• 한국자기학회지
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• 제9권6호
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• pp.301-305
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• 1999

보자력의 차이는 나타내는 NiFe(60$\AA$)/Co(5$\AA$) 두 자성층으로 구성된 NiFe(60$\AA$)/Co(5$\AA$)/Cu(40~60$\AA$)/Co(30$\AA$) 스핀밸브 박막을 일반적인 사진식각 공정을 사용하여 $\mu\textrm{m}$크기의 자기저항 메모리 셀로 패턴하고, 형상자기이방성이 자기저항 메모리 셀의 스위칭 특성에 미치는 영향에 대해 연구하였다. 자기저항 메모리 셀의 출력 및 스위칭 특성은 셀의 크기에 따라 1mA의 일정한 전류와 30 Oe 이내의 스위칭 자장에서 수 ~ 수십 mV의 출력 전압을 나타내었다. 특히, NiFe/Co/Cu/Co 스핀밸브 박막의 증착시 기판에 의해 유도된 결정성에 의한 일축자기이방성과 스핀밸브 박막을 직사각형 형태의 셀로 패턴할 때 부가되는 형상자기이방성의 크기 및 방향을 적절히 조절함으로써, 메모리 셀을 구성하는 NiFe/Co 층의 스위칭 자장을 약 1/3로 감소시킬 수 있었으며, 이는 자기저항 메모리 셀의 크기가 서브마이크론 범위로 감소될 때 발생하는 스위칭 자장의 증가 문제를 해결하는 데 도움이 될 것으로 사료된다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제8권4호
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• pp.821-825
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• 2004

본 연구는 에치스토퍼를 기존의 방식과 다르게 적용하여 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정을 단순화하고, 박막 트랜지스터의 게이트와 소오스-드레인간의 기생용량을 줄인다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층 , 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 n+a-Si：H 층 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성시킨다. 상부 게이트 전극과 반대의 패턴으로 NPR층을 패터닝하여 그것을 마스크로 상부 n+a-Si：H 층을 식각하고, 남아있는 NPR층을 제거한다. 그 위에 Cr층을 증착한 후 패터닝하여 소오스-드레인 전극을 위한 Cr층을 형성시켜 박막 트랜지스터를 제조한다. 이렇게 제조하면 기존의 박막 트랜지스터에 비하여 특성은 같고, 제조공정은 줄어들며, 또한 게이트와 소오스-드레인간의 기생용량이 줄어들어 동작속도를 개선시킬 수 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제13권7호
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• pp.1393-1398
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• 2009

본 연구는 LCD용 비정질 실리콘박막트랜지스터의 제조공정중 가장 중요한 식각 공정에서 각 박막의 특성에 맞는 습식 및 건식식각공정을 개발하여 소자의 특성을 안정시키고자 한다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층, 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 n+a-Si:H 층 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성시킨다. 상부 게이트 전극과 반대의 패턴으로 NPR층을 패터닝하여 그것을 마스크로 상부 n+a-Si:H 층을 식각하고, 남아있는 NPR층을 제거 한다. 그 위 에 Cr층을 증착한 후 패터닝 하여 소오스-드레인 전극을 위한 Cr층을 형성시켜 박막 트랜지스터를 제조한다. 여기서 각 박막의 패터닝은 식각 공정으로 각단위 박막의 특성에 맞는 건식 및 습식식각 공정이 필요하다. 제조한 박막 트랜지스터에서 가장 흔히 발생되는 문제는 주로 식각 공정시 over 및 under etching 이며, 정확한 식각을 위하여 각 박막에 맞는 식각공정을 개발하여 소자의 최적 특성을 제공하고자한다. 이와 같이 공정에 보다 엄격한 기준의 건식 및 습식식각 공정 그리고 세척 등의 처리공정을 정밀하게 실시하여 소자의 특성을 확실히 개선 할 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제7권3호
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• pp.175-179
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• 1997

고밀도 고기능 전자기기의 발전과 고주파 이동통신의 증대에 따라 전자소자의 소형화, 집적화가 요구되고 있으며, 이는 전자소자의 박막화를 필요로 한다. 캐패시터, 인덕터는 전기 회로를 구성하는 기본적인 소자로서 그 응용 범위는 무수히 많으며, 따라서 이들 소자의 박막화는 전자소자의 소형화, 경량화에 큰 영향을 끼치리라 생각된다. 본 연구에서는 강자성 및 강유전 산화물 박막을 이용하여 인덕터, 캐터시터, LC 복합소자를 제조하였다. 고온 산화분위기에서 안정한 Au를 리프트 오프법으로 금속배선 패턴을 향상하였고, 스퍼터링, 화학기상증착법 등을 이용하여 산화물 박막을 증착하였다. 0.5-15GHz에서 network analyzer로 측정하고 Microwave Design System으로 분석한 결과 5nH의 인덕턴스, 10,000pF의 캐패스턴스, $10^{6}-10^{9}Hz$ 정도의 공진 주파수 값을 얻었다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제14권1호
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• pp.55-59
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• 2015

This study demonstrates hybrid-type transparent electrodes for touch screen panels. The hybrid-type electrodes were fabricated by coating carbon nanotubes (CNTs) on metal meshes. To form the metal-meshes, thin films of silver (Ag) were deposited on glass substrates using the sputtering method and then patterned via photolithography to obtain mesh structures whose line width was $10{\mu}m$ and line-to-line spacing was $300{\mu}m$. CNTs were coated on Ag-meshes by using two different methods, such as spray coating and electrophoretic deposition (EPD). For the samples of a Ag-meshes and CNTs-coated Ag-meshes, their surface morphologies, electrical sheet resistances, and visible-range transmittances and reflectances were characterized and compared. The experimental results indicated that the reflectance of Ag-mesh electrodes was substantially reduced by coating of CNTs. Especially, the hybrid electrodes of Ag-meshes with EPD-coated CNTs showed excellent properties such as sheet resistance lower than $20{\Omega}/{\Box}$, transmittance higher than 90 %, and reflectance lower than 8%.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.13-13
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• 2009

We have investigated the fabrication and properties of bendable PZT film formed on plastic substrates for the application in flexible memory. These devices used the PZT active layer formed on $SiO_2/Si$ wafer by sol-gel method with optimized device layouts and Pt electrodes. After etching Pt/PZT/Pt layers, patterned by photolithography process. these layers were transferred on PET plastic substrate using elastomeric stamp. The level of performance that can be achieved approaches that of traditional PZT. devices on rigid bulk wafers.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2003년도 춘계학술대회
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• pp.1073-1077
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• 2003

This study aims to investigate the fabrication process of nano silicon mold using electron beam lithography (EBL) to generate the nanometer level patterns by nano-imprinting technology. the nano-patterned mold including 100mm pattern size has been fabricated by EBL with different doses ranged from 22 to 38 ${\mu}C/cm^2$ on silicon using the conventional polymethylmetharcylate(PMMA) resist. The silicon mold is fabricated with various patterns such as circles, rectangles, crosses, oblique lines and mixed forms, The effect of dosage on pattern density in EBL is discussed based on SEM (Scannning Electron Microscopy) analysis of fabricated molds. The mold surface is modified by hydrophobic fluorocarbon (FC) thin films to avoid the stiction during nano-imprinting process.

• Progress in Superconductivity
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• 제6권2호
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• pp.108-112
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• 2005

We investigated temperature behavior of superconducting fault current limiters (SFCLs) during quenches. Knowledge on temperature behavior during quenches is important to the design of SFCLs, because the temperature of SFCLs is related to their stability. SFCLs were fabricated by patterning $Au/YBa_2Cu_3O_7$ thin films grown on sapphire substrates into meander lines by photolithography. A gold film grown on the back side of the substrate was patterned into a meander line, and used as a temperature sensor. The front meander line was subjected to simulated AC fault currents, and the back line to DC current. They were immersed in liquid nitrogen during the experiment for effective cooling. Overall, temperature at the back side of SFCLs was close to that at the front side. It was closer at the beginning of faults, and at lower applied voltages. Temperature distribution at the back side was even except at the edge, as at the front side. These results tell that the whole SFCL was heated to similar degree during quenches, and that effective cooling of SFCLs at the back side is as important to the stability of SFCLs as at the front side. The results could be explained with the concept of heat transfer within the film.

• Journal of Industrial and Engineering Chemistry
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• 제68권
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• pp.293-300
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• 2018

Reduced graphene oxide (rGO) nanosheets were patterned with poly[benzodithiophene-bis(decyltetradecyl-thien) naphthothiadiazole] (PBDT-DTNT) and poly[bis(triiso-propylsilylethynyl) benzodithiophene-bis(decyltetradecyl-thien) naphthobisthiadiazole] (PBDT-TIPS-DTNT-DT) and used in photovoltaics. Conductive patternings changed via surface modification of rGO; because polymers encountered a high hindrance while assembling onto grafted rGO. The best records were detected in indium tin oxide (ITO):poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS):PBDTDTNT/rGO:PBDT-DTNT:LiF:Al devices, i.e., short current density $(J_{sc})=11.18mA/cm^2$, open circuit voltage $(V_{oc})=0.67V$, fill factor (FF) = 62% and power conversion efficiency (PCE) = 4.64%. PCE increased 2.31 folds after incorporation of PBDT-DTNT into thin films. Larger polymer assemblies on bared-rGO nanosheets resulted in greater phase separations.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.50-53
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• 2023

In this study, the photolithography process was chosen to reduce the aspect ratio of the cross-section of a high-temperature superconducting (HTS) tape by dividing the superconducting layer of the tape. Reducing the aspect ratio decreases the magnetization losses in the second-generation HTS tapes generated by AC magnetic fields. The HTS tape used in the experiment has a thin silver (Ag) layer of about 2 ㎛ on top of the REBCO superconducting layer and no additional stabilizer layer. A dry film resist (DFR) was laminated on top of the HTS tape by a lamination method for the segmentation. Exposure to a 395 nm UV lamp on a patterned mask cures the DFR. Dipping with a 1% Na₂CO₃ solution was followed to develop the uncured film side and to obtain the required pattern. The silver and superconducting layers of the REBCO films were cleaned with an acid solution after the etching. Finally, the segmented HTS tape was completed by stripping the DFR film with acetone.