2O_{9+\alpha}$/(0.7$\leqSr\leq1.0,\; 2.0\leqBi\leq2.6)$ solutions were prepared by MOD (Metalorganic Deposition) process. These solutions were made into thin films with thickness ranging from 1500~2000${\AA}$ by spin coating. The phase transformation of the SBT thin films by variation of annealing temperature and annealing time were observed using high temperature XRD and SEM. The crystallization and grain growth of SBT thin film were accomplished at $800^{\circ}C$ for 30 minutes after deposition of Pt top electrode by sputtering to prevent electrical breakdown. Ferroelectric properties of the SBT thin films were measured in the range of $\pm$3V\; and\; \pm5V$. The specimen with composition ratio of Sr/Bi/Ta (0.8/2.4/2.0) has the excellent ferroelectric properties ; $2P_r = 10.5,\; 13.2\muC/cm^2 \;at\; \pm3V\; and\; \pm5V$ respectively. Observing the post annealed Pt/SBT/Pt interface by SEM, it was found that Pt electrode sputtered on to the SBT thin film penetrated into the hollow on the SBT thin film, thus decreasing the effective insulation thickness. The effective insulation thickness recovered by post annealing, and this was confirmed by leakage current density measurement.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권12호
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• pp.1320-1325
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• 2004

In this study, in order to develop the low temperature sintering ceramics for multilayer piezoelectric transformer, PCW-PMN-PZT ceramics added with Li$_2$CO$_3$, Bi$_2$O$_3$ and CuO as sintering aids were manufactured, and their microstructural, dielectric and piezoelectric properties were investigated. When the only CuO was added, specimens could not be sintered below 98$0^{\circ}C$. However, when Li$_2$CO$_3$ and Bi$_2$O$_3$ were added, specimens could be sintered below 98$0^{\circ}C$. Li$_2$CO$_3$ and Bi$_2$O$_3$ addition were proved to lower sintering temperature of piezoelectric ceramics due to the effect of Li$_2$O-Bi$_2$O$_3$ liquid phase. Li$_2$CO$_3$ and Bi$_2$O$_3$ added specimens showed higher piezoelectric properties than those of the only CuO added specimens. At 0.2 wt% Li$_2$CO$_3$ and 0.3 wt% Bi$_2$O$_3$ added specimen sintered at 92$0^{\circ}C$, the dielectric constant of 1457, electromechanical coupling factor of 0.56 and mechanical quality factor of 1000 were shown, respectively. These values are suitable for multilayer piezoelectric transformer application.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권2호
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• pp.132-138
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• 2003

출발물질의 종류와 몰비 혼합 방법, 숙성, 결정화 온도와 결정화 시간 등 제올라이트 입자를 합성하는 조건이 FAU 형 제올라이트의 입자크기에 미치는 영향을 연구하였다. 동일한 출발물질이라도 혼합 경로에 따라 생성물의 결정상이 달랐다. 일반적으로 숙성과정을 거친 경우, 특히 숙성온도가 낮은 쪽이 입자 크기가 작았다. 2단계의 혼합겔 제조 방법을 거치는 경우 결정화 기간은 크게 단축되고 입자 크기도 작아졌으나. 1단계에서 제조된 2종의 혼합겔을 모두 숙성하지 않는 경우에는 결정화 시간은 단축되지만, 입자크기는 작아지지 않았다. 액상규산나트륨과 알루민산나트륨, 수산화나트륨을 출발물질로 하여. 저농도와 고농도의 혼합겔을 1차 제조하고, 이 혼합겔을 각각 숙성하고 다시 혼합하여 숙성하는 방법으로 결정화 시간을 단축하고 평균입경 0.4$\mu$m. 비표면적 838 $m^2$/g의 우수한 특성을 가지는 FAU혈 제올라이트를 합성하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제30권7호
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• pp.427-431
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• 2017

In this paper, we discuss ${\beta}-Ga_2O_3$ thin films that have been grown on freestanding GaN (FS-GaN) using furnace oxidation. A GaN template was grown by horizontalhydride vapor phase epitaxy (HVPE), and FS-GaN was fabricated using the laser lift off (LLO) system. To obtain ${\beta}-Ga_2O_3$ thin film, FS-GaN was oxidized at $900{\sim}1,100^{\circ}C$. Surface and cross-section of prepared ${\beta}-Ga_2O_3$ thin films were observed by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM). The single crystal FS-GaNs were changed to poly-crystal ${\beta}-Ga_2O_3$. The oxidized ${\beta}-Ga_2O_3$ thin film at $1,100^{\circ}C$ was peel off from FS-GaN. Next, oxidation of FS-GaNwas investigated for 0.5~12 hours with variation of the oxidation time. The thicknesses of ${\beta}-Ga_2O_3$ thin films were measured from 100 nm to 1,200 nm. Moreover, the 2-theta XRD result indicated that (-201), (-402), and (-603) peaks were confirmed. The intensity of peaks was increased with increased oxidation time. The ${\beta}-Ga_2O_3$ thin film was generated to oxidize FS-GaN.

• 한국과학교육학회지
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• 제35권3호
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• pp.465-475
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• 2015

본 연구의 목적은 과학과 국가수준 학업성취도 평가에서 물리의 광학 영역 문항의 평가 결과를 분석하고 답지 반응률 분포 곡선을 활용하여 중학생들의 반응 특성을 분석하는 것이다. 이를 위해서 2010년부터 2013년까지 중학생들을 대상으로 시행된 과학과 국가수준 학업성취도 평가의 물리 문항 중 광학 영역에 해당되는 10개 문항을 분석하였다. 분석 결과는 다음과 같다. 첫째, 학생들의 '광학' 영역의 성취수준은 다른 영역(역학, 전자기학)에 비해서는 높았다. 둘째, '빛' 영역에서 '상의 형성'과 관련되어 학생들이 낮은 성취수준을 보였으며, '파동' 영역에서는 '파동의 전파에서 위상의 변화'와 관련되어 낮은 성취수준을 나타내었다. 셋째, 학생들은 상황 의존적인 문제풀이 전략 및 결과를 보이고 있었다. 연구 결과를 바탕으로 광학 개념에 대한 교육과정 수준의 재검토, 기초학력 단계 학생들에 대한 추가적인 교수학습의 필요성, 실제적인 현상 및 상황 중심의 교수학습의 필요성 등의 제언을 논의하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권9호
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• pp.666-672
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• 2003

본 논문에서는 광의 결합 메커니즘이 다른 ITG(integrated-twin-guide) 와 BT(butt coupled) 구조를 가지는 두 종류의 파장 가변 DBR-LD의 제작공정과 성능에 대해서 기술하였다. 두 종류의 DBR-LD는 PBH(planar buried heterostructure) 구조론 가지며, MOVPE 성장으로 제작하였다. 제작된 DBR-LD 광출력 특성을 측정한 결과 BT-DBR-LD가 ITG-DBR-LD보다 임계전류 변화폭, 광출력 변화 폭, 기울기 효율에서 2배 이상의 우수한 특성을 나타내었다. 그리고, 준 연속 파장 가변 특성은 BT-DBR-LD가 7.2nm, ITG-DBR-LD가 7.4nm 이며, SMSR이 35dB 이상으로 우수하게 나타났다. 이와 같이 BT DBR-LD가 특성이 우수한 것은 BT 구조가 ITG 구조보다 높은 결합 효율을 나타내기 때문이다.