Park, Sun-Kyung;Min, Kyung-Chul;Lee, Choong-Keun;Hong, Soon-Kang;Kim, Yun-Soo;Lee, Nam-Soo
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.30
no.11
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pp.2595-2602
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2009
Hexamer cluster of N,N-dimethylformamide(DMF) based on the crystal structure was investigated for the equilibrium structure, the stabilization energies, and the vibrational properties in the density functional force field. The geometry (point group $C_i$) of fully optimized hexamer clustered DMF shows quite close similarity to the crystal structure weakly intermolecular hydrogen bonded each other. Stretching force constants for intermolecular hydrogen bonded methyl and formyl hydrogen atoms with nearby oxygen atom, methyl C–H${\cdots}$O and formyl C–H${\cdots}$O, were obtained in 0.055 $\sim$ 0.11 and $\sim$ 0.081 mdyn/$\AA$, respectively. In-plane bending force constants for hydrogen bonded methyl hydrogen atoms were in 0.25 $\sim$ 0.33, and for formyl hydrogen $\sim$ 0.55 mdynÅ. Torsion force constants through hydrogen bonding for methyl hydrogen atoms were in 0.038 $\sim$ 0.089, and for formyl hydrogen atom $\sim$ 0.095 mdynÅ. Calculated Raman and infrared spectral features of single and hexamer cluster represent well the experimental spectra of DMF obtained in the liquid state. Noncoincidence between IR and Raman frequency positions of stretching C=O, formyl C–H and other several modes was interpreted in terms of the intermolecular vibrational coupling in the condensed phase.
International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
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v.13
no.1
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pp.47-53
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2021
Gait kinematics and kinetics have a similar tendency between men and women, yet it remains unclear how walking while carrying a load affects the gait mechanism. Twenty adults walked with preferred velocity on level ground of 20 m relative to change of a load carriage (no load, 15%, 30% of the body weights) aimed to observe gait mechanism. We measured gait posture using the three-dimensional image analysis and ground reaction force system during stance phase on left foot. In main effect of gender difference, men showed increased displacement of center of gravity (COG) compared to women, and it showed more extended joint angle of hip and knee in sagittal plane. In main effect of a load difference, knee joint showed more flexed postuel relative to increase of load carriage. In main effect of load difference on the kinetic variables, medial-lateral force, anterior-posterior force (1st breaking, 2nd propulsive), vertical force, center of pressure (COP) area, leg stiffness, and whole body stiffness showed more increased values relative to increase of load carriage. Also, men showed more increased COP area compared to women. Interaction showed in the 1st anterior-posterior force, and as a result of one-way variance analysis, it was found that a load main effect had a greater influence on the increase in the magnitude of the braking force than the gender. The data in this study explains that women require little kinematic alteration compared to men, while men in more stiff posture accommodate an added load compared to women during gait. Additionally, it suggests that dynamic stability is maintained by adopting different gait strategies relative to gender and load difference.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.9
no.1
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pp.16-22
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2008
We fabricated thermally-evaporated 10 nm-Ni/30 nm and 70 nm Poly-Si/200 nm-$SiO_2/Si$ structures to investigate the thermal stability of nickel silicides formed by rapid thermal annealing(RTA) of the temperature of $300{\sim}1100^{\circ}C$ for 40 seconds. We employed for a four-point tester, field emission scanning electron microscope(FE-SEM), transmission electron microscope(TEM), high resolution X-ray diffraction(HRIXRD), and scanning probe microscope(SPM) in order to examine the sheet resistance, in-plane microstructure, cross-sectional microstructure evolution, phase transformation, and surface roughness, respectively. The silicide on 30 nm polysilicon substrate was stable at temperature up to $900^{\circ}C$, while the one on 70 nm substrate showed the conventional $NiSi_2$ transformation temperature of $700^{\circ}C$. The HRXRD result also supported the existence of NiSi-phase up to $900^{\circ}C$ for the Ni silicide on the 30 nm polysilicon substrate. FE-SEM and TEM confirmed that 40 nm thick uniform silicide layer and island-like agglomerated silicide phase of $1{\mu}m$ pitch without residual polysilicon were formed on 30 nm polysilicon substrate at $700^{\circ}C\;and\;1000^{\circ}C$, respectively. All silicides were nonuniform and formed on top of the residual polysilicon for 70 nm polysilicon substrates. Through SPM analysis, we confirmed the surface roughness was below 17 nm, which implied the advantage on FUSI gate of CMOS process. Our results imply that we may tune the thermal stability of nickel monosilicide by reducing the height of polysilicon gate.
Park, Tae-Eon;Hwang, Jun Yeon;Lim, Jin Seong;Yun, Young-Hoon
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.26
no.5
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pp.188-192
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2016
In this work, the SiC powders were synthesized through the carbonized matter from the mixture of silica powder and rice husks. The SiC powders, obtained from the carbothermal reduction reaction of silica and carbonized rice husks, were investigated by XRD patterns, XPS, FE-SEM and FE-TEM. In the XRD patterns, the specimens showed clearly very high strong peak of (111) plane near $35^{\circ}$ as well as weak (220) and (311) peak respectively at approximately $60^{\circ}$ and $72^{\circ}$. Under Ar atmosphere, the power synthesized from the mixture (in case of mixing ratio, 6 : 4) of carbonized rice husks and silica showed mainly cubic SiC crystalline phase showing relatively lower ratio of hexagonal phase without residual carbon in XRD pattern. In the TEM analysis, the specimen, synthesized from carbonized rice husks and silica with mixing ratio of 6 : 4 under Ar atmosphere, showed relatively fine particles under $5{\mu}m$ and a crystalline SiC phase of (100) diffraction pattern.
KSCE Journal of Civil and Environmental Engineering Research
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v.5
no.3
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pp.49-59
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1985
Formulation of the geometric optimization for truss structures based on the elasticity theory turn out to be the nonlinear programming problem which has to deal with the Cross sectional area of the member and the coordinates of its nodes simultaneously. A few techniques have been proposed and adopted for the analysis of this nonlinear programming problem for the time being. These techniques, however, bear some limitations on truss shapes loading conditions and design criteria for the practical application to real structures. A generalized algorithm for the geometric optimization of the truss structures which can eliminate the above mentioned limitations, is developed in this study. The algorithm developed utilizes the two-phases technique. In the first phase, the cross sectional area of the truss member is optimized by transforming the nonlinear problem into SUMT, and solving SUMT utilizing the modified Newton-Raphson method. In the second phase, the geometric shape is optimized utilizing the unidirctional search technique of the Rosenbrock method which make it possible to minimize only the objective function. The algorithm developed in this study is numerically tested for several truss structures with various shapes, loading conditions and design criteria, and compared with the results of the other algorithms to examme its applicability and stability. The numerical comparisons show that the two-phases algorithm developed in this study is safely applicable to any design criteria, and the convergency rate is very fast and stable compared with other iteration methods for the geometric optimization of truss structures.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.31
no.2
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pp.73-77
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2021
Ga-doped ZnO thin films by RF magnetron sputtering process were synthesized according to the deposition conditions of O2 and Ar atmosphere gases, and rapid heat treatment (RTA) was performed at 600℃ in an N2 atmosphere. The thickness of the deposited ZnO : Ga thin film was measured, the crystal phase was investigated by XRD pattern analysis, and the microstructure of the thin film was observed by FE-SEM and AFM images. The intensity of the (002) plane of the X-ray diffraction pattern showed a significant difference depending on the deposition conditions of the thin films formed by O2 and Ar atmosphere gas types. In the case of a single thin f ilm doped with Ga under O2 conditions, a strong diffraction peak was observed. Under O2 and Ar conditions, in the case of a multilayer thin film with Ga doping, only a peak on the (002) plane with a somewhat weak intensity was shown. In the FE-SEM image, it was observed that the grain size of the surface of the thin film slightly increased as the thickness increased. In the case of a multilayer thin film with Ga doping under O2 and Ar atmosphere conditions, the specific resistance was 6.4 × 10-4 Ω·cm. In the case of a single thin film with Ga doping under O2 atmosphere conditions, the resistance of the thin film decreased. The resistance decreased as the thickness of the Ga-doped ZnO thin film increased to 2 ㎛, showing relatively a low specific resistance of 1.0 × 10-3 Ω·cm.
The Kyemyeongsan area of Chungju in the NE part of the Ogcheon metamorphic zone, Koera, consists mainly of the Ogcheon Supergroup(Taehyangsan Quartzite, Hyangsanri Dolomite and Kyemyeogsan Formation) and the MeSozoic Chungju granite. The Kyemyeongsan Formation is composed mainly of metamorphic rocks of various grades derived from conglomeratic, basic, acidic, pelitic and psammitic rocks. The basic and acidic rocks show alternated or interfingered appearence, indicating that they were derived form bimodal type of magmatism in rift environment. Conglomeratic rocks overlie acidic volcanic rocks in geneal, but are underlain by both acidic plutonic and volcanic rocks. This indicaties that the acidic magmatism before the formation of conglomeratic rocks was different from that during or after the formation of conglomeratic rocks in its occurrence mode. The geological structure of the Ogcheon metamorphic zone in the Kyemyeongsan area, Chungju was formed at least by three phases of deormation. The first phase deformation(D1) formed a regional-scale sheath-type fold(F1) closed into the east. Its axial phane(S1) strikes NNW to NW and dips WSW to SW. The stetching lineation(L1), related to the sheath-type fold, plunges westward. The second phase deformation (D2) formed asymmetric fold(F2) of ESE-to SE-vergence with NNE to NE striking axial plane(S2) and $20~45^{\circ}/210~230^{\circ}$ plunging axis(L2). The F2 fold reoriented the original westward plunging L1 into northwestward plunging L1 in its lower limb(overturned limb). The third phase of deformation(D3) was recognized as chevron-type fold(F3) with $45^{\circ}/265$^{\circ}$ plunging axis. The F3 fold was formed by the compression of N-S direction, resulting in the reorientation of the original $20-45^{\circ}/210~230^{\circ}$ plunging L2 into mainly $35~45^{\circ}/260~280^{\circ}$ and subsidiarily $30~45^{\circ}/135~165^{\circ}$ plunging L2. After this deformation, open fold with NS striking and steeply E or W dipping axial plane is formed by the compression of E-W direction.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.34
no.4
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pp.109-116
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2024
β-Ga2O3 is a representative ultra-wide bandgap (UWBG) semiconductor that has attracted much attention for power device applications due to its wide-bandgap of 4.9 eV and high-breakdown voltage of 8 MV/cm. In addition, because solution growth is possible, it has advantages such as fast growth rate and lower production cost compared to SiC and GaN [1-2]. In this study, we have successfully grown Si-doped 10 mm thick Si-doped β-Ga2O3 single crystals by the EFG (Edge-defined Film-fed Growth) method. The growth direction and growth principal plane were set to [010] / (010), respectively, and the growth speed was 7~20 mm/h. The as-grown β-Ga2O3 single crystal was cut into various crystal planes (001, 100, ${\bar{2}}01$) and off-angles (1o, 3o, 4o), and then surface processed. After processed, the homoepitaxial layer was grown on the epi-ready substrate using the HVPE (Halide vapor phase epitaxy) method. The processed samples and the epi-layer grown samples were analyzed by XRD, AFM, OM, and Etching to compare the surface properties according to the crystal plane and off-angle.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.178-178
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2008
ZnO 바리스터는 인가되는 전압에 따라 저항이 변하는 전압 의존형 저항체이며 각종 전기 전자 정보통신용 제품에 정전기(ESD) 대책용 소자로 폭 넓게 사용되는 전자 세라믹스 부품이다. 특별히 Bi-based ZnO 바리스터는 다양한 상(phase)으로 구성되어 있으며 그 입계의 전기적 특성은 소량 첨가되는 dopant의 종류에 따라 다양하게 변하는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 Bi-based ZnO 바리스터 (ZnO-$Bi_2O_3$, ZnO-$Bi_2O_3-Mn_3O_4$)에서 각종 유전함수$(Z^*,M^*,\varepsilon^*,Y^*,tan{\delta})$를 이용하여 입계의 주파수-온도에 대한 특성을 살펴 보았다. 일반적인 ZnO 바리스터 제조법으로 시편을 제작하여 78K~800K 온도 범위에서 각종 유전함수를 이용하여 복소 평면도(complex plane plot)와 주파수 응답도(frequency explicit plot)의 방법으로 defect level과 입계 특성(활성화 에너지, 정전용량, 저항, 입계 안정성 등)에 대하여 고찰하였다. ZnO-$Bi_2O_3$(ZB)계와 ZnO-$Bi_2O_3-Mn_3O_4$(ZBM)계 모두 상온 이하의 온도에서 $Zn_i$와 $V_o$의 결함이 나타났으며, 이들의 결함 준위는 각 유전함수에 따라 다소 차이가 났다. 입계 특성으로 ZB계는 이상구간(560~660K)을 전후로 1.15 eV $\rightarrow$ 1.49 eV의 활성화 에너지의 변화가 나타났지만, ZBM계는 이러한 현상이 나타나지 않았다. 또한 입계 전위 장벽의 온도 안정성에 대해서는 Cole-Cole model을 적용하여 분포 파라미터 (distribution parameter; $\alpha$)를 구하여 고찰하였다. ZB계의 입계 안정성은 온도에 따라 불안정해 졌지만, ZBM계는 안정하였다.
Cavallaro, Rauno;Iannelli, Andrea;Demasi, Luciano;Razon, Alan M.
Advances in aircraft and spacecraft science
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v.2
no.2
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pp.125-168
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2015
Dynamic aeroelastic behavior of structurally nonlinear Joined Wings is presented. Three configurations, two characterized by a different location of the joint and one presenting a direct connection between the two wings (SensorCraft-like layout) are investigated. The snap-divergence is studied from a dynamic perspective in order to assess the real response of the configuration. The investigations also focus on the flutter occurrence (critical state) and postcritical phenomena. Limit Cycle Oscillations (LCOs) are observed, possibly followed by a loss of periodicity of the solution as speed is further increased. In some cases, it is also possible to ascertain the presence of period doubling (flip-) bifurcations. Differences between flutter (Hopf's bifurcation) speed evaluated with linear and nonlinear analyses are discussed in depth in order to understand if a linear (and thus computationally less intense) representation provides an acceptable estimate of the instability properties. Both frequency- and time-domain approaches are compared. Moreover, aerodynamic solvers based on the potential flow are critically examined. In particular, it is assessed in what measure more sophisticated aerodynamic and interface models impact the aeroelastic predictions. When the use of the tools gives different results, a physical interpretation of the leading mechanism generating the mismatch is provided. In particular, for PrandtlPlane-like configurations the aeroelastic response is very sensitive to the wake's shape. As a consequence, it is suggested that a more sophisticate modeling of the wake positively impacts the reliability of aerodynamic and aeroelastic analysis. For SensorCraft-like configurations some LCOs are characterized by a non-synchronous motion of the inner and outer portion of the lower wing: the wing's tip exhibits a small oscillation during the descending or ascending phase, whereas the mid-span station describes a sinusoidal-like trajectory in the time-domain.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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